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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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作者

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一种基于图信号模型的居民用电行为非侵入式监测方法及装置

一种基于图信号模型的居民用电行为非侵入式监测方法及装置

引用

作者：刘钰张宸詹昕刘恒门李培培张炜夏佾龚正秦立瑛周昊程李夫宝张永泽 225009 江苏省扬州市维扬路179号

一种基于图信号模型的居民用电行为非侵入式监测方法及装置。属于电力监测技术领域。包括以下步骤：S1、数据采集，采集居民用电数据信息；S2、数据预处理，对居民用电数据信息进行预处理，提取电器运行不同档位功率信息；S3、图信号处... 详细信息

标准号: CN115765176A

一种基于图信号模型的居民用电行为非侵入式监测方法及装置。属于电力监测技术领域。包括以下步骤：S1、数据采集，采集居民用电数据信息；S2、数据预处理，对居民用电数据信息进行预处理，提取电器运行不同档位功率信息；S3、图信号处理，针对居民用电数据，采集各类用电数据，进行图信号处理；S4、负荷分解，得到的各个类簇，如果正类簇的数目不等于负类簇的数目，将类簇数目多的部分合并，合并时按照各类簇均值差值最小的两个类簇进行合并，直到正类簇数目和负类簇数目相等；本发明降低了监测设备的经济成本，易于安装维护，为电力公司和用户提供一种实时、经济、有效的监测手段,也提高了该系统在对居民用电行进行监测时的准确性。

关键词：类簇居民用电数据居民用电信号处理合并非侵入式监测预处理采集数据预处理安装维护电力监测负荷分解功率信息监测设备监测手段经济成本数据采集信号模型用电数据用户提供档位相等电器监测

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一种混合波前信号模型构建方法及信道估计方法

一种混合波前信号模型构建方法及信道估计方法

引用

作者：施佳霖洪学敏彭敖石江宏杨琦 361000 福建省厦门市思明区思明南路422号

本发明涉及一种用于5G信号的混合波前信号模型构建方法及基于该混合波前信号模型被动测量的信道估计方法，在5G接收信号模型中，根据接收端天线到上一跳散射点距离与瑞利距离dRayleigh的大小对比情况采用不同的波前信号模型来拟合5G信... 详细信息

标准号: CN115913303A

本发明涉及一种用于5G信号的混合波前信号模型构建方法及基于该混合波前信号模型被动测量的信道估计方法，在5G接收信号模型中，根据接收端天线到上一跳散射点距离与瑞利距离d_Rayleigh的大小对比情况采用不同的波前信号模型来拟合5G信号在空间中的传播情况。使用所述的混合波前信号模型对接收端的信号状态信息(CSI)进行空间交替广义期望最大化算法(SAGE)迭代更新直至信道特征参数收敛，实现信道参数估计。本发明混合使用平面波前模型与球面波前模型进行估计，能更好地适应5G环境下的室内环境，提升了室内环境下的信道建模的准确性，能更好地描述室内环境中电磁波的传播。

关键词：信号模型室内环境混合波期望最大化算法信道参数估计信道特征参数信号状态信息被动测量迭代更新信道估计信道建模电磁波接收端平面波球面波散射点构建拟合瑞利传播收敛天线

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锗硅异质结晶体管的大信号模型方法

锗硅异质结晶体管的大信号模型方法

引用

作者：黄景丰 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

本发明公开了一种锗硅异质结晶体管的大信号模型方法，包括步骤：建立Gummel‑Poon模型；建立由Gummel‑Poon模型外加第二基极、集电极、发射极电阻，第二基集、基射电容组成的大信号模型；对晶体管的各电极的寄生电阻进行测试，得到的第... 详细信息

标准号: CN104715084B

本发明公开了一种锗硅异质结晶体管的大信号模型方法，包括步骤：建立Gummel‑Poon模型；建立由Gummel‑Poon模型外加第二基极、集电极、发射极电阻，第二基集、基射电容组成的大信号模型；对晶体管的各电极的寄生电阻进行测试，得到的第三基极、集电极、发射极电阻分别为对应的第一和二基极、集电极、发射极电阻的和；对晶体管进行S参数测试并计算出第三基集、基射电容，第三基集、基射电容分别为对应的第一和二基集、基射电容的和；分别对大信号模型进行仿真和对晶体管进行大信号测试并进行大信号模型的参数拟合。本发明能提高模型的仿真精度。

