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文字说明：

T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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74 篇 专利
4 篇 期刊文献
1 篇 学位论文
1 篇 成果

馆藏范围

80 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

学科分类号

6 篇 工学
- 3 篇 材料科学与工程（可...
- 3 篇 电气工程
- 2 篇 电子科学与技术（可...

主题

6 篇 低泄漏电流
1 篇 eds保护
1 篇 低阈值电压损耗
1 篇 仿真优化
1 篇 称动电话
1 篇 非均匀性
1 篇 u沟道无结
1 篇 便携式医疗电子
1 篇 模拟开关
1 篇 cmos读出电路
1 篇 辅助栅
1 篇 量子阱红外焦平面...
1 篇 掺氮薄膜
1 篇 高介电常数
1 篇 激光分子束
1 篇 内建电注入
1 篇 常闭版本
1 篇 热稳定性
1 篇 微能量收集
1 篇 fsa125x系列

机构

10 篇 电子科技大学
8 篇 晶通半导体有限公...
6 篇 沈阳工业大学
3 篇 湖南大学
3 篇 迪优未来科技有限...
3 篇 北京大学
2 篇 美国亚德诺半导体...
2 篇 华南师大科技创新...
2 篇 恩智浦有限公司
2 篇 深圳市锦锐科技股...
2 篇 重庆理工大学
2 篇 豪威科技股份有限...
2 篇 深圳奥凯普电容器...
2 篇 国网河南省电力公...
2 篇 亚德诺半导体国际...
2 篇 深圳信息职业技术...
2 篇 深圳大学
1 篇 广州中欣电力技术...
1 篇 电力集成公司
1 篇 常州市武进科华电...

作者

8 篇 刘丹
6 篇 张波
6 篇 刘溪
6 篇 罗小蓉
6 篇 魏杰
5 篇 靳晓诗
4 篇 蒋卓林
4 篇 魏雨夕
4 篇 尹以安
3 篇 王俊
3 篇 邓高强
3 篇 毛明华
3 篇 黄如
3 篇 李佳霖
3 篇 杨光锐
3 篇 黄芊芊
3 篇 刘新科
3 篇 揣荣岩
2 篇 易波
2 篇 王慧敏

语言

79 篇 中文
1 篇 英文

检索条件"主题词=低泄漏电流"

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详细简洁

排序：

F特性高耐压高介电常数低泄漏电流瓷粉料

F特性高耐压高介电常数低泄漏电流瓷粉料

引用

作者：李建波于怀国王士娇刘爱春苏献龙沈强山东清华同方鲁颖电子股份有限公司

该项目为打破传统瓷料单一置换改性的配方系统,选择耐压更高、性能更稳定的BaTiO_3、CaZrO_3和CaSnO_3双重置换改性作为瓷料配方主成份;打破传统基本瓷料(预烧团块)制作,采用强力干混造粒工艺,提高基本瓷料的纯度和一致性;改换球磨介质... 详细信息

标准号: gkls061947

该项目为打破传统瓷料单一置换改性的配方系统,选择耐压更高、性能更稳定的BaTiO_3、CaZrO_3和CaSnO_3双重置换改性作为瓷料配方主成份;打破传统基本瓷料(预烧团块)制作,采用强力干混造粒工艺,提高基本瓷料的纯度和一致性;改换球磨介质及设备,减少异性成份的掺入,保证瓷料性能的稳定。采用特殊烧成工艺,增加烧成气氛,保证瓷片介电性能的一致性和稳定性,该新型环保F特性高介瓷粉料主要技术指标达到国际先进水平。

关键词： F特性高介电常数低泄漏电流

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低泄漏电流中压交联电缆三层共挤构件

低泄漏电流中压交联电缆三层共挤构件

引用

作者：陈学卫 318050 浙江省台州市路桥区路桥街道高新工业园区111号

本实用新型提供了一种低泄漏电流中压交联电缆三层共挤构件，属于电缆技术领域。它解决了现有共挤构件结构复杂、不方便操作的问题。本低泄漏电流中压交联电缆三层共挤构件，包括机座以及设置于机座内的模套，模套内具有用于供电缆穿过... 详细信息

