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AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

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范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
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9 篇 专利

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2 篇 华虹半导体有限公...
2 篇 江苏华弗半导体有...
2 篇 晶能光电有限公司
1 篇 联合微电子中心有...
1 篇 无锡华润上华半导...
1 篇 上海华虹宏力半导...
1 篇 安徽信息工程学院

作者

2 篇 黄涛
2 篇 徐国刚
2 篇 陈志聪
2 篇 刘志斌
1 篇 王雷
1 篇 范宇平
1 篇 姚振海
1 篇 郭东升
1 篇 赖强
1 篇 王晓云
1 篇 张萌佳
1 篇 张顾斌
1 篇 吴长明
1 篇 董俊
1 篇 荆二荣
1 篇 杜正宽

语言

9 篇 中文

检索条件"主题词=光刻对位标记"

共 9 条记录，以下是1-10 订阅

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光刻对位标记及其自适应设计方法、装置和对准方法

光刻对位标记及其自适应设计方法、装置和对准方法

引用

作者：赖强张萌佳郭东升 401332 重庆市沙坪坝区西园一路28号附2号

本发明公开了一种光刻对位标记及其自适应设计方法、装置和对准方法，自适应设计方法包括：基于预设的版图设计规则以及工艺需求进行分析，得到分析结果，分析结果至少包括以下一种或多种：图形形状、图形尺寸和图形密度；根据分析结果... 详细信息

标准号: CN114895538A

本发明公开了一种光刻对位标记及其自适应设计方法、装置和对准方法，自适应设计方法包括：基于预设的版图设计规则以及工艺需求进行分析，得到分析结果，分析结果至少包括以下一种或多种：图形形状、图形尺寸和图形密度；根据分析结果，对光刻对位标记进行确定。对准方法包括：在TSV层版图上放置两组光刻对位标记，两组光刻对位标记沿Y轴镜像，一组用于正照光刻层自动对准，另一组用于键合后的背照光刻层自动对准。本发明基于预设版图设计规则及工艺需求，对光刻对位标记的图形形状、图形尺寸和图形密度进行自适应设计，解决了对位标记与特殊工艺不兼容的问题，并利用该光刻对位标记实现TSV工艺全自动对准，提高图形分辨率、对准精度及产量。

关键词：光刻对位标记对位标记对准自适应版图设计规则工艺需求图形形状自动对准刻层两组预设图形分辨率背照光不兼容键合照光分析

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一种超结器件的制造方法及超结器件

一种超结器件的制造方法及超结器件

引用

作者：陈志聪刘志斌徐国刚 215211 江苏省苏州市吴江区黎里镇汾湖大道558号

本发明公开了一种超结器件的制造方法及超结器件，其中，方法包括：以1～2um/min的单晶硅生长速度在第一类型衬底上外延生长n层第一类型的单晶硅层，以最多在n‑2层单晶硅层上形成与第一类型衬底上的第一光刻对位标记正对的第二光刻对位... 详细信息

标准号: CN106876469A

本发明公开了一种超结器件的制造方法及超结器件，其中，方法包括：以1～2um/min的单晶硅生长速度在第一类型衬底上外延生长n层第一类型的单晶硅层，以最多在n‑2层单晶硅层上形成与第一类型衬底上的第一光刻对位标记正对的第二光刻对位标记，且当n大于或等于4时，除最上层单晶硅层外，在任意相邻三层单晶硅层中的至少一层单晶硅层上形成第二光刻对位标记；根据第一光刻对位标记和第二光刻对位标记，对每层单晶硅层进行光刻，以留出至少两个离子注入窗口；通过离子注入窗口对每层单晶硅层进行第二类型离子注入；将n层单晶硅层经高温推阱，使离子注入区形成第二类型柱区。本发明简化了制程过程、节省了制程时间及降低了制造成本。

