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文字说明：

T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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文献类型

40 篇 专利
1 篇 期刊文献
1 篇 会议

馆藏范围

42 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

学科分类号

2 篇 工学
- 1 篇 机械工程
- 1 篇 材料科学与工程（可...
- 1 篇 电子科学与技术（可...
- 1 篇 交通运输工程

主题

2 篇 倒装芯片结构
1 篇 发光二极管
1 篇 m
1 篇 汽车设备
1 篇 共平面波导(cpw)
1 篇 焊凸
1 篇 光接收模块
1 篇 蓝宝石衬底
1 篇 图形优化
1 篇 u连接器
1 篇 封装

机构

3 篇 矽磐微电子有限公...
3 篇 南京阿吉必信息科...
3 篇 深圳市威尔晟光电...
2 篇 厦门乾照光电股份...
2 篇 三星电子株式会社
2 篇 乐金显示有限公司
2 篇 珠海市一芯半导体...
2 篇 江西省兆驰光电有...
1 篇 幂光新材料科技有...
1 篇 合肥奕斯伟封测技...
1 篇 深圳市中顺半导体...
1 篇 至芯半导体有限公...
1 篇 讯芯电子科技有限...
1 篇 颀中科技有限公司
1 篇 福建兆元光电有限...
1 篇 海迪科光电科技有...
1 篇 晶科电子有限公司
1 篇 深圳卓领科技股份...
1 篇 中国电子科技集团...
1 篇 深圳市灿升实业发...

作者

3 篇 周辉星
3 篇 汤勇
2 篇 李璟
2 篇 金基圣
2 篇 陈帅城
2 篇 金东浩
2 篇 李镇勇
2 篇 林锋杰
2 篇 肖国伟
2 篇 吴金明
2 篇 杨勇志
2 篇 金炅俊
2 篇 胡华东
2 篇 苏丽娣
2 篇 卢鹏
2 篇 万垂铭
2 篇 吴懿平
2 篇 崔繁在
2 篇 王金鑫
2 篇 高建宇

语言

42 篇 中文

检索条件"主题词=倒装芯片结构"

共 42 条记录，以下是1-10 订阅

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详细简洁

排序：

倒装芯片结构及其制备方法

倒装芯片结构及其制备方法

引用

作者：陈浩 215000 江苏省苏州市工业园区凤里街166号

本发明提供了一种倒装芯片结构及其制备方法。所述倒装芯片结构包括基板、设置在基板上的金属衬垫及与所述金属衬垫相接触的金属种子层，所述倒装芯片结构还包括设置在所述金属种子层上的凸块，所述凸块沿背离所述金属种子层的方向呈逐... 详细信息

标准号: CN112687647A

本发明提供了一种倒装芯片结构及其制备方法。所述倒装芯片结构包括基板、设置在基板上的金属衬垫及与所述金属衬垫相接触的金属种子层，所述倒装芯片结构还包括设置在所述金属种子层上的凸块，所述凸块沿背离所述金属种子层的方向呈逐渐增大设置。与现有技术相比，本发明利用光阻层的倾斜内侧面，使得在其内侧制备出的凸块也具有相应的倾斜状的侧壁面，凸块的倾斜侧壁面和光阻层的倾斜内侧面，两者之间可以形成较好的结合力，尤其在电镀前清洗及镀液的冲压作用下，可形成密封的相向的力，避免了镀液沿着凸块的侧壁面下渗而造成渗镀异常。

关键词：凸块倒装芯片结构金属种子层金属衬垫侧壁面光阻层镀液基板制备倾斜侧壁逐渐增大侧面结合力倾斜状冲压电镀渗镀下渗相向密封清洗背离

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倒装芯片结构

倒装芯片结构

引用

作者：王思博廖汉忠芦玲 223001 江苏省淮安市清河新区景秀路6号

本实用新型涉及发光二极管领域，公开了一种倒装芯片结构，包括从下至上依次设置的衬底、外延层、第一电极层、第一绝缘层和第二电极层；第一电极层包括若干第一P型和第二N型电极；第二电极层包括若干第二P型和第二N型电极；第一与第二... 详细信息

标准号: CN216450670U

本实用新型涉及发光二极管领域，公开了一种倒装芯片结构，包括从下至上依次设置的衬底、外延层、第一电极层、第一绝缘层和第二电极层；第一电极层包括若干第一P型和第二N型电极；第二电极层包括若干第二P型和第二N型电极；第一与第二P型电极电性连接，第一与第二N型电极电性连接；在第一电极层中，具有若干由一个第一N型电极和四至六个第一P型电极构成的正六边形单元，第一N型电极位于正六边形单元的中心，各第一P型电极以第一N型电极为中心圆周分布。本申请通过对产品第一P型和N型电极分布的调整，使电流扩展更均匀，发光分布区域更均匀，发光分布面积变大，提高亮度，降低电压，达到较高的产品光效能力。

