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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

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AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
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文献类型

22 篇 专利

馆藏范围

22 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

机构

4 篇 易联物联网科技有...
2 篇 东南大学
2 篇 思瑞浦微电子科技...
2 篇 江苏长晶科技股份...
1 篇 上海积塔半导体有...
1 篇 上海华虹宏力半导...
1 篇 上海芯旺微电子技...
1 篇 中国电子科技集团...
1 篇 上海先进半导体制...
1 篇 深圳南云微电子有...
1 篇 中芯国际集成电路...
1 篇 中国电子科技集团...
1 篇 苏州锴威特半导体...
1 篇 深圳芯瑞晟微电子...
1 篇 合肥恒烁半导体有...
1 篇 恒烁半导体股份有...

作者

4 篇 刘峰
4 篇 易志中
4 篇 马杰
2 篇 王永攀
2 篇 王海波
2 篇 徐培
2 篇 李政达
2 篇 任军
2 篇 吕向东
2 篇 陆生礼
2 篇 杨国江
2 篇 孙伟锋
2 篇 李阿江
2 篇 祝靖
2 篇 张龙
2 篇 时龙兴
2 篇 杨红
2 篇 张铮栋
2 篇 李少红
2 篇 林威

语言

22 篇 中文

检索条件"主题词=低压PMOS管"

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详细简洁

排序：

一种栅源电压保护电路

一种栅源电压保护电路

引用

作者：不公告发明人 518172 广东省深圳市龙岗区龙城街道龙翔大道9009号珠江国际中心14楼GH单元

本发明公开了一种栅源电压保护电路，应用于总线驱动器，总线驱动器包括上、下支路开关管，栅源电压保护电路包括第三二极管、齐纳二极管、第二低压pmos管、第二高压DNMOS管、第三低压NMOS管和第四低压NMOS管；第二低压pmos管漏极连接... 详细信息

标准号: CN113765081A

本发明公开了一种栅源电压保护电路，应用于总线驱动器，总线驱动器包括上、下支路开关管，栅源电压保护电路包括第三二极管、齐纳二极管、第二低压pmos管、第二高压DNMOS管、第三低压NMOS管和第四低压NMOS管；第二低压pmos管漏极连接第三二极管阳极，第二低压pmos管源极输入电源电压，第二低压pmos管栅极连接第二高压DNMOS管栅极；第二高压DNMOS管漏极、第三二极管阴极和齐纳二极管阳极连接在一起后连接至上支路开关管栅极，第二高压DNMOS管漏极源极同时连接第三低压NMOS管漏极和第四低压NMOS管漏极；第三低压NMOS管源极和第四低压NMOS管源极连接在一起后接地；齐纳二极管阴极连接上支路开关管源极。本发明能防止总线驱动器输出级上支路开关管的栅源击穿。

关键词：漏极低压pmos管支路开关源极齐纳二极管总线驱动器栅源电压电路输入电源电压阴极二极管阳极二极管阴极二极管阳极连接源极连接栅极连接接地输出级击穿栅源应用

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一种用于共阳极高压盖革模式APD的淬灭电路

一种用于共阳极高压盖革模式APD的淬灭电路

引用

作者：蒲煕邓光平黄建吴治军廖凯 400060 重庆市南岸区南坪花园路14号

本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种用于共阳极高压盖革模式APD的淬灭电路；包括雪崩电流检测模块、淬灭模块、复位模块、逻辑控制模块和SPAD，薄栅高压NMOS管MN2的栅极连接信号QC，且其源极接地；复位模块、雪崩电流检测模块、SPA... 详细信息

标准号: CN116613236A

本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种用于共阳极高压盖革模式APD的淬灭电路；包括雪崩电流检测模块、淬灭模块、复位模块、逻辑控制模块和SPAD，薄栅高压NMOS管MN2的栅极连接信号QC，且其源极接地；复位模块、雪崩电流检测模块、SPAD的阴极都与薄栅高压NMOS管MN2的漏极相连接；所述SPAD的阳极连接负偏压‑VBIAS；所述雪崩电流检测模块的低压NMOS管MN3的漏极，以及低压pmos管MP3的漏极共同接入逻辑控制模块；本发明有效地对共阳极高压SPAD进行淬灭和复位，同时也减少了电路面积，提升了电路的响应速度。

关键词：检测模块雪崩电流淬灭漏极逻辑控制模块高压NMOS管电路复位模块共阳极薄栅半导体技术领域阴极低压pmos管阳极连接源极接地栅极连接负偏压高压盖有效地复位响应

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一种带有负反馈的高压宽输入范围电压比较器

一种带有负反馈的高压宽输入范围电压比较器

引用

作者：陈彦杰李现坤刘芸含 214000 江苏省无锡市滨湖区惠河路5号

本发明公开一种带有负反馈的高压宽输入范围电压比较器，属于半导体集成电路领域，包括低压NMOS管MN1～MN6、低压pmos管MP1～MP2、高压NMOS管HVN1～HVN2、尾电流沉I1、三极管Q1～Q4以及电阻R1～R2；通过比较两个输入电压VIN1与VIN2的大... 详细信息

