检索结果-内蒙古大学图书馆

核技术 2015年第6期38卷 36-42页

作者：刘默寒陆妩马武英王信郭旗何承发姜柯新疆大学物理科学与技术学院乌鲁木齐830046 中国科学院新疆理化技术研究所乌鲁木齐830011

本文研究了不同偏置条件下国产商用NPN型锗硅异质结双极晶体管(Silicon germanium hetero-junction bipolar transistors,SiGe HBTs)在60Coγ辐射环境中电离辐照响应特性和变化规律。实验结果表明,在0.8 Gy(Si)·s-1剂量率辐照下,... 详细信息

本文研究了不同偏置条件下国产商用NPN型锗硅异质结双极晶体管(Silicon germanium hetero-junction bipolar transistors,SiGe HBTs)在60Coγ辐射环境中电离辐照响应特性和变化规律。实验结果表明,在0.8 Gy(Si)·s-1剂量率辐照下,总累积剂量达到1.1×104 Gy(Si)时,发射结反向偏置条件下60Coγ射线辐照对SiGe HBTs造成的损伤最大,零偏次之,正偏损伤最小;经过一定时间的退火后,零偏恢复程度最小,而正偏和反偏时的恢复趋势以及程度相同。分析了不同偏置状态下其电离辐照敏感参数随累积总剂量以及退火时间的变化关系,讨论了引起电参数失效的潜在机理。

关键词：锗硅异质结双极晶体管总剂量效应偏置条件退火

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偏置条件对国产SiGe BiCMOS器件总电离辐射效应的影响

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辐射研究与辐射工艺学报 2020年第5期38卷 60-66页

作者：王利斌王信吴雪李小龙刘默寒陆妩新疆大学物理科学与技术学院乌鲁木齐830046 中国科学院新疆理化技术研究所中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室乌鲁木齐830011 新疆电子信息材料与器件重点实验室乌鲁木齐830011 模拟集成电路重点实验室重庆400060

本文研究了1 Gy(Si)/s的高剂量率辐照下,偏置条件对国产0.35μm SiGe BiCMOS工艺器件电离总剂量(Total ionizing dose,TID)辐射效应的影响。结果表明:高剂量率辐照下,国产SiGe BiCMOS器件具有非常好的抗电离总剂量效应能力,可以达到数... 详细信息

本文研究了1 Gy(Si)/s的高剂量率辐照下,偏置条件对国产0.35μm SiGe BiCMOS工艺器件电离总剂量(Total ionizing dose,TID)辐射效应的影响。结果表明:高剂量率辐照下,国产SiGe BiCMOS器件具有非常好的抗电离总剂量效应能力,可以达到数十千戈瑞,基极电流对辐射更敏感。不同偏置条件下,器件TID累积到12 kGy(Si)时,反偏损伤最大,零偏次之,正偏增益退化最小。发现其主要机制是高剂量率辐射及外加偏置引入的边缘电场影响氧化层中诱导氧化物陷阱电荷和界面态产生,导致基极辐射敏感区增大,基极电流增大,从而使器件增益减小。

关键词： SiGe BiCMOS 偏置条件电离总剂量氧化物陷阱电荷界面态

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不同偏置条件的10位CMOS模数转换器的辐射效应

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原子能科学技术 2010年第10期44卷 1252-1256页

作者：陈睿陆妩任迪远郑玉展王义元费武雄李茂顺兰博崔江维中国科学院新疆理化技术研究所新疆乌鲁木齐830011 新疆电子信息材料与器件重点实验室新疆乌鲁木齐830011 中国科学院研究生院北京100049

对10位CMOSADC7910在不同偏置条件下的电离辐射效应及退火特性进行了研究。结果表明:模数混合电路在不同偏置条件下的电离辐照响应有很大的差异。与加电偏置相比,零偏下0.25Gy/s(Si)剂量率辐照时的辐射损伤更严重。并对其损伤机理进行... 详细信息

对10位CMOSADC7910在不同偏置条件下的电离辐射效应及退火特性进行了研究。结果表明:模数混合电路在不同偏置条件下的电离辐照响应有很大的差异。与加电偏置相比,零偏下0.25Gy/s(Si)剂量率辐照时的辐射损伤更严重。并对其损伤机理进行了初步探讨。