标准号: CN211828287U

本实用新型提供了一种低泄漏电流中压交联电缆三层共挤构件，属于电缆技术领域。它解决了现有共挤构件结构复杂、不方便操作的问题。本低泄漏电流中压交联电缆三层共挤构件，包括机座以及设置于机座内的模套，模套内具有用于供电缆穿过的内腔，模套的一侧端部上设置有出料模芯，机座上设置有第一胶进口与第二胶进口，第一胶进口与出料模芯之间连接有第二胶流道，第二胶进口与出料模芯之间连接有第一胶流道与第三胶流道，第一胶流道、第二胶流道以及第三胶流道自出料模芯一侧朝模套一侧依次分布，第二胶进口在第二胶流道与第三胶流道之间设置有控制阀组件。本实用新型具有结构合理，方便操作的优点。

关键词：胶流道出料模芯模套机座进口中压交联电缆本实用新型低泄漏电流方便操作三层共挤电缆技术领域控制阀组件构件结构供电缆共挤内腔穿过

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一种低泄漏电流的IGBT器件及其制备方法

一种低泄漏电流的IGBT器件及其制备方法

引用

作者：邓高强王俊张倩 410000 湖南省长沙市岳麓区麓山南路麓山门

本发明属于功率半导体技术领域，具体是一种低泄漏电流的IGBT器件，包括N型半导体衬底；形成于N型半导体衬底正面的P阱层；形成于P阱层正面的高掺杂P+区和高掺杂N+发射区；形成于高掺杂N+发射区中部并在垂直方向上贯穿P阱层且底部位于N... 详细信息

标准号: CN113964197B

本发明属于功率半导体技术领域，具体是一种低泄漏电流的IGBT器件，包括N型半导体衬底；形成于N型半导体衬底正面的P阱层；形成于P阱层正面的高掺杂P+区和高掺杂N+发射区；形成于高掺杂N+发射区中部并在垂直方向上贯穿P阱层且底部位于N型半导体衬底内的沟槽栅；由沟槽栅中导电材料引出的栅电极；高掺杂P+区和高掺杂N+发射区共同引出的发射极电极；形成于N型半导体衬底背面的P型集电区；在P型集电区引出的集电极，P型集电区顶部引入具有电场截止作用的N型掺杂区，N型掺杂区包括形成于P型集电区顶部的一阶N型掺杂区和形成于一阶N型掺杂区顶部的二阶N型掺杂区。本发明可以减小器件的漏电流，提升器件的耐高温能力。

关键词：高掺杂发射区衬底沟槽栅一阶功率半导体技术低泄漏电流发射极电极耐高温能力衬底正面导电材料截止作用提升器件电场集电极漏电流栅电极二阶减小引入贯穿

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一种在4H-SiC上制备高K低泄漏电流的铪基复合栅介质的方法

一种在4H-SiC上制备高K低泄漏电流的铪基复合栅介质的方法

引用

作者：柯茜张梦龙汪炜喆李京波袁书文冀璇王小周周楚 311400 浙江省杭州市富阳区春江街道江南路68号第23幢706室

本发明涉及铪基复合栅介质制备技术领域，具体公开了一种在4H‑SiC上制备高K低泄漏电流的铪基复合栅介质的方法，包括以下步骤，S1、20nmHfO2/20nmSiO2铪基复合栅薄膜的制备；S2、20nmHfO2/20nmSiO2铪基复合栅MOS电容器的制备；S3、20nmH... 详细信息

标准号: CN117524862A

本发明涉及铪基复合栅介质制备技术领域，具体公开了一种在4H‑SiC上制备高K低泄漏电流的铪基复合栅介质的方法，包括以下步骤，S1、20nmHfO₂/20nmSiO₂铪基复合栅薄膜的制备；S2、20nmHfO₂/20nmSiO₂铪基复合栅MOS电容器的制备；S3、20nmHfO₂/20nmSiO₂铪基复合栅平面MOSFET的制备，本发明通过制备更薄的氧化铪/氧化硅复合栅介质来填补SiC热氧法无法达到的超薄栅工艺，且可以显著降低MOSFE功率器件的开启电压、提高输出和转移能力等关键器件特性。

