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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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50 篇 专利

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6 篇 同方威视技术股份...
5 篇 杭州海康威视数字...
4 篇 嘉兴学院
3 篇 中芯国际集成电路...
3 篇 ams-欧司朗有限公...
3 篇 京东方科技集团股...
2 篇 中国科学院半导体...
2 篇 slt科技公司
2 篇 华虹半导体有限公...
2 篇 格芯新加坡私人有...
2 篇 北京京东方光电科...
2 篇 三星电子株式会社
2 篇 弦海量子科技有限...
2 篇 国家纳米科学中心
2 篇 台湾积体电路制造...
1 篇 华中科技大学
1 篇 上海集成电路研发...
1 篇 皇家飞利浦电子股...
1 篇 ams国际有限公司
1 篇 成都微光集电科技...

作者

6 篇 李军
6 篇 胡海帆
6 篇 曹雪朋
6 篇 张岚
4 篇 程娜
4 篇 贺园园
4 篇 赵健伟
3 篇 霍介光
3 篇 钟凡
3 篇 杰拉尔德·迈因哈特...
3 篇 杨建平
3 篇 徐开文
2 篇 张简旭珂
2 篇 郭克文
2 篇 德鲁·w·卡德威尔
2 篇 李晓东
2 篇 许东
2 篇 夏跃峰
2 篇 范晓
2 篇 夏从俊

语言

50 篇 中文

检索条件"主题词=光电二极管器件"

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光电二极管器件、光电检测器和形成光电二极管器件的方法

光电二极管器件、光电检测器和形成光电二极管器件的方法

引用

作者：林启荣郭克文 K·M·谭 W·S·庞 X·王新加坡新加坡市

一种光电二极管器件可以包括半导体衬底、设置在半导体衬底中并具有第一宽度的倍增层、设置在倍增层上的介电层、与倍增层耦接并具有第二宽度的电荷层以及设置在电荷层上并具有第三宽度的吸收层。电荷层的第二宽度可以小于倍增层的第一... 详细信息

标准号: CN118248764A

一种光电二极管器件可以包括半导体衬底、设置在半导体衬底中并具有第一宽度的倍增层、设置在倍增层上的介电层、与倍增层耦接并具有第二宽度的电荷层以及设置在电荷层上并具有第三宽度的吸收层。电荷层的第二宽度可以小于倍增层的第一宽度，并且吸收层的第三宽度大于电荷层的第二宽度。

关键词：倍增层电荷层吸收层衬底半导体光电二极管器件介电层耦接

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光电二极管器件、光敏探测器及检测装置

光电二极管器件、光敏探测器及检测装置

引用

作者：冯宏庆陈恒 311501 浙江省杭州市桐庐县桐庐经济开发区求是路299号A1号楼

本申请实施例提供光电二极管器件、光敏探测器及检测装置。该器件包括半导体衬底、第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区以及第一电极。半导体衬底包括相对的第一表面和第二表面。第一掺杂区位于半导体衬底内，第一掺杂区与半导体衬底形... 详细信息

标准号: CN115132872B

本申请实施例提供光电二极管器件、光敏探测器及检测装置。该器件包括半导体衬底、第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区以及第一电极。半导体衬底包括相对的第一表面和第二表面。第一掺杂区位于半导体衬底内，第一掺杂区与半导体衬底形成第一PN结。第二掺杂区位于第一掺杂区内。第二掺杂区与第一掺杂区的导电型不同。第三掺杂区位于第二掺杂区内。第三掺杂区与第二掺杂区形成第二PN结。第一电极设置于第三掺杂区远离第二表面的一侧，且与第三掺杂区电连接，第一电极用于和半导体衬底之间形成第一电场。第一电场分布于第一电极和半导体衬底之间，因而电子和空穴受到的电场力较大，漂移速度相对较快，提高了载流子的收集效率。

