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  • 3 篇 电子文献
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    • 1 篇 化学

主题

  • 3 篇 低缺陷密度
  • 1 篇 光催化氧化水
  • 1 篇 空穴氧化能力
  • 1 篇 钙钛矿型氮氧化合...
  • 1 篇 应力调控
  • 1 篇 外延材料
  • 1 篇 gan led
  • 1 篇 晶体质量
  • 1 篇 太赫兹
  • 1 篇 氮化镓
  • 1 篇 施主浓度

机构

  • 1 篇 江西乾照光电有限...
  • 1 篇 南京电子器件研究...
  • 1 篇 固态微波器件与电...
  • 1 篇 中国电科碳基电子...
  • 1 篇 大连交通大学

作者

  • 1 篇 张东国
  • 1 篇 吴洪浩
  • 1 篇 万里鹏
  • 1 篇 霍丽艳
  • 1 篇 周瑜
  • 1 篇 彭大青
  • 1 篇 李忠辉
  • 1 篇 李传皓
  • 1 篇 王克超
  • 1 篇 杨乾坤

语言

  • 3 篇 中文
检索条件"主题词=低缺陷密度"
3 条 记 录,以下是1-10 订阅
排序:
太赫兹GaN SBD外延材料的应力调控及低缺陷密度控制技术研究
收藏 引用
固体电子学研究与进展 2024年 第5期44卷 425-429页
作者: 李传皓 李忠辉 彭大青 王克超 杨乾坤 张东国 固态微波器件与电路全国重点实验室 南京210016 南京电子器件研究所 南京210016 中国电科碳基电子重点实验室 南京210016
采用金属有机物化学气相沉积(Metal organic chemical vapor deposition,MOCVD)技术在101.6 mm(4英寸)半绝缘SiC衬底上开展太赫兹用GaN肖特基势垒二极管(Schottky barrier diode,SBD)外延材料应力演进及缺陷密度控制的研究。提出了一种... 详细信息
来源: 评论
图形化衬底上GaN基高温缓冲层的研究
收藏 引用
科学技术创新 2020年 第32期 36-37页
作者: 吴洪浩 周瑜 霍丽艳 江西乾照光电有限公司 江西南昌330000
针对图形化衬底上GaN基高温缓冲层的生长条件的研究,用以改善因蓝宝石衬底与GaN材料之间存在大的晶格失配和热膨胀系数失配而产生的大量的位错密度,抑制缺陷向外延表面的延伸,提高了GaN材料的晶体质量和器件的内量子效率。
来源: 评论
宽可见光吸收混合金属氮氧化物半导体材料光催化研究
宽可见光吸收混合金属氮氧化物半导体材料光催化研究
收藏 引用
作者: 万里鹏 大连交通大学
学位级别:硕士
具有宽可见光吸收的钙钛矿型LaTiO2N和LaNbON2半导体光催化材料,对于提高太阳能的利用效率具有非常重要的作用。然而,这两种材料在光催化方面的应用还不够完善,尤其是LaNbON2半导体材料,在光催化分解水方面的报道少之又少。本论文成功... 详细信息
来源: 评论