关键词：信号模型发射极电阻集电极晶体管锗硅异质结晶体管测试参数拟合寄生电阻信号测试电极

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InP HBT小信号模型的参数提取方法

InP HBT小信号模型的参数提取方法

引用

作者：吕红亮周威张金灿张玉明张义门刘一峰 710071 陕西省西安市太白南路2号

本发明公开了一种InP HBT小信号模型的参数提取方法，主要解决现有技术的提取过程繁杂、提取结果不够精确的问题。其技术方案是，采用开路焊点结构和短路焊点结构，对等效电路分析，进行寄生参数的提取；采用集电极开路状态，对等效电... 详细信息

标准号: CN103077290A

本发明公开了一种InP HBT小信号模型的参数提取方法，主要解决现有技术的提取过程繁杂、提取结果不够精确的问题。其技术方案是，采用开路焊点结构和短路焊点结构，对等效电路分析，进行寄生参数的提取；采用集电极开路状态，对等效电路分析，进行外部电阻参数的提取；运用电路网络理论，分析InP HBT器件本征部分的散射参数S、阻抗参数Z、导纳参数Y；采用层层剥离的方法，为每一个本征模型参数确定一个固定的表达式，进行提取本征参数。本发明具有提取参数精确、快速且直观的优点。仿真结果表明，本发明提取的小信号模型结果与实际器件测试结果的散射参数S能很好的拟合，可用于指导电路设计以及确定大信号模型外围电路。

关键词：等效电路分析焊点结构散射参数小信号开路表达式参数提取方法导纳电路设计电路网络仿真结果寄生参数模型参数模型结果器件测试外部电阻信号模型阻抗参数短路集电极拟合电路剥离外围固定分析

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一种GaN-HEMT器件大信号模型的建模方法

一种GaN-HEMT器件大信号模型的建模方法

引用

作者：程奎罗卫军张荣华韦春夏志颖闫伟来龙坤蒋鑫陈晓娟 100029 北京市朝阳区北土城西路3号中国科学院微电子研究所

本发明所提供的GaN‑HEMT器件大信号模型的建模方法，包括：对GaN‑HEMT器件进行高低温环境下的脉冲电流‑电压测试，获得不同温度下的电流‑电压数据；采用改进后的漏极电流公式搭建GaN‑HEMT器件的漏电模型，改进后的漏极电流公式包含与环... 详细信息

标准号: CN112906226A

本发明所提供的GaN‑HEMT器件大信号模型的建模方法，包括：对GaN‑HEMT器件进行高低温环境下的脉冲电流‑电压测试，获得不同温度下的电流‑电压数据；采用改进后的漏极电流公式搭建GaN‑HEMT器件的漏电模型，改进后的漏极电流公式包含与环境温度相关的参数；将不同温度下的电流‑电压数据与漏电模型进行拟合，确定漏电模型的参数。由于改进后的漏极电流公式包含与环境温度相关的参数，因此，可以建立与包含环境温度相关的参数的大信号模型，从而可以获得在高低温环境下准确预测GaN‑HEMT器件性能的大信号模型，进而提高了GaN‑HEMT器件仿真模型的准确性。

关键词：漏电漏极电流温度相关信号模型高低温环境电压数据改进电压测试仿真模型脉冲电流建模拟合预测

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基于有源补偿子电路的GaN HEMT大信号模型改进方法

基于有源补偿子电路的GaN HEMT大信号模型改进方法

引用

作者：马晓华郑佳欣卢阳张恒爽 710071 陕西省西安市太白南路2号

本发明公开了一种基于有源补偿子电路的GaN HEMT大信号模型改进方法，主要解决现有GaN HEMT大信号模型无法精确拟合Kink效应和自热效应区域的问题。其技术方案是：1.测量所用器件，通过数据拟合得到高电子迁移率晶体管大信号模型EEHEMT... 详细信息

标准号: CN105426570B

本发明公开了一种基于有源补偿子电路的GaN HEMT大信号模型改进方法，主要解决现有GaN HEMT大信号模型无法精确拟合Kink效应和自热效应区域的问题。其技术方案是：1.测量所用器件，通过数据拟合得到高电子迁移率晶体管大信号模型EEHEMT1的参数；2.构建含所用器件直流I‑V曲线数据的电流源，并将电流源与EEHEMT1并联，再构建有源补偿子电路；3.在有源补偿子电路的基础上构建源极电位可调的有源补偿子电路，再与EEHEMT1并联，完成GaN HEMT大信号模型的改进。本发明能精确拟合出Kink效应和自热效应区域，可精确预测器件静态工作点和电路的效率，可用于对GaN HEMT的电路设计。

