检索结果-内蒙古大学图书馆

作者：林智袁琦韩姝胡盛东周建林唐枋周喜川 400044 重庆市沙坪坝区沙坪坝正街174号

本发明涉及一种带软恢复体二极管的超结功率MOSFET，属于半导体功率器件技术领域，通过在现有的超结功率MOSFET中设置新的耐压层，改变衬底区的结构，或增加缓冲区以及辅助区，有效地提高寄生体二极管反向恢复电流的软度，改善反向恢复... 详细信息

标准号: CN108231903B

本发明涉及一种带软恢复体二极管的超结功率MOSFET，属于半导体功率器件技术领域，通过在现有的超结功率MOSFET中设置新的耐压层，改变衬底区的结构，或增加缓冲区以及辅助区，有效地提高寄生体二极管反向恢复电流的软度，改善反向恢复特性，同时不增加器件的比导通电阻。反向恢复电流软度的提高使得器件在开关过程中不易产生振荡，抑制了电磁干扰信号，器件工作更加安全可靠。因此，本发明超结功率MOSFET器件特别适用于逆变器硬开关电路。

关键词：超结反向恢复电流功率MOSFET 软度半导体功率器件功率MOSFET器件电磁干扰信号反向恢复特性寄生体二极管比导通电阻缓冲区产生振荡开关电路开关过程体二极管衬底区辅助区耐压层逆变器有效地恢复

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一种优化体二极管反向恢复特性的方法及装置

一种优化体二极管反向恢复特性的方法及装置

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作者：不公告发明人 215163 江苏省苏州市高新区培源路2号微系统园M1-204

本发明公开了一种优化体二极管的反向恢复特性的方法及装置，其在COOLMOS器件进行处理，其中漏极区形成于COOLMOS器件底部，n重掺杂区掺杂浓度高于n掺杂衬底区的掺杂浓度。本发明通过在器件减薄之后在器件背面形成部分区域的n型重掺杂... 详细信息

标准号: CN107359125A

本发明公开了一种优化体二极管的反向恢复特性的方法及装置，其在COOLMOS器件进行处理，其中漏极区形成于COOLMOS器件底部，n重掺杂区掺杂浓度高于n掺杂衬底区的掺杂浓度。本发明通过在器件减薄之后在器件背面形成部分区域的n型重掺杂，可以形成局域的缓冲层结构，提高了体二极管反向恢复的软度，降低了反向电压变换率(dv/dt)，从而优化了体二极管的反向恢复特性。

关键词：体二极管反向恢复特性掺杂缓冲层结构反向电压反向恢复重掺杂区变换率衬底区漏极区减薄软度优化背面

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用于使体二极管功率损耗最小化的开关转换器的栅极驱动器

用于使体二极管功率损耗最小化的开关转换器的栅极驱动器

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作者： A·V·特斯尔甘诺维奇 L·A·内曼 M·A·萨塔尔 V·特兹卡诺维美国加利福尼亚

本公开涉及用于使体二极管功率损耗最小化的开关转换器的栅极驱动器。在具有感性负载的开关转换器中，即使控制晶体管的栅极以保持晶体管关断，电流也可能流经晶体管的体二极管。然后，当开关支路的另一个晶体管接通时，反向恢复电流通... 详细信息

标准号: CN110176871A

本公开涉及用于使体二极管功率损耗最小化的开关转换器的栅极驱动器。在具有感性负载的开关转换器中，即使控制晶体管的栅极以保持晶体管关断，电流也可能流经晶体管的体二极管。然后，当开关支路的另一个晶体管接通时，反向恢复电流通过体二极管反向流动。为了减少与这种电流相关联的开关损耗，栅极驱动器集成电路检测流经体二极管的电流何时上升到阈值电流以上。然后，栅极驱动器集成电路控制晶体管接通。然后，当使开关支路的所述另一个晶体管接通时，栅极驱动器首先关断所述晶体管。当该关断的晶体管的栅极‑源极电压下降到阈值电压以下时，则栅极驱动器集成电路允许并控制所述另一个晶体管接通。

关键词：栅极驱动器晶体管接通体二极管晶体管关断开关转换器开关支路反向恢复电流集成电路检测集成电路控制控制晶体管反向流动感性负载功率损耗开关损耗源极电压阈值电流阈值电压最小化集成电路关联

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最小化同步转换器中的体二极管传导

最小化同步转换器中的体二极管传导

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作者：权东远约书亚·威廉·考德威尔美国马萨诸塞州

同步转换器包括电源、电感器、输出端子和控制电路。控制电路可包括：电子激励开关，当激活时将能量从电源递送到导体；电子去激励开关，当激活时从所述电感器向所述输出端子递送能量，所述电子去激励开关包括体二极管；和电子下拉开关... 详细信息

标准号: CN109936288A

同步转换器包括电源、电感器、输出端子和控制电路。控制电路可包括：电子激励开关，当激活时将能量从电源递送到导体；电子去激励开关，当激活时从所述电感器向所述输出端子递送能量，所述电子去激励开关包括体二极管；和电子下拉开关，当激活时关闭所述电子去激励开关，重新定向流经所述电子去激励开关的体二极管的电流，并从所述电子去激励开关的体二极管中除去电荷。电子激励开关和电子去激励开关永远不可同时激活。

