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文献类型

  • 1 篇 期刊文献

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  • 1 篇 电子文献
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日期分布

学科分类号

  • 1 篇 工学
    • 1 篇 材料科学与工程(可...

主题

  • 1 篇 倒锥型导电细丝
  • 1 篇 异质结
  • 1 篇 欧姆导电机制
  • 1 篇 空间电荷限制电流
  • 1 篇 忆阻器

机构

  • 1 篇 西南交通大学

作者

  • 1 篇 xu xin
  • 1 篇 徐辛
  • 1 篇 yang feng
  • 1 篇 zhang hong
  • 1 篇 张勇
  • 1 篇 杨峰
  • 1 篇 张宏
  • 1 篇 zhang yong

语言

  • 1 篇 中文
检索条件"主题词=倒锥型导电细丝"
1 条 记 录,以下是1-10 订阅
排序:
SiO_(2)提升ITO/HfO_(2)/SiO_(2)/Ag忆阻器的开关比和稳定性
收藏 引用
功能材料与器件学报 2025年 第1期31卷 34-41页
作者: 徐辛 张宏 杨峰 张勇 西南交通大学电气工程学院 磁浮技术与磁浮列车教育部重点实验室成都610031 西南交通大学物理科学与技术学院 成都610031
导电细丝生长及其熔断的随机性一直是影响忆阻器开关比和稳定性的关键因素。本研究通过磁控溅射在ITO基底上制备了以HfO_(2)/SiO_(2)异质结为功能层的ITO/HfO_(2)/SiO_(2)/Ag忆阻器。与单层HfO_(2)忆阻器相比,开关比约提升10倍,最大开... 详细信息
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