关键词：信号模型子电路构建自热效应电流源并联拟合高电子迁移率晶体管静态工作点电路设计曲线数据数据拟合预测器件源极电位可调的可用电路改进测量

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一种GaN HEMT器件多物理场耦合大信号模型建立方法

一种GaN HEMT器件多物理场耦合大信号模型建立方法

引用

作者：陈勇波 610029 四川省成都市双流区中国(四川)自由贸易试验区成都市双流区西南航空港经济开发区物联大道88号

本发明公开了一种GaN HEMT器件多物理场耦合大信号模型建立方法，包括以下步骤：S1：分别建立器件热参数、电参数和应力参数与器件物理参数的映射关系；S2：基于物理基大信号模型建模理论，推导大信号模型内核的解析表达式；S3：分别将... 详细信息

标准号: CN108416167B

本发明公开了一种GaN HEMT器件多物理场耦合大信号模型建立方法，包括以下步骤：S1：分别建立器件热参数、电参数和应力参数与器件物理参数的映射关系；S2：基于物理基大信号模型建模理论，推导大信号模型内核的解析表达式；S3：分别将热‑电耦合、热‑力耦合和力‑电耦合量化嵌入大信号模型内核中，得到修正后的大信号模型内核；S4：将修正后的大信号模型内核带入模型等效电路拓扑中，构成完整的电‑热‑力多物理场耦合大信号模型。本发明引入了GaN外延层中应力的影响，从而完整描述器件的电‑热‑力多物理场耦合效应，提升GaN HEMT器件模型精度，并且模型可用于指导新型器件设计和工艺改进。

关键词：信号模型内核多物理场耦合电耦合修正解析表达式设计和工艺等效电路器件物理完整描述新型器件应力参数映射关系耦合效应电参数力耦合热参数物理基推导建模可用拓扑嵌入量化引入改进

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基于图上信号模型的深度图采样与重构方法

基于图上信号模型的深度图采样与重构方法

引用

作者：杨敬钰许文强李坤 300072 天津市南开区卫津路92号

本发明涉及重构深度图的获取技术，为提出重构深度图的获取方法，实现深度图采样与重构，本发明采取的技术方案是：基于图上信号模型的深度图采样与重构方法，在采样端，基于图上信号的分析通过建立图结构，得到GNS(graph‑based non‑uni... 详细信息

标准号: CN111724428A

本发明涉及重构深度图的获取技术，为提出重构深度图的获取方法，实现深度图采样与重构，本发明采取的技术方案是：基于图上信号模型的深度图采样与重构方法，在采样端，基于图上信号的分析通过建立图结构，得到GNS(graph‑based non‑uniform sampling)采样模型以此捕捉得到深度信号特征；在重构端，利用深度‑彩色之间的结构相关性，建立重构模型GDR(graph‑based depth reconstruction)，并以所述重构模型GDR恢复采样过程中建立的图结构，通过构造合理的约束项，最终获得高质量重构深度图。本发明主要应用于重构深度图的获取场合。

关键词：重构重构深度图深度图图结构采样采样过程采样模型深度信号信号模型采样端约束项捕捉应用恢复分析

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一种GaN HEMT器件多物理场耦合大信号模型建立方法

一种GaN HEMT器件多物理场耦合大信号模型建立方法

引用

作者：陈勇波 610029 四川省成都市双流区中国(四川)自由贸易试验区成都市双流区西南航空港经济开发区物联大道88号

标准号: CN108416167A

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基于恒包络chirp信号模型的标量脱靶量快速测量方法

基于恒包络chirp信号模型的标量脱靶量快速测量方法

引用

作者：邓兵董云龙张韫苏峰 264001 山东省烟台市二马路188号

本发明涉及雷达领域，具体涉及一种基于无线电技术的靶标坐标系标量脱靶量快速测量方法。包括如下步骤：(1)根据系统要求，确定信号分段时长、步进拟合时长和总拟合时长；(2)发射单频信号，采样接收目标回波，并作预滤波；(3)按照恒包络... 详细信息

标准号: CN101957158A

本发明涉及雷达领域，具体涉及一种基于无线电技术的靶标坐标系标量脱靶量快速测量方法。包括如下步骤：(1)根据系统要求，确定信号分段时长、步进拟合时长和总拟合时长；(2)发射单频信号，采样接收目标回波，并作预滤波；(3)按照恒包络chirp信号模型，利用分数阶Fourier变换来分段估计回波信号的多普勒频率，并步进拟合出足够时长的多普勒频率变化曲线；(4)根据匀速直线运动模型对得到的多普勒频率变化曲线作最小二乘拟合，估计出标量脱靶量参数。本发明在满足精度要求下缩短了测量耗时，可用于实时测量系统。此外，由于分段时间的延长，改善了积累效果，使得本发明具备较强的鲁棒性，在低信噪比下仍具有较好性能。

关键词：多普勒频率分段脱靶量标量步进快速测量方法实时测量系统最小二乘拟合无线电技术单频信号雷达领域目标回波信号模型分数阶信噪比预滤波采样靶标包络回波鲁棒拟合变换发射积累

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