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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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52 篇 专利
4 篇 期刊文献
1 篇 学位论文

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3 篇 工学
- 1 篇 光学工程
- 1 篇 仪器科学与技术
- 1 篇 材料科学与工程（可...
- 1 篇 电子科学与技术（可...

主题

5 篇 光电二极管探测器
1 篇 噪音
1 篇 微米波
1 篇 atmega128l
1 篇 双积分型
1 篇 积分器
1 篇 光电流
1 篇 光电响应度
1 篇 测量仪器
1 篇 灵敏度
1 篇 gy-44
1 篇 光电探测器
1 篇 光电检测
1 篇 电压变换器
1 篇 临界电阻
1 篇 近红外光谱
1 篇 工业ct
1 篇 光电二极管
1 篇 外接电阻
1 篇 噪声

机构

8 篇 同方威视技术股份...
4 篇 杭州海康威视数字...
4 篇 武汉米字能源科技...
3 篇 中国科学院长春光...
3 篇 河北汉光重工有限...
2 篇 浙江峰恒电器有限...
2 篇 中国科学院化学研...
2 篇 清华大学
2 篇 北京蓝思泰克科技...
2 篇 四川宇邑光电科技...
2 篇 金华职业技术学院
2 篇 统雷有限公司
2 篇 中山大学
2 篇 中国科学院大连化...
2 篇 深圳市联赢激光股...
1 篇 武汉东飞凌科技有...
1 篇 浙江嘉莱光子技术...
1 篇 陕西源杰半导体科...
1 篇 哈尔滨理工大学
1 篇 长春理工大学

作者

6 篇 李军
6 篇 胡海帆
6 篇 曹雪朋
6 篇 张岚
4 篇 樊堃
4 篇 胡雪蛟
4 篇 仇筱乐
4 篇 向柳
4 篇 祁春超
3 篇 何玲平
3 篇 韩振伟
3 篇 朱福祥
3 篇 代静
3 篇 张宏吉
3 篇 郭权锋
3 篇 可伟
3 篇 毛石磊
3 篇 赵一鸣
3 篇 陈波
3 篇 刘阳

语言

57 篇 中文

检索条件"主题词=光电二极管探测器"

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一种光电二极管、光电二极管探测器及其制造方法

一种光电二极管、光电二极管探测器及其制造方法

引用

作者：樊堃祁春超仇筱乐刘艳丽 311501 浙江省杭州市桐庐县桐庐经济开发区求是路299号A1号楼

本发明提供一种光电二极管、光电二极管探测器及其制造方法。光电二极管包括衬底、第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区、电极线、介质层及第一连通孔，衬底具有相对的第一表面和第二表面，衬底为第一导电类型材料；第一掺杂区位于衬底... 详细信息

标准号: CN114300494B

本发明提供一种光电二极管、光电二极管探测器及其制造方法。光电二极管包括衬底、第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区、电极线、介质层及第一连通孔，衬底具有相对的第一表面和第二表面，衬底为第一导电类型材料；第一掺杂区位于衬底中并自衬底的第一表面外露；第一掺杂区为第二导电类型材料；第二掺杂区位于衬底中并自衬底的第二表面外露；第二掺杂区为第二导电类型材料；介质层设于衬底的第二表面；电极线部分穿设于介质层，另一部分设于介质层背离衬底的一侧，电极线包括与第二掺杂区电连接的第一电极线；第一连通孔内设有连接第一掺杂区和第一电极线的第一电连接柱；第三掺杂区位于衬底中并自衬底的第二表面外露。

关键词：衬底掺杂区第二表面介质层电极线外露导电类型材料光电二极管第一表面第一电极连通孔光电二极管探测器第一导电类型电连接柱电连接穿设背离制造

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光电二极管探测器及探测系统

光电二极管探测器及探测系统

引用

作者：许东姜俊峰李玉鹏 310051 浙江省杭州市滨江区阡陌路555号

本申请提供一种光电二极管探测器及探测系统。所述光电二极管探测器包括衬底和多个探测单元。所述衬底包括相对的第一侧和第二侧，所述衬底的第一侧设有多个凹槽。所述探测单元包括光电转换结构和闪烁体，所述闪烁体的至少部分位于所述... 详细信息