关键词：第一电极第二电极电性连接正六边形发光绝缘层倒装芯片结构本实用新型发光二极管电流扩展分布区域降低电压依次设置中心圆周外延层衬底光效申请

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焊球、倒装芯片结构、堆叠式封装结构及其制作方法

焊球、倒装芯片结构、堆叠式封装结构及其制作方法

引用

作者：周辉星 401331 重庆市沙坪坝区西永大道25号C栋

本发明提供了一种焊球、倒装芯片结构、堆叠式封装结构及其制作方法，焊球包括：支撑核以及包覆支撑核的焊料壳，支撑核的材料为聚合物材料。聚合物材料具有机械性能好，质轻，价格便宜的优势，将聚合物材料作为焊球结构的内核能够在层... 详细信息

标准号: CN115483178A

本发明提供了一种焊球、倒装芯片结构、堆叠式封装结构及其制作方法，焊球包括：支撑核以及包覆支撑核的焊料壳，支撑核的材料为聚合物材料。聚合物材料具有机械性能好，质轻，价格便宜的优势，将聚合物材料作为焊球结构的内核能够在层叠结构中在垂直方向上提供稳定支撑，并且可以使层叠结构的重量较小。焊料壳实现导电作用，并且在回流过程中熔融浸润相互连接的元件，可实现元件之间的连接。

关键词：聚合物材料焊球焊料层叠结构机械性能支撑堆叠式封装结构倒装芯片结构导电作用稳定支撑包覆内核熔融质轻浸润制作

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一种倒装芯片结构、半导体器件及制备方法

一种倒装芯片结构、半导体器件及制备方法

引用

作者：罗志颖 511300 广东省广州市增城区宁西街创优路333号

本发明提供了一种倒装芯片结构、半导体器件及制备方法，包括基板、芯片主体、MIM电容器、封装层、金属凸块以及绝缘填充胶；所述封装层设置有若干通孔贯穿所述封装层，通过至少若干所述通孔露出所述芯片主体的金属垫，所述金属凸块设... 详细信息

标准号: CN118073332A

本发明提供了一种倒装芯片结构、半导体器件及制备方法，包括基板、芯片主体、MIM电容器、封装层、金属凸块以及绝缘填充胶；所述封装层设置有若干通孔贯穿所述封装层，通过至少若干所述通孔露出所述芯片主体的金属垫，所述金属凸块设置于所述通孔内并电性连接至所述基板，所述基板与所述金属凸块之间填充所述绝缘填充胶；所述MIM电容器设置于所述封装层与所述绝缘填充胶之间，并位于至少两个所述金属凸块之间；本发明通过将MIM电容器设置在封装层中，并位于至少两个所述金属凸块之间，从而充分利用了封装层中金属凸块和金属凸块之间的空间，能在节省芯片主体的金属布线资源的同时扩大MIM电容器的使用面积，增加MIM电容器的容值。

关键词：金属凸块封装层芯片主体填充胶基板通孔绝缘倒装芯片结构半导体器件电性连接金属布线金属垫填充制备贯穿

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一种红光LED倒装芯片结构的制备方法

一种红光LED倒装芯片结构的制备方法

引用

作者：王国宏李璟郭德博 210000 江苏省南京市雨花台区西春路1号创智大厦南楼一楼-022

本发明涉及半导体器件制备技术领域，具体涉及一种红光LED倒装芯片结构的制备方法；根据红光LED倒装芯片制备中的AFM图像中像素点的高度特征、制备DBR反射镜工艺中的镜面图像的亮度分布特征度分布特征获得结构描述子。根据红光LED倒装... 详细信息

标准号: CN117352415A

本发明涉及半导体器件制备技术领域，具体涉及一种红光LED倒装芯片结构的制备方法；根据红光LED倒装芯片制备中的AFM图像中像素点的高度特征、制备DBR反射镜工艺中的镜面图像的亮度分布特征度分布特征获得结构描述子。根据红光LED倒装芯片的电压电流变化特征和红光波段的光谱功率特征获得质量描述子。根据结构描述子和质量描述子获得不同的工艺表征向量，根据工艺表征向量的差异特征获得工艺差异向量和对应的级别标签。本发明根据不同制备批次的级别标签的变化情况进行预测，能够在后续批次未制备的情况下提前预测红光LED倒装芯片的制备效果，提前进行制备参数调节，进而提高了制备的良品率和可靠性。

关键词：制备红光LED 倒装芯片向量工艺表征结构描述特征获得描述子标签半导体器件制备倒装芯片结构亮度分布特征变化特征参数调节差异特征电压电流高度特征工艺差异光谱功率镜面图像度分布良品率像素点波段预测红光图像

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焊球、倒装芯片结构、堆叠式封装结构及其制作方法

焊球、倒装芯片结构、堆叠式封装结构及其制作方法

引用

作者：周辉星 401331 重庆市沙坪坝区西永大道25号C栋

本发明提供了一种焊球、倒装芯片结构、堆叠式封装结构及其制作方法，焊球的材料为导电聚合物材料。导电聚合物材料一方面具有机械性能好，质轻的优势，能够在层叠结构中在垂直方向上提供稳定支撑，并且可以使层叠结构的重量较小；另一... 详细信息

