面对传统冯·诺依曼架构中内存和计算单元物理分离而造成的计算效率限制等问题,忆阻器作为一种新型半导体存储器,因其结构简单、低功耗、高存储密度及可应用于数字信息存储和模拟类脑仿生领域等优势,已成为突破传统架构瓶颈和实现神经形态计算的最有前途候选器件之一。然而目前忆阻器研究仍处于初期阶段,在阻变材料、阻变机理、数字模拟特性、器件可靠性、多领域应用等方面仍需要进一步探索和研究。因此,寻找新型阻变材料,开发具有高稳定器件性能和多种仿生计算应用方向(如:神经突触仿生,痛觉感受器仿生和储备池计算等)的忆阻器是当下研究的重点。钙钛矿型镍酸盐材料由于其独特可调的电子结构及丰富的物理性质,在光电器件、传感器、燃料电池等多领域的研究一直备受瞩目,近来在电子器件领域研究中发现的高阻变效应和易于调控的电学性质更揭示了其在新型存储领域的研究潜力和价值。因此本文以镍酸盐材料镍酸钆(Gd Ni O3,GNO)为研究对象,构建了两种不同结构的GNO基忆阻器,并分别探究了其电学特性、阻变机理及脉冲调控特性,探索了其在神经突触仿生、储备池计算和痛觉感受器仿生等方向的应用。论文主要研究内容如下:一、基于Gd Ni O3的模拟型忆阻器研究。为实现具有高结晶质量的稳定性能器件,使用较高晶格匹配度材料La0.67Sr0.33Mn O3(LSMO)作为器件底电极,制备了结构为W/GNO/LSMO/Sr Ti O3的忆阻器。首先,该项工作通过原子力显微镜(Atomic Force Microscopy,AFM)、X射线衍射(X-ray Diffraction,XRD)以及扫描透射电子显微镜(Scanning Transmission Electron Microscopy,STEM)表征器件的微观结构和薄膜结晶度,证实器件薄膜具有较好的表面平整度和高质量结晶。其次,在器件电学测试中得到具有高达10~4开关比、可靠开关耐久性和低器件可变性的稳定双极性阻变行为。并且在连续的正负向电压扫描中展现出连续可调节的电导变化,证明该器件属于模拟型忆阻器。同时结合X射线光电子能谱(X-ray Photoelectron Spectroscopy,XPS)和导电机制拟合对器件阻变机理进行分析,将器件阻变行为归因于氧空位迁移引起的界面效应。此外,通过电脉冲调控实现双向电导调节并成功模拟了双脉冲易化(Paired Pulse Facilitation,PPF)、尖峰时序依赖可塑性(Spike-Timing Dependent Plasticity,STDP)和兴奋性突触后电流(Excitatory Post-Synaptic Current,EPSC)等多种神经突触功能,实现了该器件在突触仿生中的应用。最后,借助器件的短期记忆特性和稳定脉冲调控作用将应用扩展到储备池计算领域,构建了基于该忆阻器的储备池计算系统,并实现了高精度的四种神经放电模式识别(准确率达到99.7%)与转换。该工作促进了GNO基忆阻器在新型存储器领域的研究以及在神经形态计算和储备池计算方面的应用。二、基于Gd Ni O3的数字型忆阻器研究。为实现能够与硅基半导体工艺兼容的多功能GNO基忆阻器,使用高导n型Si(n-Si)作为器件底电极,构建了W/GNO/n-Si结构的忆阻器。首先,通过XRD和透射电子显微镜(Transmission Electron Microscope,TEM)对器件微观结构进行表征,结果显示器件的GNO薄膜为非晶态,且相比结晶状态下具有大量氧空位缺陷。在电学测试方面,器件经过Forming过程后表现出数字型忆阻器特征,即仅存在高阻和低阻两种电阻状态。同时展现出稳定的阈值开关行为,高达10~4开关比和100℃高温开关稳定性。其次,通过调节限制电流实现了双极性电阻开关行为和单极性阈值开关行为的转换。根据以上测试数据结合XPS分析,将器件阻变行为归因于氧空位所形成的导电细丝,并绘制了该阻变机理模型。最后,研究该器件在人工痛觉感受器方面的应用。通过调节脉冲参数,成功模拟四种标志性的痛觉感受器功能:阈值触发、不适应、放松和敏化行为,实现了生物痛觉感受器功能的模拟。综上,该项工作提供了一种具有高温开关稳定性的数字型忆阻器和人工痛觉感受器的新选择,展示了GNO基忆阻器在新型存储计算领域和仿生应用领域的研究潜力和价值。
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