检索结果-内蒙古大学图书馆

作者：孙立辉青岛科技大学

学位级别：硕士

随着光电子技术和光电对抗技术的发展，光电探测器的应用越来越广泛，因此研究激光与光电探测器的相互作用，特别是研究强激光对光电探测器的辐照效应就具有了非常重要的实际意义。当前国内外对这方面的研究大多集中在各种探测器破坏阈... 详细信息

随着光电子技术和光电对抗技术的发展，光电探测器的应用越来越广泛，因此研究激光与光电探测器的相互作用，特别是研究强激光对光电探测器的辐照效应就具有了非常重要的实际意义。当前国内外对这方面的研究大多集中在各种探测器破坏阈值的测量和破坏机理上，当辐照光功率密度较高(高于探测器饱和阈值而低于其破坏阈值)时，探测器内载流子的输运过程和探测器的动态响应情况的研究却很少，而传统的理论或物理模型也只适用于弱光辐照的情况。本文从理论方面较为系统地研究了辐照光功率密度较高时，半导体光电探测器内载流子的输运过程和探测器的非线性动态响应问题。论文的主要工作有：以传统描述半导体探测器中载流子输运的漂移—扩散模型为基础，提出了改进的漂移—扩散模型。针对光伏型探测器建立了相应的非线性耦合方程组，通过采用恰当的计算方法，自行编制了一套能反映探测器光电特性的程序，对光伏型探测器进行了模拟计算。得到了激光辐照下光伏型探测器的瞬态响应规律并分析了材料参数对探测器输出响应的影响。由于强激光辐照半导体探测器时会产生热效应，通过分析探测器损伤的热机理，建立了热效应模型。根据入射激光的不同形式(脉冲和连续波)分别对光伏型HgCdTe探测器进行了表面和内部的温度计算。本文开展的理论研究有所创新，所建立的理论模型既适合强光辐照又适合弱光辐照。当辐照光较弱时结果与传统模型一致，当辐照光较强时，可计算出探测器的温升以推断探测器材料是否会遭遇熔化、烧蚀等破坏。

关键词：光伏型探测器载流子输运动态响应热效应

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光伏型探测器在强光辐照下的响应机理研究

光伏型探测器在强光辐照下的响应机理研究

引用

中国力学大会——2013

作者：程湘爱江天许中杰湖南省长沙市国防科技大学光电科学与工程学院高能激光技术研究所

系统地研究了PV型探测器在波段内连续激光辐照下的非线性响应机理和波段外连续激光辐照下的响应机理。在波段内连续激光辐照方面,发现并对比研究了两种典型的过饱和现象。从等效电路模型出发,剖析了两种过饱和现象的发生条件,建立了数... 详细信息

系统地研究了PV型探测器在波段内连续激光辐照下的非线性响应机理和波段外连续激光辐照下的响应机理。在波段内连续激光辐照方面,发现并对比研究了两种典型的过饱和现象。从等效电路模型出发,剖析了两种过饱和现象的发生条件,建立了数值计算的理论模型,计算结果与实验结果吻合得较好。研究表明,PV型探测器在波段内强光辐照下引起的过饱和现象有两种产生机制,一种是热效应引起的暗电流增大机制;另一种是探测器材料中缺陷引起的漏电流增大机制。在波段外连续激光

关键词：激光辐照响应机理光伏型探测器热生电动势波段外激光

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光伏型探测器阵列及其制作方法

光伏型探测器阵列及其制作方法

引用

作者：杨翠马京立林宏杰张延涛马琳张小雷孟超陈晓冬吕衍秋司俊杰 710071 陕西省西安市太白南路2号

本发明公开了一种光伏型探测器阵列及其制作方法。该探测器阵列包括n型InSb衬底(1)和钝化层(7)，n型InSb衬底(1)上刻蚀有t×t个台面(2)，t为整数且t≥1；每个台面(2)上部均淀积有阳极(5)，n型InSb衬底(1)边缘上部淀积有“回”字形阴... 详细信息