标准号: CN115483179A

本发明提供了一种焊球、倒装芯片结构、堆叠式封装结构及其制作方法，焊球的材料为导电聚合物材料。导电聚合物材料一方面具有机械性能好，质轻的优势，能够在层叠结构中在垂直方向上提供稳定支撑，并且可以使层叠结构的重量较小；另一方面，可加工性能好，具有导电的特性，能够实现电子元件之间的物理连接和电连接。

关键词：导电聚合物材料层叠结构焊球机械性能堆叠式封装结构倒装芯片结构可加工性能稳定支撑物理连接电连接导电质轻制作

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焊球、倒装芯片结构、堆叠式封装结构及其制作方法

焊球、倒装芯片结构、堆叠式封装结构及其制作方法

引用

作者：周辉星 401331 重庆市沙坪坝区西永大道25号C栋

本发明提供了一种焊球、倒装芯片结构、堆叠式封装结构及其制作方法，焊球包括：支撑核、包覆支撑核的导电支撑壳以及分别连接于导电支撑壳的相对两侧的第一焊料垫与第二焊料垫，支撑核的材料为聚合物材料。聚合物材料具有机械性能好，... 详细信息

标准号: CN115483180A

本发明提供了一种焊球、倒装芯片结构、堆叠式封装结构及其制作方法，焊球包括：支撑核、包覆支撑核的导电支撑壳以及分别连接于导电支撑壳的相对两侧的第一焊料垫与第二焊料垫，支撑核的材料为聚合物材料。聚合物材料具有机械性能好，质轻，价格便宜的优势，将聚合物材料作为焊球结构的内核能够在层叠结构中在垂直方向上提供稳定支撑，并且可以使层叠结构的重量较小。导电支撑壳一方面起导电作用；另一方面，具有优良的机械性能，可提供良好的支撑作用。第一焊料垫与第二焊料垫在回流过程中熔融浸润相互连接的元件，可实现元件之间的连接。

关键词：焊料垫聚合物材料支撑壳导电机械性能焊球层叠结构支撑堆叠式封装结构倒装芯片结构导电作用稳定支撑相对两侧支撑作用包覆内核熔融质轻浸润制作

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一种红光LED倒装芯片结构的制备方法

一种红光LED倒装芯片结构的制备方法

引用

作者：王国宏李璟郭德博 210000 江苏省南京市雨花台区西春路1号创智大厦南楼一楼-022

标准号: CN117352415B

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一种防顶针的倒装芯片结构

一种防顶针的倒装芯片结构

引用

作者：黄章挺 350000 福建省福州市闽侯县南屿镇生物医药和机电产业园区

本实用新型涉及LED照明领域，尤其涉及一种防顶针的倒装芯片结构，包括电极，所述电极包括依次叠加的粘合层、反射层、转接层、导电层和粘附层，所述导电层和所述粘附层之间设有缓冲层。本实用新型提供一种防顶针的倒装芯片结构，通过... 详细信息

标准号: CN218887215U

本实用新型涉及LED照明领域，尤其涉及一种防顶针的倒装芯片结构，包括电极，所述电极包括依次叠加的粘合层、反射层、转接层、导电层和粘附层，所述导电层和所述粘附层之间设有缓冲层。本实用新型提供一种防顶针的倒装芯片结构，通过在电机的导电层和粘附层之间增加缓冲层，缓冲层可以避免在顶针将芯片顶起的过程中芯片受到损伤导致开裂，安全可靠，延长了芯片的使用寿命。

关键词：顶针导电层缓冲层粘附层倒装芯片结构本实用新型电极芯片使用寿命依次叠加反射层粘合层中芯片转接层电机损伤

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一种具有倒装芯片结构的紫外AlInGaN发光二极管

一种具有倒装芯片结构的紫外AlInGaN发光二极管

引用

作者：不公告发明人 310000 浙江省杭州市萧山区河庄街道江东七路599号智造谷

本实用新型公开了一种具有倒装芯片结构的紫外AlInGaN发光二极管。随着AlInGaN发光二极管Al组分的提高，波长也会逐渐降低，同时TE模出光占主导的出光方式转变成TM模出光占主导，为了提高TM模的出光效率，本实用新型在N型电极区和边缘... 详细信息

标准号: CN213988913U

本实用新型公开了一种具有倒装芯片结构的紫外AlInGaN发光二极管。随着AlInGaN发光二极管Al组分的提高，波长也会逐渐降低，同时TE模出光占主导的出光方式转变成TM模出光占主导，为了提高TM模的出光效率，本实用新型在N型电极区和边缘电极区，设置钝化层，在钝化层区域形成倒梯形结构的反射金属区，倒梯形结构区域设置有对紫外光有强反射效率的金属，量子阱中产生的TM光能够经过强反射金属层反射出来，极大地提升了TM模出光效率，从而提高了整个紫外AlInGaN发光二极管的发光强度。

关键词：发光二极管本实用新型倒梯形结构出光效率强反射倒装芯片结构钝化层区域紫外光边缘电极出光方式反射金属区域设置逐渐降低钝化层金属层量子阱波长主导反射金属

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