关键词：复合栅铪基制备低泄漏电流平面MOSFET 功率器件关键器件介质制备开启电压超薄栅氧化硅氧化铪热氧薄膜输出填补

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具有低泄漏电流和低插入损耗的高功率射频开关

具有低泄漏电流和低插入损耗的高功率射频开关

引用

作者： Y·阿特赛尔 A·塞利克爱尔兰利默里克

提供了具有低泄漏电流和低插入损耗的高功率射频(RF)开关。在一个实施方案中，RF开关包括多个晶体管，并且被配置为选择性地将发射路径或接收路径之一连接到天线。当RF开关以高功率模式操作时，所有晶体管均配置为导通状态；当RF开关以... 详细信息

标准号: CN111865283B

提供了具有低泄漏电流和低插入损耗的高功率射频(RF)开关。在一个实施方案中，RF开关包括多个晶体管，并且被配置为选择性地将发射路径或接收路径之一连接到天线。当RF开关以高功率模式操作时，所有晶体管均配置为导通状态；当RF开关以低功率模式操作时，所有晶体管均配置为截止状态。

关键词：晶体管配置低功率模式低泄漏电流高功率模式高功率射频插入损耗导通状态发射路径接收路径截止状态天线

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一种低泄漏电流稀土高熵纳米的复合绝缘材料制备方法

一种低泄漏电流稀土高熵纳米的复合绝缘材料制备方法

引用

作者：赫丽杰王立强郑伟郝春来张全庆卢杨赵致茹马伟民 115014 辽宁省营口市博文路46号

一种低泄漏电流稀土高熵纳米的复合绝缘材料制备方法，涉及一种绝缘材料制备方法，本发明以Y(NO3)3、La(NO3)3、Ce(NO3)3、Gd(NO3)3、Mg(NO3)2、甘氨酸及乙二醇为主要原料，按最终产物(Y0.25La0.25Yb0.25Lu0.25)2O3与MgO体积比15:85、25... 详细信息

标准号: CN117352243A

一种低泄漏电流稀土高熵纳米的复合绝缘材料制备方法，涉及一种绝缘材料制备方法，本发明以Y(NO₃)₃、La(NO₃)₃、Ce(NO₃)₃、Gd(NO₃)₃、Mg(NO₃)₂、甘氨酸及乙二醇为主要原料，按最终产物(Y_0.25La_0.25Yb_0.25Lu_0.25)₂O₃与MgO体积比15:85、25:75、35:65、45:55、50:50，将上述溶液混合，然后对其加热搅拌、烘干、煅烧、球磨、干燥及过筛得到目标纳米复合绝缘粉体。高熵纳米复合绝缘材料在1050℃下进行电气性能测试，测试电压155 V、测试功率860 W，测试时间为15分钟，结果表明：该材料的泄漏电流仅为0.056 mA，高温过炉后10分钟绝缘为80 MΩ，潮态绝缘5.5 MΩ，热态绝缘3.5 MΩ，具有优异的电绝缘性能，提高电绝缘材料的使用安全性。

关键词：绝缘绝缘材料高熵制备电气性能测试复合绝缘材料低泄漏电流电绝缘材料使用安全性测试电压测试功率复合绝缘加热搅拌目标纳米纳米复合溶液混合泄漏电流最终产物电绝缘甘氨酸体积比乙二醇烘干潮态粉体过筛球磨热态煅烧稀土测试

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高梯度、低泄漏电流陶瓷的制备方法

高梯度、低泄漏电流陶瓷的制备方法

引用

作者：赵洪峰程宽谢清云刘冬季李刚蒙晓记 830046 新疆维吾尔自治区乌鲁木齐市天山区胜利路666号

一种高梯度、低泄漏电流陶瓷的制备方法,包括配料步骤、球磨步骤,成型步骤、烧结步骤、热处理步骤，所述配料步骤、球磨步骤,成型步骤、烧结步骤、热处理步骤依次进行，所述配料步骤中，原料配方包括ZnO、Bi2O3、Sb2O3、MnO2、Cr2O3、Co... 详细信息