标准号: CN104465812B

本发明公开了一种光伏型探测器阵列及其制作方法。该探测器阵列包括n型InSb衬底(1)和钝化层(7)，n型InSb衬底(1)上刻蚀有t×t个台面(2)，t为整数且t≥1；每个台面(2)上部均淀积有阳极(5)，n型InSb衬底(1)边缘上部淀积有“回”字形阴极(6)；所述n型InSb衬底(1)上部和每个台面(2)侧面淀积有保护层(4)，每个台面(2)正下方的n型InSb衬底(1)内设有m个相同的p型锥形掺杂区(3)，每个p型锥形掺杂区(3)均与n型InSb衬底(1)构成pn结，m为大于或等于1的整数。本发明具有工艺简单、量子效率高、串音低的优点，可用于红外侦查和红外医疗领域。

关键词：衬底台面淀积掺杂区光伏型探测器阴极探测器阵列阳极红外医疗量子效率保护层钝化层串音可用刻蚀侧面制作

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一种基于二维材料的垂直结构光伏型探测器及其制备方法

一种基于二维材料的垂直结构光伏型探测器及其制备方法

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作者：包文中王馨雨王蝶 200433 上海市杨浦区邯郸路220号

本发明属于半导体技术领域，具体为一种基于二维材料的垂直结构光伏型探测器及其制备方法。本发明的垂直结构光伏型探测器采用PN垂直异质结构；P型二维材料与上层金属电极直接相连，N型二维材料与埋栅金属电极相连，埋栅电极通过刻蚀并... 详细信息

标准号: CN117096212A

本发明属于半导体技术领域，具体为一种基于二维材料的垂直结构光伏型探测器及其制备方法。本发明的垂直结构光伏型探测器采用PN垂直异质结构；P型二维材料与上层金属电极直接相连，N型二维材料与埋栅金属电极相连，埋栅电极通过刻蚀并用金属填充指定区域的绝缘层实现。该探测器的制备方法包括：准备器件基底；制备P型和N型二维材料；制备埋栅金属电极；转移并刻蚀N型二维材料；转移并刻蚀P型二维材料；制备接触电极。本垂直结构光伏型探测器具有高的紧凑性和集成度，可以实现多个光电器件的堆叠和互连；这有助于提高整体的光电流输出，并在有限空间内实现更多功能和性能，在半导体技术领域具有潜在应用价值。

关键词：二维材料制备光伏型探测器垂直结构刻蚀半导体技术领域金属电极埋栅绝缘层上层金属电极光电器件接触电极金属填充埋栅电极异质结构准备器件集成度光电流紧凑性探测器堆叠互连基底并用垂直输出应用

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双梯度调控的量子点光伏型探测器及其制备方法

双梯度调控的量子点光伏型探测器及其制备方法

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作者：陈梦璐郝群唐鑫薛晓梦陈轶哲 100086 北京市海淀区中关村南大街5号

本公开实施例涉及一种双梯度调控的量子点光伏型探测器，包括：基底；第一电极，设置在基底的一侧；量子点层，设置在第一电极背离基底的一侧；第二电极，设置在量子点层背离第一电极的一侧；其中，量子点层包括沿第一电极指向第二电极... 详细信息

标准号: CN115939237A

本公开实施例涉及一种双梯度调控的量子点光伏型探测器，包括：基底；第一电极，设置在基底的一侧；量子点层，设置在第一电极背离基底的一侧；第二电极，设置在量子点层背离第一电极的一侧；其中，量子点层包括沿第一电极指向第二电极的方向依次层叠设置的至少一层第一类型量子点层、至少一层弱第一类型量子点层、至少一层本征型量子点层、至少一层弱第二类型量子点层以及至少一层第二类型量子点层；第一类型为N型，第二类型为P型，且沿第一电极指向第二电极的方向，各类型量子点层的带隙依次增大。由此，通过将各类型的胶体量子点依次垂直层叠，形成基于带隙和掺杂双梯度调控的PIN同质结，利于提升器件性能及实现超宽光谱的光伏型光电探测器。

