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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

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AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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871 篇 专利
58 篇 期刊文献
18 篇 学位论文
5 篇 会议

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952 篇 电子文献
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日期分布

学科分类号

75 篇 工学
- 58 篇 电子科学与技术（可...
- 57 篇 材料科学与工程（可...
- 10 篇 电气工程
- 3 篇 信息与通信工程
- 2 篇 机械工程
- 2 篇 交通运输工程
- 1 篇 光学工程
- 1 篇 仪器科学与技术
- 1 篇 计算机科学与技术...
- 1 篇 航空宇航科学与技...
- 1 篇 软件工程
5 篇 经济学
- 5 篇 应用经济学
1 篇 理学
- 1 篇 物理学

主题

81 篇 体二极管
19 篇 mosfet
17 篇 反向恢复
8 篇 功率mosfet
6 篇 导通电阻
5 篇 vdmosfet
5 篇 sic mosfet
5 篇 碳化硅
4 篇 集成
4 篇 mosfet器件
3 篇 浪涌能力
3 篇 浪涌电流
3 篇 超结
3 篇 可靠性
3 篇 同步整流
3 篇 快速开关
3 篇 沟道
3 篇 栅极电荷
3 篇 coolmos
3 篇 组件

机构

57 篇 电子科技大学
18 篇 华南理工大学
18 篇 杰华特微电子有限...
16 篇 东南大学
16 篇 苏州东微半导体有...
15 篇 广州金升阳科技有...
14 篇 天狼芯半导体有限...
12 篇 圣邦微电子股份有...
12 篇 惠州市乐亿通科技...
11 篇 成都芯源系统有限...
11 篇 杭州谱析光晶半导...
11 篇 南京航空航天大学
11 篇 浙江大学
10 篇 三菱电机株式会社
10 篇 西安电子科技大学
10 篇 深圳天狼芯半导体...
9 篇 南京第三代半导体...
9 篇 南京第三代半导体...
8 篇 西安交通大学
8 篇 富士电机株式会社

作者

49 篇 张波
20 篇 刘磊
18 篇 袁愿林
16 篇 胡炎申
15 篇 肖文勋
15 篇 许一力
15 篇 周逊伟
15 篇 李泽宏
14 篇 肖胜安
14 篇 刘伟
14 篇 胡建雨
14 篇 龚轶
12 篇 孙伟锋
11 篇 曾大杰
11 篇 时龙兴
11 篇 任敏
10 篇 黄必亮
10 篇 王睿
10 篇 张婷
9 篇 王毅

语言

950 篇 中文
2 篇 英文

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排序：

一种六边低体二极管压降的屏蔽型埋沟井槽SiC VDMOSFET结构

一种六边低体二极管压降的屏蔽型埋沟井槽SiC VDMOSFET结构

引用

作者：许一力 100000 北京市大兴区北京经济技术开发区永昌北路9号1幢4层416-40号(集群注册)

本发明公开一种六边低体二极管压降的屏蔽型埋沟井槽SiC VDMOSFET结构，包括六边形MOS元胞，在六边形MOS元胞引入埋沟井槽，将元胞从长条形改设计成六边形，减小器件中源区面积占比，同时在源区刻蚀埋沟U槽，将欧姆接触及栅源隔离从横... 详细信息

标准号: CN117727789A

本发明公开一种六边低体二极管压降的屏蔽型埋沟井槽SiC VDMOSFET结构，包括六边形MOS元胞，在六边形MOS元胞引入埋沟井槽，将元胞从长条形改设计成六边形，减小器件中源区面积占比，同时在源区刻蚀埋沟U槽，将欧姆接触及栅源隔离从横向改为纵向，大幅度减小器件元胞尺寸，增大器件的电流密度；在JFET区顶部增加源极接触，消除了栅极和漏极的正对部分，极大限度的降低了栅漏电容，并且直接降低SiC MOSFET器件的体二极管压降，使原有结构的体二极管变为现有肖特基二极管的浪涌注入结构，增加体二极管的抗浪涌能力；在JFET区底部增加屏蔽结构，有利于在JFET区底部通过耗尽效应减小器件短路时的电流路径宽度，大幅降低器件的短路饱和电流，进而提升SiC MOSFET的短路能力。