关键词：模数转换器 60Coγ辐照室温退火偏置条件

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不同偏置条件下CMOS SRAM的总剂量辐射效应

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微电子学 2011年第1期41卷 128-132页

作者：李茂顺余学峰任迪远郭旗李豫东高博崔江维兰博费武雄陈睿赵云中国科学院新疆理化技术研究所乌鲁木齐830011 新疆电子信息材料与器件重点实验室乌鲁木齐830011 中国科学院研究生院北京100049

对1 Mb静态随机存取存储器(SRAM)进行了不同偏置条件下的总剂量辐照效应研究。结果表明,试验选取的CMOS SRAM器件为总剂量辐射敏感器件,辐照偏置条件对器件的电参数退化和功能失效有较大影响。在三种偏置条件中,静态加电为最劣偏置,其... 详细信息

对1 Mb静态随机存取存储器(SRAM)进行了不同偏置条件下的总剂量辐照效应研究。结果表明,试验选取的CMOS SRAM器件为总剂量辐射敏感器件,辐照偏置条件对器件的电参数退化和功能失效有较大影响。在三种偏置条件中,静态加电为最劣偏置,其次是工作状态,浮空状态时器件的辐射损伤最小。在工作状态和静态加电两种偏置条件下,静态功耗电流的退化与器件功能失效密切相关,可作为器件功能失效的预警量。

关键词：静态随机存取存储器总剂量辐照偏置条件

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偏置条件对功率MOS场效应晶体管总剂量辐射性能的影响

偏置条件对功率MOS场效应晶体管总剂量辐射性能的影响

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第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会

作者：孟猛于庆奎朱恒静张海明孙吉兴中国空间技术研究院电子元器件可靠性中心北京市 9832信箱 100029

用钴-60γ射线对功率MOS晶体管进行辐照实验,研究了器件阀值电压、漏源击穿电压、截止漏电流等电参数在不同偏置条件下的退化规律.对实验结果进行了分析讨论.实验表明,在相同辐射剂量率和累积总剂量条件下,不同的偏置条件器件辐照损伤... 详细信息

用钴-60γ射线对功率MOS晶体管进行辐照实验,研究了器件阀值电压、漏源击穿电压、截止漏电流等电参数在不同偏置条件下的退化规律.对实验结果进行了分析讨论.实验表明,在相同辐射剂量率和累积总剂量条件下,不同的偏置条件器件辐照损伤不同。

关键词：电离辐射效应功率MOS晶体管总剂量辐射偏置条件

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偏置条件对NPN及PNP双极晶体管电离辐射损伤的影响

偏置条件对NPN及PNP双极晶体管电离辐射损伤的影响

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第一届全国辐射物理学术交流会(CRPS`2014)

作者：刘超铭李兴冀杨剑群刘方圆哈尔滨工业大学材料科学与工程学院哈尔滨150001

双极晶体管(BJT-Bipolar Junction Transistor)具有良好的电流驱动能力、线性度、低噪声以及优良的匹配特性.它们在模拟或混合集成电路及BiCMOS (Bipolar Complementary Metal Oxide Semiconductor)电路中有着重要的作用,且这些电路及... 详细信息

双极晶体管(BJT-Bipolar Junction Transistor)具有良好的电流驱动能力、线性度、低噪声以及优良的匹配特性.它们在模拟或混合集成电路及BiCMOS (Bipolar Complementary Metal Oxide Semiconductor)电路中有着重要的作用,且这些电路及双极型晶体管常常应用于空间环境.因此,对双极晶体管的辐射效应进行有效评价具有十分重要的工程实际意义.本文能采用低能电子辐照源对NPN及PNP晶体管进行辐照试验.在辐照试验过程中,针对NPN及PNP晶体管发射结施加不同的偏置条件,研究偏置条件对NPN及PNP晶体管辐射损伤的影响.使用Keithley4200-SCS半导体特性测试仪在原位条件下测试了双极晶体管电性能参数随低能电子辐照注量的变化关系.测试结果表明,在相同的辐照注量条件下,发射结反向偏置时双极晶体管的辐照损伤程度最大;发射结正向偏置时双极晶体管的辐照损伤程度最小;发射结零偏时双极晶体管的辐照损伤程度居于上述情况之间.