关键词：量子点层第一电极第二电极基底量子点带隙指向背离光伏型探测器光电探测器超宽光谱垂直层叠提升器件依次层叠依次增大本征型同质结调控光伏掺杂

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InP基In_(0.53)Ga_(0.47)As光电探测器的量子效率优化(英文)

引用

红外与毫米波学报 2008年第2期27卷 81-85页

作者：田招兵顾溢张永刚中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

建立了不同结构的InP基PIN型In0.53Ga0.47As探测器光响应的物理模型.通过引入收集效率函数,模拟计算了探测器量子效率和光响应.采用该模型分别研究了正面进光和背面进光情况下典型的In0.53Ga0.047As/InP PIN探测器的结构参数对器件量子... 详细信息

建立了不同结构的InP基PIN型In0.53Ga0.47As探测器光响应的物理模型.通过引入收集效率函数,模拟计算了探测器量子效率和光响应.采用该模型分别研究了正面进光和背面进光情况下典型的In0.53Ga0.047As/InP PIN探测器的结构参数对器件量子效率的影响.在此基础上提出了两种改进的背照射InGaAs/InP探测器结构,并讨论了其结构参数的优化.

关键词：短波红外光伏型探测器 InGaAs 量子效率

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激光对PV型Hg1-xCdxTe探测器的损伤效应

激光对PV型Hg1-xCdxTe探测器的损伤效应

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二〇〇六年全国光电技术学术交流会

作者：王飞程湘爱国防科学技术大学光电学院定向能技术研究所湖南长沙410073

本文研究了较大功率激光辐照对PV型Hg1-xCdxTe探测器的损伤效应.测量了损伤前后探测器的饱和信号输出,得出了pn结退化造成其性能下降的结论.根据pn结的并联电阻模型解释了损伤后探测器对背景辐射的响应率下降现象以及损伤前后激光辐照... 详细信息

本文研究了较大功率激光辐照对PV型Hg1-xCdxTe探测器的损伤效应.测量了损伤前后探测器的饱和信号输出,得出了pn结退化造成其性能下降的结论.根据pn结的并联电阻模型解释了损伤后探测器对背景辐射的响应率下降现象以及损伤前后激光辐照下饱和开路电压几乎相等的现象.研究了其pn结退化造成的探测器响应率、探测率等性能参数的变化,以及由于Hg原子的逃逸和扩散给器件性能带来的影响.

关键词： pn结退化光伏型探测器激光辐照损伤效应

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面向可见光通信的硫化锑薄膜光电探测器研究

面向可见光通信的硫化锑薄膜光电探测器研究

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作者：朱佳伟南昌大学

学位级别：硕士

可见光通信是一种新型的绿色通信方式,被视为未来通信的重要组成部分。传统的硅基探测器是光通信系统接收端的主流器件,但其制作成本较高且需额外添加滤光片才能正常工作,故增加了使用成本。硫化锑（Sb2S3）因其匹配的光谱响应（小于75... 详细信息