标准号: CN116865730A

本发明公开一种带有负反馈的高压宽输入范围电压比较器，属于半导体集成电路领域，包括低压NMOS管MN1～MN6、低压pmos管MP1～MP2、高压NMOS管HVN1～HVN2、尾电流沉I1、三极管Q1～Q4以及电阻R1～R2；通过比较两个输入电压VIN1与VIN2的大小，实现将模拟信号转换为数字信号，进而控制其它电路的工作状态。本发明通过改进电压比较器电路结构，避免了直接使用低压MOS器件或者双极器件作为差分输入对管时，因其器件自身耐压不够，导致其工作电压受限的弊端；此电路可将传统的5V低压工作范围扩展至高压甚至100V。本发明带有负反馈环路，可提高电路整体响应速度；利用大量电阻分压进行采样的方式，极大的减少了电阻个数，可降低芯片面积，同时实现低功耗要求。

关键词：电路电阻半导体集成电路电压比较器电路工作范围扩展模拟信号转换低压MOS器件低压pmos管负反馈环路高压NMOS管电阻分压范围电压工作电压输入电压输入对管数字信号双极器件整体响应比较器传统的低功耗负反馈三极管尾电流采样耐压受限芯片改进

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一种采用自举技术实现低压运放应用于高压的电路

一种采用自举技术实现低压运放应用于高压的电路

引用

作者：杨国江王海波 210000 江苏省南京市中国(江苏)自由贸易试验区南京片区研创园腾飞大厦C座13楼

一种采用自举技术实现低压运放应用于高压的电路，自举电路中通过引入高压NJFET和PJFET、高压NMOS管、高压pmos管、低压耗尽管、低压NMOS和低压pmos管，结合低压耗尽管提供偏置电流，既可以实现偏置偏置电流不随电源电压波动，提升电源... 详细信息

标准号: CN115987224B

一种采用自举技术实现低压运放应用于高压的电路，自举电路中通过引入高压NJFET和PJFET、高压NMOS管、高压pmos管、低压耗尽管、低压NMOS和低压pmos管，结合低压耗尽管提供偏置电流，既可以实现偏置偏置电流不随电源电压波动，提升电源抑制比，同时还容易实现上下电流源的平衡，不会对运放输出造成失调的影响。因此，本发明在保证高压性能的情况下，可以显著降低静态功耗，并且提升电源抑制比，电路简单，易于实现性能和成本的最佳结合。

关键词：电源抑制比偏置电流运放电路电源电压波动低压pmos管高压NMOS管高压pmos管技术实现静态功耗自举电路电流源偏置自举失调输出引入平衡应用保证

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一种低反向恢复电荷SJ-VDMOS器件

一种低反向恢复电荷SJ-VDMOS器件

引用

作者：孙伟锋李阿江李少红张龙祝靖陆生礼时龙兴 214135 江苏省无锡市新区菱湖大道99号

一种低反向恢复电荷SJ‑VDMOS器件，包括N+型衬底，在其下表面设有第一金属漏电极，N+型衬底上方设有N型外延层、P型外延层和P柱，P型外延层内设有纵向沟槽栅，P型外延层表面设有第一P+区域及第一N+区域并且设有第一金属源电极和第一金... 详细信息

标准号: CN109860301B

一种低反向恢复电荷SJ‑VDMOS器件，包括N+型衬底，在其下表面设有第一金属漏电极，N+型衬底上方设有N型外延层、P型外延层和P柱，P型外延层内设有纵向沟槽栅，P型外延层表面设有第一P+区域及第一N+区域并且设有第一金属源电极和第一金属栅电极，其特征在于，P型外延层内设有SiO2隔离层以隔离形成低压pmos区并在其内置有低压pmos管，低压pmos管包括N型区域，N型区域一侧设有P+区域及第二金属漏电极，另一侧设有第二P+区域、第二N+区域及第二金属源电极，N型区域表面设有栅氧及横向多晶硅栅，横向多晶硅栅与第二金属漏电极及各第一金属源电极连接，P型外延层表面设有层间隔离介质。本发明通过引入电子沟道续流机制，显著降低反向恢复电荷Q_rr。

关键词：金属源电极漏电极低压pmos管横向多晶硅反向恢复电荷金属衬底金属栅电极电子沟道隔离介质纵向沟槽下表面层间续流栅氧隔离引入

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一种采用自举技术实现低压运放应用于高压的电路

一种采用自举技术实现低压运放应用于高压的电路

引用

作者：杨国江王海波 210000 江苏省南京市中国(江苏)自由贸易试验区南京片区研创园腾飞大厦C座13楼

标准号: CN115987224A

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齐纳二极管的制作方法

齐纳二极管的制作方法

引用

作者：林威杨红 200233 上海市徐汇区虹漕路385号

本发明公开了一种齐纳二极管的制作方法，所述制作方法包括：在P衬底上进行N型注入形成高压N阱；在所述高压N阱中形成有源区和STI区域；在所述高压N阱中进行中压pmos管N型阱注入；在所述高压N阱中进行低压pmos管N型阱注入；在所述高压N... 详细信息