关键词：掺杂区衬底半导体第一电极第二表面载流子掺杂光电二极管器件空穴漂移光敏探测器第一表面电场分布检测装置收集效率电场导电型电场力电连接申请

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提升PbS胶体量子点光电二极管器件光电性能的方法及应用

提升PbS胶体量子点光电二极管器件光电性能的方法及应用

引用

作者：孙斌陈勇张丽 210046 江苏省南京市栖霞区文苑路9号

本发明提供一种提升PbS胶体量子点光电二极管器件光电性能的方法及应用，所述方法包括在PbS‑PbX2量子点表面修饰聚乙烯亚胺‑乙氧基化物，使得所述聚乙烯亚胺‑乙氧基化物与所述PbS‑PbX2量子点之间形成异质结；以表面修饰有聚乙烯亚胺‑乙... 详细信息

标准号: CN118284067A

本发明提供一种提升PbS胶体量子点光电二极管器件光电性能的方法及应用，所述方法包括在PbS‑PbX₂量子点表面修饰聚乙烯亚胺‑乙氧基化物，使得所述聚乙烯亚胺‑乙氧基化物与所述PbS‑PbX₂量子点之间形成异质结；以表面修饰有聚乙烯亚胺‑乙氧基化物的PbS‑PbX₂量子点作为所述光电二极管的吸收层；述PbS‑PbX₂量子点为具有核壳结构的量子点，核为PbS，壳为PbX₂，其中X为I或Br中的一种或两种。PEIE中未被取代的亚胺基可以与阳离子或其他化合物发生反应，从而在量子点表面以及HTL层之间形成一层异质结，该异质结的形成可以降低载流子的传输势垒、加快载流子的提取、提高内量子效率。亚胺基可以降低功能层由于PbI₂过厚导致的内阻、明显增大电池的电流以及FF以及电池的稳定性。

关键词：量子点聚乙烯亚胺乙氧基化物异质结载流子量子点表面亚胺基光电二极管器件电池光电二极管内量子效率表面修饰光电性能核壳结构功能层吸收层阳离子内阻势垒修饰传输应用

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具有高响应度的光电二极管器件

具有高响应度的光电二极管器件

引用

作者：杰拉尔德·迈因哈特弗雷德里克·罗杰英格丽·约纳克-奥尔尤金·G·迪施克奥地利普伦斯塔滕

一种光电二极管器件(1)包括具有主表面(3)的半导体衬底(2)，半导体衬底(2)具有第一导电类型。在衬底(2)的主表面(3)处布置有第二导电类型的至少一个掺杂阱(6)，第二导电类型与第一导电类型相反。至少一个掺杂阱(6)和衬底(2)是可电接触... 详细信息

标准号: CN116325165A

一种光电二极管器件(1)包括具有主表面(3)的半导体衬底(2)，半导体衬底(2)具有第一导电类型。在衬底(2)的主表面(3)处布置有第二导电类型的至少一个掺杂阱(6)，第二导电类型与第一导电类型相反。至少一个掺杂阱(6)和衬底(2)是可电接触的。覆盖层(10)布置在衬底(2)的主表面(3)上。覆盖层(10)是第一导电类型的外延层(11)和包括多个空间电荷的介电表面钝化层(15)中的至少一个或者外延层(11)和介电表面钝化层(15)的组合。

关键词：衬底第一导电类型主表面导电类型介电表面掺杂阱钝化层覆盖层外延层半导体光电二极管器件空间电荷电接触

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具有增强特性的光电二极管器件

具有增强特性的光电二极管器件

引用

作者：弗雷德里克·罗杰杰拉尔德·迈因哈特英格丽·约纳克-奥尔尤金·G·迪施克奥地利普伦斯塔滕

一种光电二极管器件(1)包括具有主表面(3)的半导体衬底(2)，所述半导体衬底(2)具有第一导电类型。所述主表面(3)包括用于电磁辐射的至少一个入射区域(4)。在所述衬底(2)的主表面(3)布置有第二导电类型的多个掺杂阱(5)，第二导电类型与... 详细信息

标准号: CN116075944A

一种光电二极管器件(1)包括具有主表面(3)的半导体衬底(2)，所述半导体衬底(2)具有第一导电类型。所述主表面(3)包括用于电磁辐射的至少一个入射区域(4)。在所述衬底(2)的主表面(3)布置有第二导电类型的多个掺杂阱(5)，第二导电类型与第一导电类型相反。所述掺杂阱(5)和衬底(2)是可电接触的。所述掺杂阱(5)沿所述至少一个入射区域(4)的周边布置，使得所述入射区域(4)的中心区(6)没有掺杂阱(5)。