标准号: CN217719618U

本申请提供一种光电二极管探测器及探测系统。所述光电二极管探测器包括衬底和多个探测单元。所述衬底包括相对的第一侧和第二侧，所述衬底的第一侧设有多个凹槽。所述探测单元包括光电转换结构和闪烁体，所述闪烁体的至少部分位于所述凹槽内，所述光电转换结构位于所述凹槽背离所述凹槽的开口一侧；同一所述探测单元中，所述光电转换结构在自所述第一侧至所述第二侧方向上的投影与所述闪烁体在自所述第一侧至所述第二侧方向上的投影至少部分重合。所述探测系统包括所述光电二极管探测器。

关键词：光电二极管探测器光电转换结构探测单元闪烁体衬底探测系统侧方投影重合开口背离申请

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光电二极管探测器

光电二极管探测器

引用

作者：温永阔胡靖邓刚张雄辉赵立军 430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区流芳园南路9号光谷电子工业园3号厂房2楼2-201室

本实用新型公开了一种光电二极管探测器，包括底座和探测器，所述探测器的输出端电性连接有导线，所述导线远离探测器的一端电性连接有接线端子，所述底座内腔的底部固定安装有驱动机构，所述驱动机构的顶部转动贯穿底座并延伸至底座的... 详细信息

标准号: CN215261804U

本实用新型公开了一种光电二极管探测器，包括底座和探测器，所述探测器的输出端电性连接有导线，所述导线远离探测器的一端电性连接有接线端子，所述底座内腔的底部固定安装有驱动机构，所述驱动机构的顶部转动贯穿底座并延伸至底座的外部固定安装有箱体；本实用新型通过底座和驱动机构，底座用于对该装置进行支撑，驱动机构带动箱体及其内部的探测器转动，从而达到对探测器的角度进行调节的目的，通过启动伺服电机，伺服电机通过传动机构带动探测器转动，达到对探测的探测角度进行调节的目的，通过上述两种调节方式扩大了探测范围，同时实现了以电力机械进行调节，解决了背景技术中心手动调节的不便。

关键词：探测器底座驱动机构转动本实用新型探测电性连接伺服电机光电二极管探测器底座内腔电力机械接线端子手动调节输出端贯穿外部延伸支撑

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一种光电二极管及光电二极管探测器

一种光电二极管及光电二极管探测器

引用

作者：樊堃祁春超仇筱乐刘艳丽 310051 浙江省杭州市滨江区阡陌路555号

本实用新型提供一种光电二极管及光电二极管探测器。光电二极管包括具有相对的第一表面和第二表面的第一导电类型衬底；光电二极管还包括第一、二导电注入层、电极线、第一连通孔及第三注入区，第一、二导电注入层位于第一导电类型衬底... 详细信息

标准号: CN217062113U

本实用新型提供一种光电二极管及光电二极管探测器。光电二极管包括具有相对的第一表面和第二表面的第一导电类型衬底；光电二极管还包括第一、二导电注入层、电极线、第一连通孔及第三注入区，第一、二导电注入层位于第一导电类型衬底中并分别自第一导电类型衬底的第一表面、第二表面外露，第一、二导电注入层的材料均为第二导电类型材料，电极线设于第一导电类型衬底第二表面的外侧，电极线包括与第二注入区电连接的第一电极线；第一连通孔内设有连接第一注入区和第一电极线的第一电连接柱；第三注入区位于第一导电类型衬底中并位于第二注入区外围，第三注入区的材料为第一导电类型材料。该结构有利于提高光生载流子的收集效率。

关键词：第一导电类型注入区衬底光电二极管第二表面电极线注入层导电第一表面第一电极连通孔光电二极管探测器导电类型材料本实用新型光生载流子电连接柱收集效率电连接外露外围

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一种光电二极管及光电二极管探测器

一种光电二极管及光电二极管探测器

引用

作者：祁春超樊堃仇筱乐 310051 浙江省杭州市滨江区阡陌路555号

本实用新型提供一种光电二极管及光电二极管探测器。光电二极管包括第一导电类型衬底、光电二极管、反射层及第二注入区。第一导电类型衬底具有相对的第一表面和第二表面；第一导电类型衬底的第一表面所在的一侧为入光侧；第一注入区位... 详细信息

