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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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文献类型

12 篇 专利

馆藏范围

12 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

机构

2 篇 上海百功半导体有...
2 篇 三星电子株式会社
2 篇 高通股份有限公司
2 篇 苏州元脑智能科技...
1 篇 中国科学院上海微...
1 篇 四川乐鸿科技有限...
1 篇 深圳市锐明技术股...
1 篇 中国电子科技集团...

作者

2 篇 于楠
2 篇 闫鑫
2 篇 巨新刚
2 篇 陈敬沧
2 篇 n·德塞
2 篇 金明五
2 篇 陈静静
2 篇 c·郑
2 篇 全仁雨
2 篇 陈刚
2 篇 刘世军
2 篇 r·瓦蒂孔达
2 篇 车相彦
1 篇 许林海
1 篇 宋志棠
1 篇 赵宏建
1 篇 黄凯明
1 篇 李顺芬
1 篇 陈一峰
1 篇 陈后鹏

语言

12 篇 中文

检索条件"主题词=写操作模式"

共 12 条记录，以下是1-10 订阅

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详细简洁

排序：

存储控制器、存储设备的访问控制方法和存储系统

存储控制器、存储设备的访问控制方法和存储系统

引用

作者：闫鑫巨新刚陈静静 215128 江苏省苏州市吴中经济开发区郭巷街道官浦路1号9幢

本发明提供一种存储控制器、存储设备的访问控制方法和存储系统，属于存储技术领域。存储控制器包括：从接口，用于接收主控设备发送的写操作指令和模式配置信息，写操作指令中携带第一地址信息和第一目标数据，模式配置信息用于指示所... 详细信息

标准号: CN117420968B

本发明提供一种存储控制器、存储设备的访问控制方法和存储系统，属于存储技术领域。存储控制器包括：从接口，用于接收主控设备发送的写操作指令和模式配置信息，写操作指令中携带第一地址信息和第一目标数据，模式配置信息用于指示所述存储控制器的写操作模式；寄存器文件堆，用于根据模式配置信息，配置所述存储控制器的模式控制寄存器；路径模式控制单元，用于响应写操作指令，根据写操作模式，将第一目标数据按照第一地址信息写入信息缓存空间或者通过时序控制状态机写入存储设备；信息缓存空间，用于存储写入其的数据以及对应的标记信息；时序控制状态机，用于产生存储设备的写操作时序。本发明可提高主控设备对存储设备的访问效率。

关键词：存储控制器模式配置信息写操作指令存储设备写操作模式地址信息目标数据时序控制主控设备状态机模式控制寄存器存储技术领域写入存储设备寄存器文件写操作时序标记信息存储系统访问控制访问效率缓存空间路径模式写入信息信息缓存写入存储发送携带响应配置

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基于QLC NAND闪存的写操作配置方法、存储控制器及存储设备

基于QLC NAND闪存的写操作配置方法、存储控制器及存储设备

引用

作者：刘世军于楠陈敬沧陈刚 201613 上海市松江区松江工业区茸江路120号1幢C13区

基于QLC NAND闪存的写操作配置方法，包括步骤：将QLC NAND存储单元的16个电压区间采用4比特来表征，每一个比特位表征为一个页地址，使QLC NAND具有四个页地址；采用编码规则对16个电压区间中各个电压区间进行二进制编码映射，根据二... 详细信息

标准号: CN109542801B

基于QLC NAND闪存的写操作配置方法，包括步骤：将QLC NAND存储单元的16个电压区间采用4比特来表征，每一个比特位表征为一个页地址，使QLC NAND具有四个页地址；采用编码规则对16个电压区间中各个电压区间进行二进制编码映射，根据二进制编码映射关系通过提升存储电压到特定的电压区间，实现基于四个页地址映射的多种不同的QLC NAND写操作；对多种QLC NAND写操作进行配置，根据不同的数据存储需求选择匹配的QLC NAND写操作。本发明根据存储控制器的特点及QLC NAND闪存写操作特性，提供了一种可以通过在存储控制器中配置不同的写操作模式从而可有效地提高存储设备中QLC NAND芯片的使用性能的方法，进而实现了最佳数据写入性能的存储设备。

关键词：写操作电压区间页地址存储控制器二进制编码存储设备映射配置数据存储需求写操作模式编码规则存储单元存储电压使用性能写入性能映射关系比特位有效地匹配

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半导体存储器装置、存储器系统和操作方法

半导体存储器装置、存储器系统和操作方法

引用

作者：车相彦金明五全仁雨韩国京畿道

本申请提供一种半导体存储器装置、存储器系统和操作半导体存储器装置的方法。所述半导体存储器装置可包括存储器单元阵列、错误校正电路、输入/输出(I/O)门控电路和控制逻辑电路。在第一写操作模式下，所述控制逻辑电路可控制所述I/O... 详细信息

标准号: CN109785894A

本申请提供一种半导体存储器装置、存储器系统和操作半导体存储器装置的方法。所述半导体存储器装置可包括存储器单元阵列、错误校正电路、输入/输出(I/O)门控电路和控制逻辑电路。在第一写操作模式下，所述控制逻辑电路可控制所述I/O门控电路以选择子页，从所述子页读取包括第一子单元数据、第二子单元数据和第一奇偶数据的第一单元数据，以及将所述第一单元数据提供至错误校正电路。所述控制逻辑电路还可控制所述错误校正电路，以对第一单元数据执行错误校正码解码以产生综合数据，基于第一单元数据的一部分产生第二奇偶数据，以及基于写奇偶数据、第二奇偶数据和综合数据产生第三奇偶数据。