可见光通信是一种新型的绿色通信方式,被视为未来通信的重要组成部分。传统的硅基探测器是光通信系统接收端的主流器件,但其制作成本较高且需额外添加滤光片才能正常工作,故增加了使用成本。硫化锑（Sb2S3）因其匹配的光谱响应（小于750nm）、极高的吸收系数(10～5cm-1)和低廉的制造成本等特点,已被视为新一代理想的可见光探测器半导体材料之一。为此,本文开展了面向可见光通信系统的硫化锑光电探测器的研究工作。首先,论文优化了硫化锑光电探测器的器件结构并分析其光电性能;随后,为探究外界光照对器件性能的影响,论文对其光伏特性进行了深入分析;最后,设计了一款与硫化锑器件性能匹配的外围接收电路,并搭建了可见光通信系统,具体研究内容如下: （1）根据Sb2S3半导体特性,论文设计了两种新型结构的Sb2S3光电探测器。一种为PN型Sb2S3薄膜光电探测器,另一种是为了减轻PN型中背接触势垒的影响,添加了Sb2Se3空穴传输层的PIN型Sb2S3薄膜光电探测器。研究结果显示,PIN型结构的器件性能具有明显优势,其中响应时间降低至0.83μs,-3d B带宽高达440k Hz。此外,其短路电流密度可低至1.11×10-7A/cm2,外量子效率高至81%,光电响应度可达0.32A/W,并且击穿电压高至-7.11V和噪声电流下的比探测率高达2.20×1012Jones。（2）为探究外界光照对器件性能的影响,论文研究了PIN型Sb2S3薄膜光电探测器的光伏性能,并与传统的单晶硅、多晶硅及钙钛矿等光伏型器件进行了性能对比分析。研究结果显示,在相同外界灯光条件下,PIN型Sb2S3薄膜光电探测器的I-V特性以及-3d B带宽受外界环境光干扰较小。此外,在相同外界灯光下,PIN型Sb2S3薄膜光电探测器也能在一定误差范围内区分开信号源所产生的光电流和外界光源所产生的光电流,而单晶硅、多晶硅及钙钛矿等光伏型探测器都会在一定程度上存在信号光电流与外界光源光电流相叠加的场景。这从侧面证明了PIN型Sb2S3薄膜光电探测器在含有外界灯光的情况下性能也依旧稳定,为未来室外可见光通信的应用提供了技术支撑。（3）根据PIN型Sb2S3薄膜光电探测器的光电性能,论文设计了一款与器件性能参数相匹配的可见光接收电路。通过示波器实际测试接收电路板,发现所设计的电路能够完整的还原出之前的信号,并成功滤除掉绝大多数外界噪声。另外,将接收电路板与PIN型Sb2S3薄膜光电探测器融合到可见光通信系统上,完成了音频的传输,并且所测试的1k Hz正弦波的失真度低至2.86%。

关键词：可见光通信硫化锑薄膜光电探测器光伏型探测器接收电路音频传输系统

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红外探测器的使用特点综述

引用

真空电子技术 1985年第6期 25-29+5页

作者：陈树民曙光电子管厂

本文就红外探测器的特性和各种红外探测器的特点进行介绍。谈到了如何选择和使用它们的方法,并较为详细地介绍了HgCdTe探测器的性能。此外,为了说明红外探测器的具体选择标准,以辐射计和热象仪作为实例进行了介绍。

关键词：红外探测器热象仪辐射计 IR 探测器实验设备传感器比探测率致冷器光导型探测器光伏型探测器

来源：评论

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金属与TiO2薄膜肖特基接触的制备及其性能研究

金属与TiO2薄膜肖特基接触的制备及其性能研究

引用

作者：徐倩吉林大学

学位级别：硕士

本论文的主要研究工作是采用磁控溅射的方法来实现金属与二氧化钛薄膜的肖特基接触,并对其特性进行研究。首先,我们利用溶胶—凝胶法制备了纳米晶TiO2薄膜材料,通过各种表征手段对薄膜材料的结构,光学性质进行分析。接着,我们用磁控溅... 详细信息

本论文的主要研究工作是采用磁控溅射的方法来实现金属与二氧化钛薄膜的肖特基接触,并对其特性进行研究。首先,我们利用溶胶—凝胶法制备了纳米晶TiO2薄膜材料,通过各种表征手段对薄膜材料的结构,光学性质进行分析。接着,我们用磁控溅射的方法制备了金-二氧化钛,铬-二氧化钛,镍-二氧化钛肖特基二极管,并测得其I-V特性曲线,从它们的I-V特性曲线中我们可以看出,这三种金属均与二氧化钛薄膜形成了很好的肖特基接触,具有较好的整流特性。文章的最后,我们探索性的制备了用金作接触电极的基于TiO2薄膜材料的MSM光伏型探测器,并对探测器的光电特性进行了初步测量。

关键词： TiO2薄膜肖特基接触光伏型探测器 MSM

来源：评论

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