检索结果-内蒙古大学图书馆

作者：代兵朱嘉琦王伟华刘康韩杰才 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号

一种金刚石位置灵敏探测器的制备方法，本发明属于探测器领域，它要解决现有二维位置灵敏探测器的电极作用单一，相邻电极间空隙大的问题。制备方法：一、将单晶CVD金刚石置于沸腾的混酸浴内处理，得到清洗后的金刚石；二、将掩膜板固... 详细信息

标准号: CN108682717B

一种金刚石位置灵敏探测器的制备方法，本发明属于探测器领域，它要解决现有二维位置灵敏探测器的电极作用单一，相邻电极间空隙大的问题。制备方法：一、将单晶CVD金刚石置于沸腾的混酸浴内处理，得到清洗后的金刚石；二、将掩膜板固定在金刚石的表面，金刚石的背面粘贴在玻璃片上；三、金刚石置于真空磁控溅射镀膜系统内，采用磁控溅射沉积金电极，沉积生长四个圆心角为90°扇形结构的金电极；四、分离掩膜板；五、将镀有金电极的金刚石固定在焊盘上，电极分别用导线与pcb焊盘上条形电极连接。本发明制备了一种新型金刚石位置灵敏探测器，具有电极结构简单、电极面积大、电极间空隙小以及粒子束透过率高等优点。

关键词：金刚石金电极电极制备位置灵敏探测器掩膜板粒子束真空磁控溅射镀膜磁控溅射沉积灵敏探测器新型金刚石电极结构电极作用二维位置扇形结构条形电极相邻电极玻璃片透过率圆心角探测器沉积单晶焊盘混酸粘贴背面清洗沸腾生长

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基于PbSe薄膜的自供电光位置灵敏探测器

基于PbSe薄膜的自供电光位置灵敏探测器

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作者：马继奎乔双陈明敬闫国英王淑芳 071002 河北省保定市五四东路180号

本发明提供了一种基于PbSe薄膜的自供电光位置灵敏探测器，属于位置探测器的技术领域。其结构包括单晶Si基片和生长在单晶Si基片上的PbSe薄膜层，在PbSe薄膜层上制作第一电极和第二电极，通过导线连接第一电极和第二电极并且串联用于采... 详细信息

标准号: CN113193061B

本发明提供了一种基于PbSe薄膜的自供电光位置灵敏探测器，属于位置探测器的技术领域。其结构包括单晶Si基片和生长在单晶Si基片上的PbSe薄膜层，在PbSe薄膜层上制作第一电极和第二电极，通过导线连接第一电极和第二电极并且串联用于采集信号的电压表或示波器。本发明探测器的探测元件结构和工艺简单、成本低廉，所制备的位置探测器能够实现宽波段快速响应、灵敏度高，可以在无外部电源供电的情况下自驱动使用，应用前景广阔。

关键词：单晶Si基片位置探测器第二电极第一电极薄膜层位置灵敏探测器外部电源供电应用前景广阔采集信号导线连接快速响应探测元件电压表宽波段灵敏度示波器自驱动电光探测器制备薄膜串联生长制作

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基于石墨烯‑硅异质结的无源位置灵敏探测器

基于石墨烯‑硅异质结的无源位置灵敏探测器

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作者：倪振华王文辉梁铮丁荣 225300 江苏省泰州市凤凰西路168号5号楼

本发明提供了一种基于石墨烯‑硅（Si）异质结的无源位置灵敏探测器，所述的探测器器包括Si衬底、设在Si衬底上的石墨烯，设在石墨烯上的金属电极和设在Si衬底背面的金属电极；所述的Si是轻掺杂Si衬底，电阻率为1‑10Ωcm；所述的石墨烯... 详细信息

标准号: CN107256899A

本发明提供了一种基于石墨烯‑硅（Si）异质结的无源位置灵敏探测器，所述的探测器器包括Si衬底、设在Si衬底上的石墨烯，设在石墨烯上的金属电极和设在Si衬底背面的金属电极；所述的Si是轻掺杂Si衬底，电阻率为1‑10Ωcm；所述的石墨烯是单层、双层或3‑10层的少层石墨烯；所述的石墨烯上金属电极为金、镍或铂；所述的Si衬底背面的金属电极为铝。本发明的有益效果如下：基于本发明所获得的基于石墨烯‑硅异质结的无源位置灵敏探测器，不仅实现了无功耗，还可以大幅提升现有硅基位置灵敏探测器的最低极限探测功率和工作波长等性能指标。