标准号: CN216624292U

本实用新型提供一种光电二极管及光电二极管探测器。光电二极管包括第一导电类型衬底、光电二极管、反射层及第二注入区。第一导电类型衬底具有相对的第一表面和第二表面；第一导电类型衬底的第一表面所在的一侧为入光侧；第一注入区位于第一导电类型衬底中并自第一导电类型衬底的第二表面外露；所述第一注入区的材料为第二导电类型材料；反射层位于第一注入区背离第一导电类型衬底第二表面的一侧；第二注入区位于第一导电类型衬底中并位于第一注入区外围，第二注入区的材料为第一导电类型材料。该结构通过在第一注入区背离第一导电类型衬底第一表面的一侧设置反射层，有利于增加部分入射光的吸收路径，有利于提高光生载流子的产生效率。

关键词：第一导电类型注入区衬底光电二极管第二表面第一表面反射层光电二极管探测器背离导电类型材料本实用新型光生载流子入射光外露外围吸收

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一种光电二极管、光电二极管探测器及其制造方法

一种光电二极管、光电二极管探测器及其制造方法

引用

作者：樊堃祁春超仇筱乐刘艳丽 310051 浙江省杭州市滨江区阡陌路555号

标准号: CN114300494A

本发明提供一种光电二极管、光电二极管探测器及其制造方法。光电二极管包括衬底、第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区、电极线、介质层及第一连通孔，衬底具有相对的第一表面和第二表面，衬底为第一导电类型材料；第一掺杂区位于衬底中并自衬底的第一表面外露；第一掺杂区为第二导电类型材料；第二掺杂区位于衬底中并自衬底的第二表面外露；第二掺杂区为第二导电类型材料；介质层设于衬底的第二表面；电极线部分穿设于介质层，另一部分设于介质层背离衬底的一侧，电极线包括与第二掺杂区电连接的第一电极线；第一连通孔内设有连接第一掺杂区和第一电极线电连接的第一电连接柱；第三掺杂区位于衬底中并自衬底的第二表面外露。

关键词：衬底掺杂区第二表面介质层电极线外露导电类型材料光电二极管第一表面第一电极连通孔光电二极管探测器第一导电类型电连接柱电连接穿设线电背离制造

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一种同轴光电二极管探测器

一种同轴光电二极管探测器

引用

作者：李鸿邑 621000 四川省绵阳市经开区塘汛镇塘坊大道677号积家工业园3栋2层A区

本实用新型公开了一种同轴光电二极管探测器，主要解决现有光电二极管探测器封装形式结构已经很难满足需要，存在体积大、集成阵列装配空间利用率低的问题。该探测器包括基座，设置于基座上部中心处的热沉基底，固定于热沉基底上的发光... 详细信息

标准号: CN215266336U

本实用新型公开了一种同轴光电二极管探测器，主要解决现有光电二极管探测器封装形式结构已经很难满足需要，存在体积大、集成阵列装配空间利用率低的问题。该探测器包括基座，设置于基座上部中心处的热沉基底，固定于热沉基底上的发光二极管芯片，穿过基座并与基座固定通过导线与发光二极管芯片相连的二极管管脚，固定于基座上用于气密性封装保护器件内部结构的管帽，以及设置于管帽上用于将接收的光信号聚焦的透镜。该器件结构使用TO‑33的2pin引脚形式封装，实现器件小型化大幅度节省安装使用空间，且不同于目前已有的其它任何传统工艺封装。其次该器件不需要外壳接地连接，镀金基座生产工艺中减少一次引脚焊接，生产效率更高且更节省原材料利于环保。

关键词：光电二极管探测器发光二极管芯片管帽基底热沉引脚封装透镜本实用新型二极管管脚气密性封装保护器件传统工艺镀金基座封装形式基座上部集成阵列器件结构生产效率使用空间外壳接地信号聚焦装配空间中心处探测器同轴生产工艺焊接穿过环保

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一种紫外雪崩光电二极管探测器

一种紫外雪崩光电二极管探测器

引用

作者：王飞 438200 湖北省黄冈市浠水经济开发区发展大道

本实用新型公开了一种紫外雪崩光电二极管探测器，涉及光电二极管探测器设备领域，本实用新型包括外壳装置、固定装置、散热装置、线柱装置、保护装置以及定位装置，锁扣一侧表面与箱盖一侧表面连接，探测器本体下表面与箱子内部下表面... 详细信息

