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  • 1 篇 期刊文献

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  • 1 篇 电子文献
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学科分类号

  • 1 篇 工学
    • 1 篇 材料科学与工程(可...
    • 1 篇 电子科学与技术(可...

主题

  • 1 篇 子带间散射
  • 1 篇 优化设计
  • 1 篇 低噪声氮化镓异质...
  • 1 篇 能带剪裁
  • 1 篇 耦合沟道阱

机构

  • 1 篇 单片集成电路与模...

作者

  • 1 篇 xue fangshi
  • 1 篇 薛舫时

语言

  • 1 篇 中文
检索条件"主题词=低噪声氮化镓异质结场效应管"
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GaN HFET中的耦合沟道阱
收藏 引用
固体电子学研究与进展 2010年 第2期30卷 169-173页
作者: 薛舫时 单片集成电路与模块国家级重点实验室 南京电子器件研究所南京210016
从自洽求解薛定谔方程和泊松方程出发研究了GaN异质结构中的耦合沟道阱,求出了耦合沟道阱中电子状态随异质结构的变化,发现通过适当的能带剪裁可以使基态子带和激发态子带分别落在主阱和副阱中,从而显著降低了子带间的散射。使用这种新... 详细信息
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