关键词：石墨烯衬底灵敏探测器金属电极无源位置金属电位置灵敏探测器工作波长硅异质结探测功率电阻率轻掺杂异质结探测器单层功耗硅基少层

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一种基于侧向光伏效应的薄膜结构位置灵敏探测器

一种基于侧向光伏效应的薄膜结构位置灵敏探测器

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作者：乔双刘亚男闫国英王淑芳傅广生 071002 河北省保定市五四东路180号

本发明涉及一种基于侧向光伏效应的薄膜结构位置灵敏探测器，包括Si单晶基片衬底和在Si单晶基片衬底上生成的薄膜光响应层，在薄膜光响应层上设置有呈中心对称分布的第一电极和第二电极，第一电极和第二电极之间通过导线连接并串联有电... 详细信息

标准号: CN105932090A

本发明涉及一种基于侧向光伏效应的薄膜结构位置灵敏探测器，包括Si单晶基片衬底和在Si单晶基片衬底上生成的薄膜光响应层，在薄膜光响应层上设置有呈中心对称分布的第一电极和第二电极，第一电极和第二电极之间通过导线连接并串联有电压表，其特征在于：还包括设置在薄膜光响应层边缘的第三电极和第四电极，第三电极和第四电极在薄膜光响应层上呈中心对称分布，第三电极和第四电极通过导线短接并串联有开关，在Si单晶基片衬底的下表面还设置有底电极，在底电极上设置有第五电极，在第三电极和第四电极与第五电极之间通过导线接入直流稳压电源。改善了偏压调制下的探测器在激光高功率照射下线性度变差的情况，提高了探测器的探测范围和探测精度。

关键词：电极第三电极薄膜光响应层单晶基片衬底中心对称分布第二电极第一电极探测器串联探测位置灵敏探测器直流稳压电源薄膜结构导线接入导线连接偏压调制侧向光底电极电压表高功率下表面线性度变差短接激光照射

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一种金刚石位置灵敏探测器的制备方法

一种金刚石位置灵敏探测器的制备方法

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作者：代兵朱嘉琦王伟华刘康韩杰才 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号

标准号: CN108682717A

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双楔条型粒子二维位置灵敏探测器

双楔条型粒子二维位置灵敏探测器

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作者：宁传刚任雪光邓景康 100084 北京市100084-82信箱

双楔条型粒子二维位置灵敏探测器，属于粒子探测器技术领域。本发明包括楔条型阳极，由两块微通道板V形级联构成的倍增器以及用于装配微通道板倍增器和楔条型阳极的探测器支架。其技术特点是在同一绝缘基底上设有两个半圆型楔条型阳极... 详细信息

标准号: CN1230680C

双楔条型粒子二维位置灵敏探测器，属于粒子探测器技术领域。本发明包括楔条型阳极，由两块微通道板V形级联构成的倍增器以及用于装配微通道板倍增器和楔条型阳极的探测器支架。其技术特点是在同一绝缘基底上设有两个半圆型楔条型阳极图案，两个半圆型阳极图案中间和锗膜中间分别设有通过圆心的绝缘分隔线，且两面的绝缘分隔线平行对齐。本发明与现有技术相比，可大大减小对两个同时到达的粒子的探测死区，而且由于在同一基底上通过同一次工艺程序生产出来，在测量两个粒子位置的一致性方面其效果更好。该探测器可以实现对光子、电子、离子及其他粒子的位置测量，具有噪声小，位置分辨率高，二维位置编码畸变小，灵敏探测面积大及成本低等优点。

关键词：绝缘粒子阳极阳极图案半圆型倍增器分隔线微通道基底探测位置灵敏探测器粒子探测器探测器支架位置分辨率圆心工艺程序粒子位置同时到达位置编码位置测量光子畸变探测器级联双楔死区锗膜噪声离子灵敏平行

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基于PbSe薄膜的自供电光位置灵敏探测器

基于PbSe薄膜的自供电光位置灵敏探测器

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作者：马继奎乔双陈明敬闫国英王淑芳 071002 河北省保定市五四东路180号

标准号: CN113193061A

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用于较高能量重离子束流诊断的位置灵敏探测器

用于较高能量重离子束流诊断的位置灵敏探测器

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作者：毛瑞士赵祖龙徐治国康新才赵铁成 730000 甘肃省兰州市南昌路363号科技处