标准号: CN110922182A

一种高梯度、低泄漏电流陶瓷的制备方法,包括配料步骤、球磨步骤,成型步骤、烧结步骤、热处理步骤，所述配料步骤、球磨步骤,成型步骤、烧结步骤、热处理步骤依次进行，所述配料步骤中，原料配方包括ZnO、Bi₂O₃、Sb₂O₃、MnO₂、Cr₂O₃、Co₂O₃、SiO₂、B₂O₃和MgO。其有益效果是：将ZnO压敏电阻陶瓷的电压梯度不低于450V/mm，使泄漏电流小于1uA/cm2，所制备的ZnO压敏电阻陶瓷，具备梯度高、泄漏电流小等特点。

关键词：配料步骤压敏电阻陶瓷热处理步骤成型步骤球磨步骤烧结步骤泄漏电流制备低泄漏电流电压梯度原料配方高梯度陶瓷

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具有低泄漏电流和低插入损耗的高功率射频开关

具有低泄漏电流和低插入损耗的高功率射频开关

引用

作者： Y·阿特赛尔 A·塞利克爱尔兰利默里克

标准号: CN111865283A

关键词：晶体管配置低功率模式低泄漏电流高功率模式高功率射频插入损耗导通状态发射路径接收路径截止状态天线

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一种低泄漏电流PTC电加热器

一种低泄漏电流PTC电加热器

引用

作者：佘宏广解忠郑进军解严 212132 江苏省镇江市新区大港镇五峰山路18号

本实用新型公开了一种低泄漏电流PTC电加热器。它包括在铝管内纵向排列的PTC发热片，PTC发热片的上下表面具有上电极安置面和下电极安置面，所述上电极安置面上设置有上引出电极，下电极安置面上设置有引出电极，PTC发热片的上层表面还... 详细信息

标准号: CN205754894U

本实用新型公开了一种低泄漏电流PTC电加热器。它包括在铝管内纵向排列的PTC发热片，PTC发热片的上下表面具有上电极安置面和下电极安置面，所述上电极安置面上设置有上引出电极，下电极安置面上设置有引出电极，PTC发热片的上层表面还设置有位于引出电极外层的上层绝缘基板，PTC发热片的下表面设置有位于引出电极外层的下层绝缘基板，上层绝缘基板和下层绝缘基板外包覆有设置在铝管内的绝缘膜。采用上述的结构后，大大增加了绝缘性能，降低了泄漏电流，保证了绝缘等级，另外，PTC发热片的两侧与铝管的侧壁之间通过侧板隔离，方便了PTC发热片的定位，增加了侧面绝缘能力，进一步降低了泄漏电流。

关键词：绝缘基板引出电极铝管电极安置泄漏电流下电极下层上层本实用新型低泄漏电流绝缘能力绝缘性能上层表面上下表面纵向排列安置面绝缘膜外包覆下表面侧板侧壁绝缘隔离侧面安置保证

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一种低泄漏电流的电热膜

一种低泄漏电流的电热膜

引用

作者：刘鑫 274000 山东省菏泽市单县园艺人民路北段

本实用新型公开了一种低泄漏电流的电热膜，包括聚脂薄膜、发热碳浆和导电油墨，所述聚酯薄膜内侧顶端安装有第一载流铜条，第一载流铜条底端安装有第一导电银浆，第一导电银浆底端安装有发热碳浆，发热碳浆侧面安装有导电油墨，发热碳... 详细信息

标准号: CN211557509U

本实用新型公开了一种低泄漏电流的电热膜，包括聚脂薄膜、发热碳浆和导电油墨，所述聚酯薄膜内侧顶端安装有第一载流铜条，第一载流铜条底端安装有第一导电银浆，第一导电银浆底端安装有发热碳浆，发热碳浆侧面安装有导电油墨，发热碳浆和导电油墨之间设有绝缘空隙，发热碳浆底端连接第二导电银浆，第二导电银浆上端安装有第二载流铜条，第二导电银浆底端设有EVA胶。本实用新型结构合理，通过切割分离原有泄漏电流位移电子的流动方向，吸收原有位移电子形成新的电容，来达到减少泄漏电流产生的目的。

关键词：导电银浆碳浆发热底端导电油墨铜条载流本实用新型泄漏电流聚酯薄膜低泄漏电流侧面安装顶端安装聚脂薄膜绝缘空隙切割分离电热膜电容上端吸收流动

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