关键词：奇偶数据单元数据半导体存储器装置错误校正电路控制逻辑电路子单元数据门控电路综合数据可控制存储器单元阵列读取存储器系统错误校正码写操作模式输入/输出解码选择子子页申请

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一种SRAM存储单元电路及其组成的静态存储器的工作模式

一种SRAM存储单元电路及其组成的静态存储器的工作模式

引用

作者：苏洪恩 641000 四川省内江市东兴区胜利镇蟠龙路135号

本发明公开了一种SRAM存储单元电路及其组成的静态存储器的工作模式，属于集成电路领域，SRAM存储单元电路主要由17个场效应晶体管连接而成，包含两个反相器和两组传输门电路，有助于提升存储电路性能；由SRAM存储单元电路组成的静态存... 详细信息

标准号: CN117636964A

本发明公开了一种SRAM存储单元电路及其组成的静态存储器的工作模式，属于集成电路领域，SRAM存储单元电路主要由17个场效应晶体管连接而成，包含两个反相器和两组传输门电路，有助于提升存储电路性能；由SRAM存储单元电路组成的静态存储器的工作模式包含保持模式、读操作模式和写操作模式三种；本发明具有降低存储单元读取数据所需的功耗，较好的抑制共模噪声，提升存储单元写入数据的稳定性和写入速度的特点。

关键词：静态存储器工作模式电路场效应晶体管存储单元读取集成电路领域传输门电路读操作模式写操作模式存储单元存储电路电路组成写入数据抑制共模反相器功耗两组噪声写入

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用于存储器设备中的写辅助的写激励器

用于存储器设备中的写辅助的写激励器

引用

作者： C·郑 N·德塞 R·瓦蒂孔达美国加利福尼亚州

提供了一种写辅助激励器电路，其辅助处于写操作中的存储器单元(例如，易失性存储器位单元)即使在供电电压被降低时，也保持存储器核处的电压足够高以用于进行正确的写操作。该写辅助激励器电路可以配置成在待机操作模式期间向位单元核... 详细信息

标准号: CN104981875B

提供了一种写辅助激励器电路，其辅助处于写操作中的存储器单元(例如，易失性存储器位单元)即使在供电电压被降低时，也保持存储器核处的电压足够高以用于进行正确的写操作。该写辅助激励器电路可以配置成在待机操作模式期间向位单元核提供存储器供电电压VddM。在写操作模式中，写辅助激励器电路可以向位单元核以及向本地写位线(lwbl)和(lwblb)中的至少一者提供降低的存储器供电电压VddM_lower。此外，写辅助激励器电路还可以向本地写字线(lwwl)提供外围供电电压VddP，其中VddP≥VddM>VddM_lower。

关键词：辅助激励器供电电压电路位单元存储器写操作待机操作模式易失性存储器存储器单元写操作模式存储器核写位线写字线外围配置

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半导体存储器装置、存储器系统和操作方法

半导体存储器装置、存储器系统和操作方法

引用

作者：车相彦金明五全仁雨韩国京畿道

标准号: CN109785894B

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用于存储器设备中的写辅助的写激励器

用于存储器设备中的写辅助的写激励器

引用

作者： C·郑 N·德塞 R·瓦蒂孔达美国加利福尼亚州

标准号: CN104981875A

关键词：辅助激励器供电电压电路位单元存储器写操作待机操作模式易失性存储器存储器单元写操作模式存储器核写位线写字线本地一种电压外围辅助配置正确保持进行

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存储控制器、存储设备的访问控制方法和存储系统

存储控制器、存储设备的访问控制方法和存储系统

引用

作者：闫鑫巨新刚陈静静 215128 江苏省苏州市吴中经济开发区郭巷街道官浦路1号9幢

标准号: CN117420968A

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基于QLC NAND闪存的写操作配置方法、存储控制器及存储设备

基于QLC NAND闪存的写操作配置方法、存储控制器及存储设备

引用

作者：刘世军于楠陈敬沧陈刚 201409 上海市奉贤区奉城镇新奉公路2011号1幢2170室

标准号: CN109542801A

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一种监控数据的写入方法及装置

一种监控数据的写入方法及装置

引用

作者：黄凯明 518000 广东省深圳市南山区学苑大道1001号南山智园B1栋21-23楼

本发明适用于视频监控领域，提供了一种监控数据的写入方法及装置，所述监控数据的写入方法包括：获取当前的写请求；检测当前的写请求和上一次写请求中的文件归属是否相同；若当前的写请求和上一次写请求的文件归属相同时，检测当前存... 详细信息

标准号: CN105518612A

本发明适用于视频监控领域，提供了一种监控数据的写入方法及装置，所述监控数据的写入方法包括：获取当前的写请求；检测当前的写请求和上一次写请求中的文件归属是否相同；若当前的写请求和上一次写请求的文件归属相同时，检测当前存储块的数据区是否有剩余空间；若当前存储块的数据区有剩余空间时，根据顺序写模式，将当前的写请求对应的监控数据写入存储块的数据区中。本发明把视频监控设备对存储介质的写操作模式从随机写改为顺序写，有效地规避了随机写模式的带宽瓶颈，在不增加硬件投资的前提下，也能满足视频监控应用不断增长的写入带宽需求。

关键词：写请求监控数据数据区当前存储剩余空间视频监控写入方法写模式归属视频监控设备写操作模式写入存储块存储介质写入带宽检测相同一种带宽对应瓶颈获取满足应用有效投资

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