关键词：六边形体二极管减小元胞短路沟井压降源区肖特基二极管二极管饱和电流电流路径短路能力耗尽效应降低器件欧姆接触屏蔽结构器件元胞源极接触栅漏电容长条形抗浪涌屏蔽型增加体刻蚀浪涌漏极栅源正对隔离引入

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用于使体二极管功率损耗最小化的开关转换器的栅极驱动器

用于使体二极管功率损耗最小化的开关转换器的栅极驱动器

引用

作者： A·V·特斯尔甘诺维奇 L·A·内曼 M·A·萨塔尔 V·特兹卡诺维美国加利福尼亚

本公开涉及用于使体二极管功率损耗最小化的开关转换器的栅极驱动器。在具有感性负载的开关转换器中，即使控制晶体管的栅极以保持晶体管关断，电流也可能流经晶体管的体二极管。然后，当开关支路的另一个晶体管接通时，反向恢复电流通... 详细信息

标准号: CN113315403B

本公开涉及用于使体二极管功率损耗最小化的开关转换器的栅极驱动器。在具有感性负载的开关转换器中，即使控制晶体管的栅极以保持晶体管关断，电流也可能流经晶体管的体二极管。然后，当开关支路的另一个晶体管接通时，反向恢复电流通过体二极管反向流动。为了减少与这种电流相关联的开关损耗，栅极驱动器集成电路检测流经体二极管的电流何时上升到阈值电流以上。然后，栅极驱动器集成电路控制晶体管接通。然后，当使开关支路的所述另一个晶体管接通时，栅极驱动器首先关断所述晶体管。当该关断的晶体管的栅极‑源极电压下降到阈值电压以下时，则栅极驱动器集成电路允许并控制所述另一个晶体管接通。

关键词：栅极驱动器晶体管接通体二极管晶体管关断开关转换器开关支路反向恢复电流集成电路检测集成电路控制控制晶体管反向流动感性负载功率损耗开关损耗源极电压阈值电流阈值电压最小化集成电路关联

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用于使体二极管功率损耗最小化的开关转换器的栅极驱动器

用于使体二极管功率损耗最小化的开关转换器的栅极驱动器

引用

作者： A·V·特斯尔甘诺维奇 L·A·内曼 M·A·萨塔尔 V·特兹卡诺维美国加利福尼亚

标准号: CN113315403A

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一种低体二极管正向导通压降的沟槽型碳化硅MOSFET

一种低体二极管正向导通压降的沟槽型碳化硅MOSFET

引用

作者：李昀佶张长沙周海 100000 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园B区1号楼106A、113A、115A、117A、119A、121A

本实用新型提供了一种低体二极管正向导通压降的沟槽型碳化硅MOSFET包括：漂移层设于所述碳化硅衬底上侧面，多晶硅源区设于第二掩蔽层上，且多晶硅源区下部侧壁连接至漂移层；栅极绝缘层为凹字型，栅极绝缘层底部连接至第一掩蔽层，栅... 详细信息

标准号: CN218274611U

本实用新型提供了一种低体二极管正向导通压降的沟槽型碳化硅MOSFET包括：漂移层设于所述碳化硅衬底上侧面，多晶硅源区设于第二掩蔽层上，且多晶硅源区下部侧壁连接至漂移层；栅极绝缘层为凹字型，栅极绝缘层底部连接至第一掩蔽层，栅极绝缘层下部侧壁连接至漂移层；栅极多晶硅层设于栅极绝缘层上；第一夹断区底部连接至漂移层，且第一夹断区侧壁连接至多晶硅源区的一侧壁；第二夹断区底部连接至漂移层，第二夹断区一侧壁连接至多晶硅源区的另一侧壁，第二夹断区的另一侧壁连接至栅极绝缘层的侧壁；源极金属层底部连接多晶硅源区；栅极金属层底部连接栅极多晶硅层；漏极金属层连接至碳化硅衬底的下侧面，降低源极到漏极的体二极管压降。

关键词：栅极绝缘层底部连接多晶硅漂移层夹断源区栅极多晶硅层体二极管下部侧壁碳化硅掩蔽层衬底碳化硅MOSFET 正向导通压降本实用新型漏极金属层源极金属层栅极金属层侧壁连接凹字型沟槽型上侧面下侧面侧壁漏极压降源极