关键词：单晶硅层光刻对位标记离子注入窗口超结器件衬底制程单晶硅生长离子注入区高温推阱外延生长制造成本最上层光刻三层正对柱区离子制造

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一种超结器件的制造方法及超结器件

一种超结器件的制造方法及超结器件

引用

作者：陈志聪刘志斌徐国刚 215211 江苏省苏州市吴江区黎里镇汾湖大道558号

标准号: CN106876469B

关键词：单晶硅层光刻对位标记离子注入窗口超结器件衬底制程单晶硅生长离子注入区高温推阱外延生长制造成本最上层光刻三层正对柱区离子制造

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提高外延生长晶圆对位通过率的方法

提高外延生长晶圆对位通过率的方法

引用

作者：董俊张顾斌王雷 214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号

本发明公开了一种提高外延生长晶圆对位通过率的方法，其包括以下步骤：步骤一，获取原始版图；步骤二，光刻进行精准对位需要在原始版图中放置光刻对位标记；步骤三，将光刻对位标记通过刻蚀的方法留在晶圆上；步骤四，将刻有光刻对位... 详细信息

标准号: CN114121702A

本发明公开了一种提高外延生长晶圆对位通过率的方法，其包括以下步骤：步骤一，获取原始版图；步骤二，光刻进行精准对位需要在原始版图中放置光刻对位标记；步骤三，将光刻对位标记通过刻蚀的方法留在晶圆上；步骤四，将刻有光刻对位标记的晶圆进行外延生长，生成外延生长图形，光刻对位标记会由于外延过程特有的延晶向生长的特点，会发生漂移的图形以及变形的图形，通过利用视觉成像镜头可调整焦距的特点以及外延生长图形的固定生长方向、漂移方向特点，过滤掉外延生长后光刻对位标记形成的杂波以及干扰图形，获取到光刻对位标记在外延生长前较为棱角分明的对位标记信号。本发明可以过滤掉外延生长后光刻对位标记形成的杂波以及干扰图形。

关键词：光刻对位标记外延生长晶圆漂移原始版图杂波过滤对位标记精准对位生长方向视觉成像外延过程变形的可调整通过率焦距棱角对位光刻晶向刻蚀镜头生长

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芯片返工时图形套刻方法

芯片返工时图形套刻方法

引用

作者：黄涛 330096 江西省南昌市高新开发区艾溪湖北路699号

本发明提供了一种芯片返工时图形套刻方法，包括：S11将预先制备的返工专用板中的第一对位标记与芯片中的光刻对位标记对准，完成返工专用板与芯片的对准操作；返工专用板中的第一对位标记与制备芯片表面第一图形的光刻板中的对位标记... 详细信息

标准号: CN109765764A

本发明提供了一种芯片返工时图形套刻方法，包括：S11将预先制备的返工专用板中的第一对位标记与芯片中的光刻对位标记对准，完成返工专用板与芯片的对准操作；返工专用板中的第一对位标记与制备芯片表面第一图形的光刻板中的对位标记对应设置，光刻对位标记根据该光刻板中的对位标记制备得到；S12根据返工专用板中的第一对位标记，在芯片表面对应的标记区域制备出第一返工对位标记；S13去除芯片表面除第一返工对位标记的图形；S14将返工光刻板中的第一预设对位标记与芯片中的第一返工对位标记对准，完成返工光刻板与芯片的对准操作；返工光刻板中的第一预设对位标记与返工专用板中的第一对位标记对应设置；S15根据返工光刻板在芯片表面制备第二图形，实现了返工后制备的第二图形与返工前第一图形的完全套刻。

关键词：返工对位标记光刻板制备专用板芯片表面芯片对准光刻对位标记套刻预设标记区域去除

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体硅微加工工艺的定位方法

体硅微加工工艺的定位方法

引用

作者：荆二荣 214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号

一种体硅微加工工艺的定位方法，采用双面光刻和步进式光刻相结合的方法，通过双面光刻机找到步进式光刻机在第一基片的步进式光刻对位标记，然后直接使用步进式光刻机对第二基片进行对位。步进式光刻机的对位精度就相当于下上基片表面... 详细信息