关键词：航天器电子设备双极晶体管电离辐射损伤偏置条件

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非线性偏置条件下隧道二极管中的触发振荡

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物理学报 1974年第5期 321-340页

作者：易明銧

本文提出了一类在非线性偏置条件下,由N-型负阻器件构成的具有三个奇点(其中有两个奇点在负阻区)的触发振荡电路。借助于点变换方法研究了该电路的工作特性。分析表明,所提出的电路具有足够宽的触发振荡工作区。用隧道二极管进行了实验... 详细信息

本文提出了一类在非线性偏置条件下,由N-型负阻器件构成的具有三个奇点(其中有两个奇点在负阻区)的触发振荡电路。借助于点变换方法研究了该电路的工作特性。分析表明,所提出的电路具有足够宽的触发振荡工作区。用隧道二极管进行了实验,实验结果与理论有较好的符合。

关键词：偏置条件奇点点(数学) 江畸二极管隧道二极管微微法相平面电阻负阻点变换

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不同偏置条件的10位模数转换器的电离辐射效应

不同偏置条件的10位模数转换器的电离辐射效应

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2011第十四届全国可靠性物理学术讨论会

作者：胥佳灵陆妩王义元吴雪胡天乐卢健张乐情于新新疆大学物理科学与技术学院新疆乌鲁木齐 830046 中国科学院新疆理化技术研究所新疆乌鲁木齐 830011 新疆大学物理科学与技术学院新疆乌鲁木齐 830046 中国科学院新疆理化技术研究所新疆乌鲁木齐 830011 新疆电子信息材料与器件重点实验室新疆乌鲁木齐 830011 中国科学院新疆理化技术研究所新疆乌鲁木齐 830011 新疆电子信息材料与器件重点实验室新疆乌鲁木齐 830011

本文研究了10位模数转换器在不同偏置条件下的电离辐射效应及其退火特性。研究结果表明：模数混合信号电路在不同偏置条件下的电离辐照响应有很大的差异。与零偏和加电阻偏置相比，加电偏置下高剂量率辐照时，模数转换器各功能参数损伤... 详细信息

本文研究了10位模数转换器在不同偏置条件下的电离辐射效应及其退火特性。研究结果表明：模数混合信号电路在不同偏置条件下的电离辐照响应有很大的差异。与零偏和加电阻偏置相比，加电偏置下高剂量率辐照时，模数转换器各功能参数损伤变化更加严重，加电阻偏置参数变化次之;而在零偏时，电路功能正常，各功能参数变化较小。最后，从氧化物正电荷和界面态与工作状态的关系，对其损伤机理进行了初步探讨。

关键词：宇航电子系统模拟数字转换器偏置条件电离辐射效应

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不同偏置条件的10位CMOS模数转换器的辐射效应

不同偏置条件的10位CMOS模数转换器的辐射效应

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中国核学会2009年学术年会

作者：陈睿陆妩任迪远郑玉展王义元费武雄李茂顺兰博中国科学院新疆理化技术研究所新疆乌鲁木齐 830011 新疆电子信息材料与器件重点实验室新疆乌鲁木齐 830011 中国科学院研究生院北京 100049 中国科学院新疆理化技术研究所新疆乌鲁木齐 830011 新疆电子信息材料与器件重点实验室新疆乌鲁木齐 830011

文中对10 位CMOS ADC7910 在不同偏置条件下的电离辐射效应及退火特性进行了研究.结果表明:模数混合电路在不同偏置条件下的电离辐照响应有很大的差异.高剂量率辐照时,相比加电偏置,零偏条件下的辐射损伤更严重.文中对其损伤机理进行了... 详细信息

文中对10 位CMOS ADC7910 在不同偏置条件下的电离辐射效应及退火特性进行了研究.结果表明:模数混合电路在不同偏置条件下的电离辐照响应有很大的差异.高剂量率辐照时,相比加电偏置,零偏条件下的辐射损伤更严重.文中对其损伤机理进行了初步的探讨.

关键词：模数转换器 60Coγ辐照室温退火偏置条件

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晶体三极管工作状态的判定——灵活运用PN结偏置条件

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科学大众(科学教育) 2009年第3期 153-154页

作者：田淑华泰兴职业高级中学

晶体三极管三个区的工作状态特点可以简单的概括为以下三句话,即:饱和状态时发射结和集电结均正偏;截止状态时发射结和集电结均反偏;放大状态时发射结正偏、集电结反偏。

关键词：三极管的结构输出特性工作状态偏置条件

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