标准号: CN112768355A

本发明公开了一种齐纳二极管的制作方法，所述制作方法包括：在P衬底上进行N型注入形成高压N阱；在所述高压N阱中形成有源区和STI区域；在所述高压N阱中进行中压pmos管N型阱注入；在所述高压N阱中进行低压pmos管N型阱注入；在所述高压N阱中进行中压NMOS管轻掺杂漏注入；在所述高压N阱中对所述有源区进行N型有源区注入和P型有源区注入；在所述有源区上形成金属合金层，在所述金属合金层上形成钝化层，在所述钝化层中开设接触孔，从接触孔引出电极。本发明通过与工艺层次相对应的版图的组合，节省了齐纳注入的光罩，实现了低成本齐纳二极管的制作。

关键词：高压N阱源区金属合金层齐纳二极管钝化层接触孔中压制作低压pmos管轻掺杂漏引出电极低成本衬底光罩

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高PSRR的低压差线性稳压器

高PSRR的低压差线性稳压器

引用

作者：张铮栋王永攀 215123 江苏省苏州市苏州工业园区星湖街328号创意产业园2-B304-1

本发明揭示了一种高PSRR的低压差线性稳压器，所述低压差线性稳压器包括误差放大器EA、MOS管M1和M2、分压电阻Rf1和Rf2、及补偿电路，补偿电路位于误差放大器EA输出端与低压差线性稳压器输出端VOUT之间，其中，MOS管M1为高压pmos管，MOS... 详细信息

标准号: CN110825153B

本发明揭示了一种高PSRR的低压差线性稳压器，所述低压差线性稳压器包括误差放大器EA、MOS管M1和M2、分压电阻Rf1和Rf2、及补偿电路，补偿电路位于误差放大器EA输出端与低压差线性稳压器输出端V_OUT之间，其中，MOS管M1为高压pmos管，MOS管M2为低压pmos管，MOS管M1和MOS管M2串联于低压差线性稳压器输入端V_IN和输出端V_OUT之间，且MOS管M1的源极与MOS管M2的漏极相连。本发明通过在LDO的输出通路串联一个低压pmos管和一个高压pmos管，能够稳定输出电压，有利于改善高频PSRR、提高环路带宽，减小补偿电路占用面积、降低成本；驱动电路及交流耦合电路能够有效限制输出电压V_OUT的过冲，提高了LDO的抗干扰性能。

关键词：低压差线性稳压器补偿电路输出端低压pmos管高压pmos管误差放大器串联交流耦合电路稳定输出电压抗干扰性能分压电阻环路带宽驱动电路输出电压输出通路有效限制输入端减小漏极源极占用

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兼容限幅功能NFC标签的负载调制电路

兼容限幅功能NFC标签的负载调制电路

引用

作者：马杰易志中刘峰 100036 北京市海淀区万寿路西街2号寰岛博雅大酒店7层701

本发明涉及一种兼容限幅功能NFC标签的负载调制电路，包括控制电路部分以及并联在天线两端的主调制电路部分,所述控制电路部分包括：低压pmos管MP1，低压NMOS管MN1，高压pmos管MP2、MP3、MP4、MP5、MP6、MP7、MP8、MP9、MP10，高压NMOS... 详细信息

标准号: CN106372704B

本发明涉及一种兼容限幅功能NFC标签的负载调制电路，包括控制电路部分以及并联在天线两端的主调制电路部分,所述控制电路部分包括：低压pmos管MP1，低压NMOS管MN1，高压pmos管MP2、MP3、MP4、MP5、MP6、MP7、MP8、MP9、MP10，高压NMOS管MN2、MN3、MN4、MN5，电阻R₁、R₂、R₃、R₄以及电容C1。本发明的优点是：本发明在电路设计中对两种控制功能在电路结构上进行兼容与合并，在控制电路中把负载调制数字输入的控制信号融合到主调制电路中，有效的降低了设计的复杂度以及芯片的面积。

关键词：控制电路主调制电路兼容负载调制电路低压pmos管高压NMOS管高压pmos管电路结构电路设计负载调制控制功能控制信号数字输入天线两端限幅功能复杂度电容电阻芯片合并融合

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齐纳二极管的制作方法

齐纳二极管的制作方法

引用

作者：林威杨红 201306 上海市浦东新区自由贸易试验区临港新片区云水路600号

标准号: CN112768355B

关键词：高压N阱源区金属合金层齐纳二极管钝化层接触孔中压制作低压pmos管轻掺杂漏引出电极低成本衬底光罩

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