本发明涉及放射性核束物理、重离子束治疗肿瘤、重离子辐照材料和重离子辐照育种的领域。一种用于较高能量重离子束流诊断的位置灵敏探测器，其主要特点在于包括有气体密封腔内设有束流探头，束流探头固连于端口密封法兰组件的固定支架... 详细信息

标准号: CN104090292B

本发明涉及放射性核束物理、重离子束治疗肿瘤、重离子辐照材料和重离子辐照育种的领域。一种用于较高能量重离子束流诊断的位置灵敏探测器，其主要特点在于包括有气体密封腔内设有束流探头，束流探头固连于端口密封法兰组件的固定支架上；气体密封腔包括有在气盒的一侧设有入射窗，在另一侧设有出射窗；束流探头由两组束流测量单元组成，每组束流测量单元由高压极、绝缘垫板和信号极顺序排列组成；端口密封法兰组件由固定支架和端口密封法兰组成；多路信号引出转接板包括有多路信号引出板和多路信号转接板；多路信号转接板的一端设有接触端插入密封法兰的密封口与多路信号引出板的信号输出端连接，另一端设有多芯连接器为束线位置灵敏探测器的信号输出端口，多路信号引出板的信号输入端与束流探头的信号极相连。

关键词：多路信号束流探头端口密封引出板转接板位置灵敏探测器气体密封腔重离子辐照法兰组件固定支架束流测量信号极法兰信号输出端口多芯连接器信号输出端信号输入端插入密封绝缘垫板重离子束出射窗高能量高压极接触端密封口入射窗重离子固连两组气盒束线放射性育种肿瘤诊断治疗

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基于石墨烯的位置灵敏光探测器

基于石墨烯的位置灵敏光探测器

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作者：梁铮倪振华王文辉丁荣 225300 江苏省泰州市凤凰西路168号5号楼

本发明提供了一种基于石墨烯的位置灵敏探测器，所述的探测器器包括Si/SiO2衬底、设在Si/SiO2衬底上的石墨烯和设在石墨烯上的金属电极；所述的Si/SiO2衬底由底部的Si和Si上方的SiO2组成；所述的Si是轻掺杂Si衬底，其掺杂浓度范围为1014... 详细信息

标准号: CN106803528A

本发明提供了一种基于石墨烯的位置灵敏探测器，所述的探测器器包括Si/SiO2衬底、设在Si/SiO2衬底上的石墨烯和设在石墨烯上的金属电极；所述的Si/SiO2衬底由底部的Si和Si上方的SiO2组成；所述的Si是轻掺杂Si衬底，其掺杂浓度范围为10¹⁴‑10¹⁶ cm^‑3，电阻率为1‑100Ωcm；所述的SiO2的厚度为50‑500nm；所述的石墨烯是单层、双层或3‑10层的少层石墨烯；所述的金属电极为金、镍或铂。本发明的有益效果如下：基于本发明所获得的基于石墨烯的位置灵敏探测器，可以解决现有位置灵敏探测器探测微弱光的问题。

关键词：石墨烯衬底位置灵敏探测器金属电极电阻率金属电轻掺杂微弱光探测器单层少层掺杂探测

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硅位置灵敏探测器的新结果

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核电子学与探测技术 1986年第4期 256-256页

作者：张文成申伸中国原子能科学院中国原子能科学院

采用电荷分配法的半导体硅的位置灵敏探测器,因为既能同时提供能量和位置的信息,又具有使用简便,分辨能力好的优点,因而得到广泛应用。根据核物理实验研究工作的进展需要,我们研制了大灵敏面积的深耗尽层的硅半导体位置灵敏探测器。 ... 详细信息

<正> 采用电荷分配法的半导体硅的位置灵敏探测器,因为既能同时提供能量和位置的信息,又具有使用简便,分辨能力好的优点,因而得到广泛应用。根据核物理实验研究工作的进展需要,我们研制了大灵敏面积的深耗尽层的硅半导体位置灵敏探测器。电荷分配电阻可以用离子注入技术、蒸发金属膜和半导体材料构成。根据需要,我们制备了不同耗尽层厚度的探测器。浅耗尽深度的探测器采用n型硅材料和离子注入技术制备,深耗尽层的用p型硅材料和锂离子漂移技术制备。

关键词：位置灵敏探测器离子注入技术耗尽层硅半导体半导体材料分配法金属膜分辨能力研究工作钡离子

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