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用于使体二极管功率损耗最小化的开关转换器的栅极驱动器

用于使体二极管功率损耗最小化的开关转换器的栅极驱动器

引用

作者： A·V·特斯尔甘诺维奇 L·A·内曼 M·A·萨塔尔 V·特兹卡诺维美国加利福尼亚

标准号: CN110176871B

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一种碳化硅MOSFET体二极管VF可靠性的测试电路及测试设备

一种碳化硅MOSFET体二极管VF可靠性的测试电路及测试设备

引用

作者：汪剑华徐洋陈欣璐王华 310000 浙江省杭州市萧山区宁围街道悦盛国际中心603室

本实用新型涉及二极管VF测试技术，公开了一种碳化硅MOSFET体二极管VF可靠性的测试电路及测试设备，包括n组相互串联的测试单元，电流源；其测试单元包括碳化硅MOSFET体二极管，分别为Q1、Q2、…Qn；Q1的D端与电流源的负极连接，Q1的S端... 详细信息

标准号: CN218003621U

本实用新型涉及二极管VF测试技术，公开了一种碳化硅MOSFET体二极管VF可靠性的测试电路及测试设备，包括n组相互串联的测试单元，电流源；其测试单元包括碳化硅MOSFET体二极管，分别为Q1、Q2、…Qn；Q1的D端与电流源的负极连接，Q1的S端与Q2的D端连接，Q2的S端与Q3的D端连接，依次，Qn‑1的S端与Qn的D端连接，Qn的S端与电流源的正极连接。通过碳化硅MOSFET体二极管D端与电流源的负极连接；碳化硅MOSFET体二极管S端与电流源的正极连接；隔离电源模块负压加在MOSFET的G端与S端，可以对多颗的碳化硅MOSFET体二极管VF进行测试。

关键词：碳化硅MOSFET 体二极管电流源测试单元负极连接正极连接隔离电源模块本实用新型二极管测试电路测试技术测试设备负压串联测试

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一种基于体二极管的热阻检测方法

一种基于体二极管的热阻检测方法

引用

作者：王迟 315000 浙江省宁波市杭州湾新区滨海四路759号

本发明提供一种基于体二极管的热阻检测方法，属于电子装置检测技术领域，用于检测绝缘栅型场效应管的热阻值，电路使绝缘栅型场效应管工作，包括：将复数个绝缘栅型场效应管并联设置；向每个绝缘栅型场效应管通入反向电流，使反向电流... 详细信息

标准号: CN106707129A

本发明提供一种基于体二极管的热阻检测方法，属于电子装置检测技术领域，用于检测绝缘栅型场效应管的热阻值，电路使绝缘栅型场效应管工作，包括：将复数个绝缘栅型场效应管并联设置；向每个绝缘栅型场效应管通入反向电流，使反向电流分别流经每个绝缘栅型场效应管的寄生二极管；采用热阻检测设备对每个绝缘栅型场效应管的热阻值进行检测；反向电流为从每个绝缘栅型场效应管的源极输入，且从每个绝缘栅型场效应管的漏极输出的电流。本发明的有益效果：通过给功率MOS的寄生二极管通入电流，测试并联各支路MOS管的发热来检测功率MOS管的热阻值以及热阻均一性，提高检测灵敏度，操作更简单，成本更低。

关键词：绝缘栅型场效应管反向电流热阻检测寄生二极管电子装置检测检测灵敏度支路功率MOS管并联设置检测设备体二极管功率MOS 均一性并联复数漏极源极发热电路测试输出

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一种分辨SiC MOSFET在体二极管重复浪涌电流下退化原因的方法

一种分辨SiC MOSFET在体二极管重复浪涌电流下退化原因的方法

引用

作者：王振宇李运甲孙晓华朱郑允郭清刘晔李佳星关桐 710049 陕西省西安市咸宁西路28号

本发明公开了一种分辨SiC MOSFET在体二极管重复浪涌电流下退化原因的方法，通过单次浪涌电流实验确定SiC MOSFET体二极管的单次浪涌电流能力，测量SiC MOSFET的静态特性和动态特性，进行重复浪涌电流试验，比较浪涌电流实验后SiC MOSFE... 详细信息