标准号: CN105645347B

一种体硅微加工工艺的定位方法，采用双面光刻和步进式光刻相结合的方法，通过双面光刻机找到步进式光刻机在第一基片的步进式光刻对位标记，然后直接使用步进式光刻机对第二基片进行对位。步进式光刻机的对位精度就相当于下上基片表面的图形的对位精度，因而大大提高了体硅微加工工艺的对位精度。

关键词：对位步进式光刻机步进式光刻对位标记双面光刻机体硅微加工微加工工艺双面光刻上基片光刻种体

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芯片返工时图形套刻方法

芯片返工时图形套刻方法

引用

作者：黄涛 330096 江西省南昌市高新开发区艾溪湖北路699号

标准号: CN109765764B

关键词：返工对位标记光刻板制备专用板芯片表面芯片对准光刻对位标记套刻预设标记区域去除

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改善电容器制作中电弧放电缺陷的方法和电容器

改善电容器制作中电弧放电缺陷的方法和电容器

引用

作者：王晓云杜正宽范宇平 241000 安徽省芜湖市新芜经济开发区(芜湖县)永和路1号

本发明公开改善MIM电容器制作中电弧放电缺陷的方法和电容器，包括：1，在半导体基底(1)上设置有金属间介质层(2)，在金属间介质层(2)的上表面设置有通孔和光刻对准标记沟槽，并在通孔的上表面和光刻对准标记等沟槽的上表面预填有导电层... 详细信息

标准号: CN109065521A

本发明公开改善MIM电容器制作中电弧放电缺陷的方法和电容器，包括：1，在半导体基底(1)上设置有金属间介质层(2)，在金属间介质层(2)的上表面设置有通孔和光刻对准标记沟槽，并在通孔的上表面和光刻对准标记等沟槽的上表面预填有导电层(4)；2，将下电极板金属层包覆于半导体基底(1)的上表面和导电层(4)的上表面，并在下电极板金属层的上表面形成光刻对位标记填充层(6)，光刻对位标记填充层(6)能够充分填满光刻对位标记沟槽；3，平坦化除光刻对位标记沟槽之外的光刻对位标记填充层(6)直至下电极板金属层的顶部。本发明克服了现有技术中的MIM电容器过程中产生的的电弧放电缺陷，避免了电弧放电。

关键词：上表面光刻对位标记电弧放电金属层填充层光刻对准标记金属间介质层半导体基底下电极板导电层通孔电容器电极板包覆填满平坦制作

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零层刻蚀方法

零层刻蚀方法

引用

作者：姚振海吴长明 214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号

本申请公开了一种零层刻蚀方法，该方法应用于目标芯片产品的制作过程中，零层光刻是在制作过程中在目标层次的工序之前进行的光刻，目标层次是晶圆上不形成光刻对位标记的层次结构，该方法包括：在晶圆上覆盖光阻；通过零层掩模板，以... 详细信息

标准号: CN113223939A

本申请公开了一种零层刻蚀方法，该方法应用于目标芯片产品的制作过程中，零层光刻是在制作过程中在目标层次的工序之前进行的光刻，目标层次是晶圆上不形成光刻对位标记的层次结构，该方法包括：在晶圆上覆盖光阻；通过零层掩模板，以目标产品对应的曝光步长进行曝光，在目标区域曝光出对准图形，零层掩模板上形成有可应用于不同芯片产品的对准图形；进行刻蚀，刻蚀至目标深度；去除光阻。本申请通过在目标芯片产品的零层刻蚀过程中，通过形成有不同可应用于不同芯片产品的对准图形的零层掩模板，基于目标芯片产品对应的曝光步长进行曝光，因此不需要设计目标芯片产品的专用零层曝光掩模板，降低了制造成本。

关键词：掩模板曝光对准图形目标芯片芯片产品刻蚀制作过程光刻光阻晶圆光刻对位标记层次结构刻蚀过程目标产品目标区域设计目标制造成本去除申请应用覆盖

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