关键词：掺杂阱衬底入射区域主表面第一导电类型导电类型半导体光电二极管器件电磁辐射电接触中心区

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具有改进的暗电流的光电二极管器件

具有改进的暗电流的光电二极管器件

引用

作者：埃瓦尔德·瓦赫曼奥地利普伦斯塔滕

本公开涉及一种光电二极管器件(1)，所述光电二极管器件(1)克服了传统器件的缺点，如增加的暗电流。所述光电二极管器件(1)包括半导体衬底(2)、在衬底(2)的主表面(3)处的第一导电类型的至少一个掺杂阱(6)，以及与所述掺杂阱(6)相邻的第... 详细信息

标准号: CN115943494A

本公开涉及一种光电二极管器件(1)，所述光电二极管器件(1)克服了传统器件的缺点，如增加的暗电流。所述光电二极管器件(1)包括半导体衬底(2)、在衬底(2)的主表面(3)处的第一导电类型的至少一个掺杂阱(6)，以及与所述掺杂阱(6)相邻的第二导电类型的至少一个掺杂区(9)。所述至少一个掺杂阱(6)和所述至少一个掺杂区(9)可电接触。在所述掺杂阱(6)的上表面(7)的一部分上布置有保护结构(11)。所述保护结构(11)保护下方的掺杂阱(6)的上表面(7)免受用于去除间隔层(27)的蚀刻工艺的影响。

关键词：掺杂阱光电二极管器件保护结构掺杂区上表面衬底第一导电类型传统器件导电类型蚀刻工艺暗电流电接触间隔层主表面去除半导体

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光电二极管器件、光敏探测器和检测装置

光电二极管器件、光敏探测器和检测装置

引用

作者：许东王荣冉斗 310051 浙江省杭州市滨江区阡陌路555号

本实用新型公开了一种光电二极管器件、光敏探测器和检测装置，涉及光电二极管器件的技术领域，为解决相邻的两个光电二极管之间容易发生光串扰而发明的实用新型。第一掺杂部位于半导体衬底内，且一侧表面裸露于半导体衬底的第一表面。... 详细信息

标准号: CN217588938U

本实用新型公开了一种光电二极管器件、光敏探测器和检测装置，涉及光电二极管器件的技术领域，为解决相邻的两个光电二极管之间容易发生光串扰而发明的实用新型。第一掺杂部位于半导体衬底内，且一侧表面裸露于半导体衬底的第一表面。聚光部嵌入于半导体衬底内，且在半导体衬底上的正投影与第一掺杂部在半导体衬底上正投影的至少部分重叠。第二掺杂部位于第一掺杂部和聚光部之间，与第一掺杂部的掺杂类型不同。第二掺杂部在半导体衬底上的正投影与第一掺杂部和聚光部在半导体衬底上正投影的至少部分重叠。聚光部用于将至少部分照射至第二表面的光线聚拢至第一掺杂部和第二掺杂部之间。本实用新型提供的光电二极管器件用于将光信号转换为电信号。

关键词：掺杂衬底半导体聚光部正投影光电二极管器件本实用新型光电二极管光敏探测器光信号转换表面裸露掺杂类型第二表面第一表面光线聚拢检测装置光串扰嵌入照射

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光电二极管器件、感光芯片、光敏探测器和检测装置

光电二极管器件、感光芯片、光敏探测器和检测装置

引用

作者：刘广元李佳轩 310051 浙江省杭州市滨江区阡陌路555号

本实用新型公开了一种光电二极管器件、感光芯片、光敏探测器和检测装置，涉及光电二极管的技术领域，解决了现有技术中光电二极管器件的响应速度较慢，并且光电二极管器件的占用面积较大，降低晶圆面积利用率的技术问题。半导体衬底包... 详细信息

