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作者

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滤模光纤
滤模光纤
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作者： 陈明阳 212013 江苏省镇江市京口区学府路301号
本发明公开了一种滤模光纤，包层由基质材料、高折射率介质柱和高折射率介质环组成。高折射率介质柱周期性排布于低折射率基质材料上，高折射率介质环位于所述低折射率基质材料、高折射率介质柱的外侧。纤芯位于光纤的中心。本发明提出... 详细信息
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封装结构及其形成方法
封装结构及其形成方法
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作者： 房志强 201210 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区集创路200号1幢111室
一种封装结构及其形成方法，封装结构包括：基板，包括相对的上表面和下表面；半导体芯片，贴装在基板的下表面，用于产生毫米波射频信号；波导传输结构，设置于基板中，包括上金属层、下金属层和位于上金属层和下金属层之间的腔体结构... 详细信息
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低损耗脊间隙波导-间隙波导小型化转换器、馈电网络
低损耗脊间隙波导-间隙波导小型化转换器、馈电网络
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作者： 蔡明波 冯洋 宗耀 高坤 王祎彬 710199 陕西省西安市长安区韦曲凤栖东街
本发明涉及一种低损耗脊间隙波导‑间隙波导小型化转换器、馈电网络，属于毫米波雷达系统领域。用于解决阵列间距过小，馈电网络难以设计的问题，并降低脊间隙波导与间隙波导转换的损耗、减小转换结构的尺寸。该转换结构由脊波导、间隙... 详细信息
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基于微带脊间隙波导的毫米波背靠背层间过渡转换结构
基于微带脊间隙波导的毫米波背靠背层间过渡转换结构
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作者： 冯文杰 王慧 施永荣 郑怡珊 朱浩慎 杨琬琛 车文荃 薛泉 510641 广东省广州市天河区五山路381号
本发明公开了一种基于微带脊间隙波导的毫米波背靠背层间过渡转换结构，包括：上层是通过多层印刷电路板技术加工而成的输入输出端口的介质馈电层，由微带线和非等宽基片集成波导谐振腔组成；下层是通过多层印刷电路板技术加工和机械加... 详细信息
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一种ABS塑料毛细管空芯光纤及制备方法
一种ABS塑料毛细管空芯光纤及制备方法
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作者： 敬承斌 余烁颖 谢国兴 钟熠 鲁学会 刘少华 胡鸣 徐剑 程亚 褚君浩 200241 上海市闵行区东川路500号
本发明公布了一种ABS塑料毛细管空芯光纤及制备方法，该方法以ABS塑料毛细管为基管，根据制备工艺的不同，可制备出不同的空芯光纤。通过液相化学沉积法获得镀银太赫兹空芯光纤。在镀银空芯光纤基础上再通过卤化反应获得Ag/AgI红外空芯... 详细信息
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一种含核壳结构粉体的低损耗和低吸水率覆铜板制备方法
一种含核壳结构粉体的低损耗和低吸水率覆铜板制备方法
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作者： 张伟 高枢健 周晓龙 乔韵豪 米姣 张立欣 李攀 王浩栋 300220 天津市河西区洞庭路26号
本发明公开了一种含核壳结构粉体的低损耗和低吸水率覆铜板制备方法，首先将无机粉体进行表面改性；其次将改性粉体、聚烯烃树脂、中温引发剂和溶剂混合均匀后，采用自由基沉淀聚合制得聚烯烃树脂包覆无机粉体的核壳结构粉体；然后将核... 详细信息
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一种应用于UV波段（200nm~400nm）的超低损耗的连体管（CTF）空芯光纤
一种应用于UV波段（200nm~400nm）的超低损耗的连体管（CTF）空芯...
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作者： 成煜 潘雨 高起超 刘厚权 苑立波 陈明 541004 广西壮族自治区桂林市桂林金鸡路1号
本申请涉及一种应用于UV波段（200nm～400nm）的超低损耗的连体管（CTF）空芯光纤，该连体管(CTF)空芯光纤结构包括：负曲率谐振管单元、空气纤芯、外包层套管；每个负曲率谐振管单元端面结构外轮廓呈现为一个圆弧矩形，并围绕纤芯均匀... 详细信息
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一种高功率微波过模圆波导连接馈线
一种高功率微波过模圆波导连接馈线
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作者： 廖勇 谢平 金晓 621000 四川省绵阳市游仙区绵山路64号
本发明公开了一种高功率微波过模圆波导连接馈线，包括圆波导接口法兰组，所述圆波导接口法兰组之间设有圆波纹波导外筒，所述圆波纹波导外筒的内侧设有扼流结构。一种高功率微波过模圆波导连接馈线，连接高功率微波源和高功率微波天线... 详细信息
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一种模场适配器的制作方法及模场适配器
一种模场适配器的制作方法及模场适配器
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作者： 朱永康 鲁晓聪 祝启欣 李榕 淳秋垒 闫大鹏 430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来科技城龙山南街一号
本发明公开一种模场适配器的制作方法及模场适配器，所述模场适配器的制作方法包括分别将经过处理的所述输入光纤和所述输出光纤连接至端帽的输入端和输出端，以得到模场适配器零件；对所述模场适配器零件的光学性质进行检测，并将满足... 详细信息
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一种用于在固体波导和SWG波导之间建立耦合的耦合结构
一种用于在固体波导和SWG波导之间建立耦合的耦合结构
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作者： 赵复生 王硕 李静婷 赵俊洋 300000 天津市滨海新区开发区第六大街110号天润科技园A409-4
本发明属于光波导技术领域，涉及一种SWG波导及耦合结构，所述SWG波导包括220nm厚硅波导核心层、3μm厚SiO2衬底及2μm厚SiO2上覆层，所述耦合结构包括第一结构和第二结构，所述第一结构为绝热锥形结构。本发明利用CMOS工艺中成熟的多... 详细信息
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