标准号: CN214951792U

本实用新型公开了一种紫外雪崩光电二极管探测器，涉及光电二极管探测器设备领域，本实用新型包括外壳装置、固定装置、散热装置、线柱装置、保护装置以及定位装置，锁扣一侧表面与箱盖一侧表面连接，探测器本体下表面与箱子内部下表面连接，卡块一侧表面与探测器本体一侧表面连接，散热装置包括安装架、散热片以及夹子，若干散热片上表面均与安装架内部上表面连接，若干散热片下表面均与安装架内部下表面连接。本实用新型一种紫外雪崩光电二极管探测器，打开伸缩门通过进线孔将电线放进定位环推动电线，滑柱在滑道上带动电线做直线运动，定位环的中心与接线柱中心相对应，所以定位环直接将电线与接线柱相接，定位弹簧会在将定位环拉回原位。

关键词：定位环下表面本实用新型电线安装架雪崩光电二极管探测器本体表面连接散热装置接线柱散热片探测器光电二极管探测器保护装置散热片上表面定位弹簧定位装置固定装置设备领域外壳装置进线孔上表面伸缩门夹子滑道滑柱卡块拉回锁扣线柱箱盖箱子

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通讯用光放大器与光电二极管探测器集成元件及制备方法

通讯用光放大器与光电二极管探测器集成元件及制备方法

引用

作者：潘彦廷李马惠陈发涛曹凡穆瑶 712000 陕西省咸阳市西咸新区沣西新城世纪大道55号清华科技园北区加速器20号厂房C区

本发明公开了通讯用光放大器与光电二极管探测器集成元件及制备方法，集成元件包括基板，基板上依次设置有光电二极管有源层、光放大器有源层和模斑转换器结构层，模斑转换器结构层位于靠近集成元件的收光端面一侧，模斑转换器结构层的... 详细信息

标准号: CN111816669B

本发明公开了通讯用光放大器与光电二极管探测器集成元件及制备方法，集成元件包括基板，基板上依次设置有光电二极管有源层、光放大器有源层和模斑转换器结构层，模斑转换器结构层位于靠近集成元件的收光端面一侧，模斑转换器结构层的底面低于光放大器有源层的底面，光电二极管有源层和光放大器有源层上覆盖有第一包层，第一包层和模斑转换器结构层上覆盖有第二包层，第二包层上自下至上依次覆盖有接触层和p‑金属电极层，基板下表面镀有n‑金属电极层。本发明将斑驳转换器作为半导体光波导结构，提升耦光效率；采取边耦合的形式，将入射光引入集成探测器元件，简化了工艺流程，可实现50G PON以上系统接收端光探测器的国产化批量生产。

关键词：源层模斑转换器光放大器结构层包层集成元件光电二极管金属电极层底面基板覆盖光电二极管探测器转换器半导体光波导基板下表面集成探测器光探测器收光端面系统接收依次设置耦光效率工艺流程边耦合接触层入射光通讯用制备引入生产

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一种AlGaN紫外雪崩光电二极管探测器及其制备方法

一种AlGaN紫外雪崩光电二极管探测器及其制备方法

引用

作者：江灏颜欢邱新嘉 510275 广东省广州市海珠区新港西路135号

本发明提供了一种AlGaN紫外雪崩光电二极管探测器，包括衬底，在衬底上生长的外延结构；所述外延结构包括i型AlmGa1‑mN/AlnGa1‑nN超晶格倍增层；所述i型AlmGa1‑mN/AlnGa1‑nN超晶格倍增层呈梯度阱厚结构，由较低Al组分的AlmGa1‑mN阱层和... 详细信息

标准号: CN110047955B

本发明提供了一种AlGaN紫外雪崩光电二极管探测器，包括衬底，在衬底上生长的外延结构；所述外延结构包括i型Al_mGa_1‑mN/Al_nGa_1‑nN超晶格倍增层；所述i型Al_mGa_1‑mN/Al_nGa_1‑nN超晶格倍增层呈梯度阱厚结构，由较低Al组分的Al_mGa_1‑mN阱层和较高Al组分的Al_nGa_1‑nN垒层循环交替构成，Al_nGa_1‑nN垒层厚度保持不变，Al_mGa_1‑mN阱层厚度由衬底侧至上逐渐增加。其有益效果在于：本发明提供的光电二极管探测器不仅可以获得更高的增益，而且有利于抑制过剩噪声，降低雪崩工作电压，增强器件工作时的可靠性；同时，本发明也提供了所述光电二极管探测器的制备方法，其制备方法简单可行。

关键词：衬底光电二极管探测器外延结构倍增层超晶格垒层阱层制备雪崩光电二极管工作电压循环交替逐渐增加探测器雪崩噪声生长

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