标准号: CN216528891U

本实用新型公开了一种光电二极管器件、感光芯片、光敏探测器和检测装置，涉及光电二极管的技术领域，解决了现有技术中光电二极管器件的响应速度较慢，并且光电二极管器件的占用面积较大，降低晶圆面积利用率的技术问题。半导体衬底包括背光面。半导体衬底内形成有间隔设置的第一掺杂部和第二掺杂部，第一掺杂部与半导体衬底的掺杂类型不同，第二掺杂部与半导体衬底的掺杂类型相同。金属布线层设置于背光面的一侧，且与半导体衬底相邻。第一导电部贯穿金属布线层，且与第一掺杂部电连接。第一导电部在半导体衬底上的垂直投影，位于第一掺杂部在半导体衬底上垂直投影的范围内。本实用新型公开的光电二极管器件用于将光信号转换为电信号。

关键词：衬底半导体光电二极管器件掺杂本实用新型金属布线层掺杂类型垂直投影导电部背光光电二极管光敏探测器光信号转换面积利用率感光芯片间隔设置检测装置背光面电连接晶圆占用响应贯穿

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光电二极管器件、光电转换基板、探测器及检测装置

光电二极管器件、光电转换基板、探测器及检测装置

引用

作者：许东刘江辉杨天怀 310051 浙江省杭州市滨江区阡陌路555号

本申请实施例提供光电二极管器件、光电转换基板、探测器阵列及检测装置。该光电二极管器件，包括半导体衬底、透明覆盖层以及调光部。半导体衬底具有第一表面和第二表面；半导体衬底包括暴露于第一表面的感光层。透明覆盖层位于半导体... 详细信息

标准号: CN115101548A

本申请实施例提供光电二极管器件、光电转换基板、探测器阵列及检测装置。该光电二极管器件，包括半导体衬底、透明覆盖层以及调光部。半导体衬底具有第一表面和第二表面；半导体衬底包括暴露于第一表面的感光层。透明覆盖层位于半导体衬底的第一表面远离第二表面的一侧，并覆盖感光层。调光部位于透明覆盖层远离半导体衬底的一侧，调光部位于感光层的边缘以内并靠近感光层的边缘。由于设置了调光部，使得靠近感光层的边缘的部分光线向远离感光层的边缘一侧聚拢，故而减少了光线向感光层的边缘以外的区域传播的数量，进而减少了光进入相邻光电二极管器件的感光区的可能性，降低了光电二极管器件发生光串扰现象的概率，提高了成像的清晰度。

关键词：感光层光电二极管器件衬底半导体透明覆盖层第一表面第二表面调光部调光光电转换基板探测器阵列检测装置区域传播感光区光串扰聚拢成像暴露概率覆盖申请

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光电二极管器件、放射性探测器阵列、探测器及检测装置

光电二极管器件、放射性探测器阵列、探测器及检测装置

引用

作者：祁春超樊堃谭信辉 310051 浙江省杭州市滨江区阡陌路555号

本申请实施例提供光电二极管器件、放射性探测器阵列、探测器及检测装置，涉及半导体技术领域，用于降低光电二极管在较宽光谱范围内的反射率。该光电二极管器件包括半导体衬底、光电二极管以及抗反射膜。半导体衬底具有第一表面。光电... 详细信息

标准号: CN114300493A

本申请实施例提供光电二极管器件、放射性探测器阵列、探测器及检测装置，涉及半导体技术领域，用于降低光电二极管在较宽光谱范围内的反射率。该光电二极管器件包括半导体衬底、光电二极管以及抗反射膜。半导体衬底具有第一表面。光电二极管设置于半导体衬底内，光电二极管具有裸露于第一表面的感光面。抗反射膜覆盖光电二极管的感光面。其中，抗反射膜包括依次层叠的第一抗反射层、第二抗反射层以及第三抗反射层。通过3层反射层相互配合，各反射层可分别设计相应的厚度和/或材料，因此，抗反射膜在设计上有更多的组合自由度。抗反射膜作为一个整体对入射光进行作用，使得抗反射膜在较宽光谱范围内均具有低反射率。

关键词：抗反射膜光电二极管抗反射层衬底半导体光电二极管器件第一表面反射层感光面宽光谱半导体技术领域放射性探测器组合自由度低反射率检测装置依次层叠反射率入射光探测器裸露覆盖申请配合

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