关键词：去激励体二极管激活电子激励控制电路输出端子电感器电源同步转换器重新定向导体电荷递送下拉

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一种分辨SiC MOSFET在体二极管重复浪涌电流下退化原因的方法

一种分辨SiC MOSFET在体二极管重复浪涌电流下退化原因的方法

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作者：王振宇李运甲孙晓华朱郑允郭清刘晔李佳星关桐 710049 陕西省西安市咸宁西路28号

本发明公开了一种分辨SiC MOSFET在体二极管重复浪涌电流下退化原因的方法，通过单次浪涌电流实验确定SiC MOSFET体二极管的单次浪涌电流能力，测量SiC MOSFET的静态特性和动态特性，进行重复浪涌电流试验，比较浪涌电流实验后SiC MOSFE... 详细信息

标准号: CN111693839B

本发明公开了一种分辨SiC MOSFET在体二极管重复浪涌电流下退化原因的方法，通过单次浪涌电流实验确定SiC MOSFET体二极管的单次浪涌电流能力，测量SiC MOSFET的静态特性和动态特性，进行重复浪涌电流试验，比较浪涌电流实验后SiC MOSFET的静态特性、动态特性以及提取的参数的退化，分辨器件的退化原因，确定SiC MOSFET的退化原因中是否包含双极退化，比较体二极管特性以或体二极管压降的变化，确定SiC MOSFET的退化原因中是否包含封装退化，是否包含栅氧退化，比较小电流下的转移特性或阈值电压的变化，实现了退化原因的有效解耦，有利于了解器件的失效机理。

关键词：浪涌电流退化原因体二极管退化动态特性静态特性分辨二极管特性失效机理转移特性阈值电压比较体小电流有效解重复双极压降栅氧封装测量试验

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飞兆针对AC-DC电源应用提供高可靠性体二极管性能

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中国集成电路 2013年第1期22卷 8-8页

服务器、电信、计算等高端的AC—DC开关模式电源应用以及工业电源应用需要较高的功率密度，因此要获得成功，设计人员需要采用占据更小电路板空间并能提高稳定性的高性价比解决方案。

关键词： DC电源体二极管高可靠性应用性能开关模式电源功率密度工业电源

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最小化同步转换器中的体二极管传导

最小化同步转换器中的体二极管传导

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作者：权东远约书亚·威廉·考德威尔美国马萨诸塞州

标准号: CN109936288B

关键词：去激励体二极管激活电子激励控制电路输出端子电感器电源同步转换器重新定向导体电荷递送下拉

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600V EF系列快速体二极管MOSFET

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传感器世界 2021年第1期27卷 42-42页

Vishay推出第四代600V EF系列快速体二极管MOSFET器件——SiHH070N60EF。Vishay Siliconix n系列SiHH070N60EF导通电阻比其前代器件低29%,为通信、工业、计算和企业级电源应用提供高效解决方案,同时栅极电荷下降60%,从而使器件导通电阻... 详细信息

Vishay推出第四代600V EF系列快速体二极管MOSFET器件——SiHH070N60EF。Vishay Siliconix n系列SiHH070N60EF导通电阻比其前代器件低29%,为通信、工业、计算和企业级电源应用提供高效解决方案,同时栅极电荷下降60%,从而使器件导通电阻与栅极电荷乘积,即功率转换应用中600V MOSFET的重要优值系数(FOM)创业界新低。

关键词：导通电阻栅极电荷 MOSFET器件功率转换优值系数体二极管 SiH 企业级

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650V快速体二极管MOSFET

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今日电子 2016年第6期 67-67页

650VEF系列快速体二极管MOSFET器件——SiHx21N65EF、SiHx28N65EF和SiHG33N65EF采用E系列超级结技术制造，反向恢复电荷比传统MOSFET低10倍。这样器件就能更快地阻断电压，有助于避免共通和热过应力造成的失效，在零电压切换（ZVS）／... 详细信息

650VEF系列快速体二极管MOSFET器件——SiHx21N65EF、SiHx28N65EF和SiHG33N65EF采用E系列超级结技术制造，反向恢复电荷比传统MOSFET低10倍。这样器件就能更快地阻断电压，有助于避免共通和热过应力造成的失效，在零电压切换（ZVS）／软开关拓扑中提高可靠性，

关键词： MOSFET器件体二极管零电压切换反向恢复阻断电压高可靠性过应力软开关

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用于软开关拓扑的双片600V快速体二极管N沟道MOSFET

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今日电子 2015年第1期 67-67页

SiHx28N60EF和NSiHx33N60EF是两款600VEF系列快速体二极管N沟道功率MOSFET，具有低向恢复电荷和导通电阻，能够在工业、电信、计算和可再生能源应用中提高可靠性，节约能源。

关键词： N沟道MOSFET 体二极管软开关功率MOSFET 拓扑可再生能源导通电阻高可靠性

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