标准号: CN111693839A

本发明公开了一种分辨SiC MOSFET在体二极管重复浪涌电流下退化原因的方法，通过单次浪涌电流实验确定SiC MOSFET体二极管的单次浪涌电流能力，测量SiC MOSFET的静态特性和动态特性，进行重复浪涌电流试验，比较浪涌电流实验后SiC MOSFET的静态特性、动态特性以及提取的参数的退化，分辨器件的退化原因，确定SiC MOSFET的退化原因中是否包含双极退化，比较体二极管特性以或体二极管压降的变化，确定SiC MOSFET的退化原因中是否包含封装退化，是否包含栅氧退化，比较小电流下的转移特性或阈值电压的变化，实现了退化原因的有效解耦，有利于了解器件的失效机理。

关键词：浪涌电流退化原因体二极管退化动态特性静态特性分辨二极管特性失效机理转移特性阈值电压比较体小电流有效解重复双极压降栅氧封装测量试验

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一种带软恢复体二极管的超结功率MOSFET

一种带软恢复体二极管的超结功率MOSFET

引用

作者：林智袁琦韩姝胡盛东周建林唐枋周喜川 400044 重庆市沙坪坝区沙坪坝正街174号

本发明涉及一种带软恢复体二极管的超结功率MOSFET，属于半导体功率器件技术领域，通过在现有的超结功率MOSFET中设置新的耐压层，改变衬底区的结构，或增加缓冲区以及辅助区，有效地提高寄生体二极管反向恢复电流的软度，改善反向恢复... 详细信息

标准号: CN108231903A

本发明涉及一种带软恢复体二极管的超结功率MOSFET，属于半导体功率器件技术领域，通过在现有的超结功率MOSFET中设置新的耐压层，改变衬底区的结构，或增加缓冲区以及辅助区，有效地提高寄生体二极管反向恢复电流的软度，改善反向恢复特性，同时不增加器件的比导通电阻。反向恢复电流软度的提高使得器件在开关过程中不易产生振荡，抑制了电磁干扰信号，器件工作更加安全可靠。因此，本发明超结功率MOSFET器件特别适用于逆变器硬开关电路。

关键词：超结反向恢复电流功率MOSFET 软度半导体功率器件功率MOSFET器件电磁干扰信号反向恢复特性寄生体二极管比导通电阻缓冲区产生振荡开关电路开关过程体二极管衬底区辅助区耐压层逆变器有效地恢复

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一种加速SiC MOSFET体二极管双极退化的功率循环方法

一种加速SiC MOSFET体二极管双极退化的功率循环方法

引用

作者：王振宇李运甲孙晓华朱郑允郭清刘晔 710049 陕西省西安市咸宁西路28号

本发明公开了一种加速SiC MOSFET体二极管双极退化的功率循环方法，首先确定合适大小的重复浪涌电流，并进行常温下和高温下功率循环的温度评估。再对SiC MOSFET分立器件一的体二极管进行常温下重复浪涌电流功率循环试验，对同型号的SiC... 详细信息

标准号: CN110907791A

本发明公开了一种加速SiC MOSFET体二极管双极退化的功率循环方法，首先确定合适大小的重复浪涌电流，并进行常温下和高温下功率循环的温度评估。再对SiC MOSFET分立器件一的体二极管进行常温下重复浪涌电流功率循环试验，对同型号的SiC MOSFET分立器件二的体二极管进行高温下重复浪涌电流功率循环试验，当SiC MOSFET分立器件一与器件二的体二极管老化到一定程度时，测量SiC MOSFET分立器件一、器件二的体二极管的静态特性(正向IV特性)以及动态特性(反向恢复电流波形)的退化，高温下重复浪涌电流功率循环克服了直流电流应力功率循环的局限性，控制简单，可靠性强，功率循环期间无持续的热量积累，对封装的特性无影响，可在高温环境中进行，提高了老化效率，加速了双极退化。

关键词：功率循环体二极管分立器件浪涌电流重复常温下退化双极反向恢复电流动态特性高温环境静态特性老化效率热量积累温度评估直流电流试验正向封装测量老化

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