检索结果-内蒙古大学图书馆

塑性工程学报 2022年第9期29卷 199-206页

作者：张雪洋钟振东潘雪纯惠琳斐陈亚军中国民航大学工程技术训练中心天津300300 中国民航大学中欧航空工程师学院天津300300 中国民航大学安全科学与工程学院天津300300

针对飞机蒙皮搭接处的划痕损伤问题,研究了含划痕缺陷的含铆钉孔2198-T8铝锂合金板材的疲劳性能。首先,利用Abaqus有限元仿真软件,通过正交试验法确定了划痕关键影响参数,优化了疲劳试验方案。其次,预制了9类划痕损伤试样,分析了划痕参... 详细信息

针对飞机蒙皮搭接处的划痕损伤问题,研究了含划痕缺陷的含铆钉孔2198-T8铝锂合金板材的疲劳性能。首先,利用Abaqus有限元仿真软件,通过正交试验法确定了划痕关键影响参数,优化了疲劳试验方案。其次,预制了9类划痕损伤试样,分析了划痕参数对其疲劳性能的影响,并结合数字图像相关技术对裂纹扩展路径进行了讨论。最后,利用体视显微镜及扫描电子显微镜对断口进行了表征并分析了疲劳断裂机理。结果表明,划痕尖端角度θ对力学性能影响最小;划痕深度D是影响疲劳性能的主要因素。在D=0.8 mm、c=72 mm、θ=45°的损伤条件下,疲劳寿命下降至1795次,较无损试样下降97.66%。当D>D_(s)=0.15 mm时,断裂位置由铆钉孔截面转移至划痕截面,且断裂模式由单一疲劳源扩展的韧性断裂转变为多疲劳源放射状扩展的准解理断裂。

关键词： 2198-T8铝锂合金正交试验划痕损伤疲劳性能断口分析

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凸结构的形成-低载下单晶硅表面的划痕损伤研究

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摩擦学学报 2010年第1期30卷 92-96页

作者：杨超余丙军钱林茂西南交通大学牵引动力国家重点实验室摩擦学研究所四川成都610031

利用纳米划痕仪及曲率半径为3μm的球形金刚石针尖,在单晶硅(100)表面进行了不同载荷下的划痕试验.结果表明:随载荷的增加,单晶硅表面的划痕损伤先后经历了从凸起形成、凸起与凹槽并存到材料去除的变化过程.当载荷为0.5～3.0mN时,单晶... 详细信息

利用纳米划痕仪及曲率半径为3μm的球形金刚石针尖,在单晶硅(100)表面进行了不同载荷下的划痕试验.结果表明:随载荷的增加,单晶硅表面的划痕损伤先后经历了从凸起形成、凸起与凹槽并存到材料去除的变化过程.当载荷为0.5～3.0mN时,单晶硅上的划痕损伤表现为凸结构的形成,且凸起的高度和体积随载荷的增加而增大;当载荷为3～50mN时,凸起和凹槽同时出现,但损伤区域体积未见减少,损伤仍以凸结构形成为主导;当载荷大于50mN时,凹槽深度和磨损体积明显增大,划痕损伤表现为典型的材料去除.进一步的分析显示,单晶硅的划痕损伤特征与其接触区的应力状态密切相关,低载下的摩擦剪切是凸结构产生的主要原因.

关键词：单晶硅划痕损伤凸起形成

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划痕损伤对大鼠大脑皮层微血管内皮细胞NF-κB表达及继发性死亡的影响

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中国现代医学杂志 2016年第5期26卷 11-16页

作者：黄梓雄陈兵聂丽容林亨莫伟尹延庆梁远生广东医学院附属医院广东湛江524001

目的通过体外培养SD大鼠大脑皮层微血管内皮细胞并制作划痕损伤模型,观察划痕损伤对脑微血管内皮细胞NF-κB表达及其自噬、凋亡和坏死的影响。方法体外培养SD大鼠大脑皮层微血管内皮细胞并制作划痕损伤模型,应用NF-κB抑制剂吡咯醛二硫... 详细信息

目的通过体外培养SD大鼠大脑皮层微血管内皮细胞并制作划痕损伤模型,观察划痕损伤对脑微血管内皮细胞NF-κB表达及其自噬、凋亡和坏死的影响。方法体外培养SD大鼠大脑皮层微血管内皮细胞并制作划痕损伤模型,应用NF-κB抑制剂吡咯醛二硫氨基甲酸(PDTC)干预划痕损伤脑微血管内皮细胞。随机分为对照组、单纯损伤组、损伤+抑制组,在不同时间点(损伤后1、6、12、24及48 h)分别应用免疫荧光细胞化学法测定磷酸化NF-κB p65蛋白的表达,Annexin V/PI染色法检测凋亡、坏死,Western blot检测自噬蛋白LC3Ⅱ表达情况。对照组为无划痕损伤的脑微血管内皮细胞。结果脑微血管内皮细胞划痕损伤后NF-κB蛋白表达于伤后1 h开始表达增强,于24 h达高峰,与对照组比较差异有统计学意义(P<0.05)。凋亡、坏死及自噬各指标均随时间推移有不同程度升高,与对照组比较差异有统计学意义(P<0.05)。而经PDTC处理后上述变化均受不同程度的抑制,与单纯损伤组相比差异有统计学意义(P<0.05)。结论划痕损伤后可激活脑微血管内皮细胞NF-κB表达,同时可引起脑微血管内皮细胞的自噬、凋亡和坏死。

关键词：划痕损伤脑微血管内皮细胞 NF-κB 吡咯醛二硫氨基甲酸

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单晶硅与镍钛形状记忆合金的划痕损伤研究

单晶硅与镍钛形状记忆合金的划痕损伤研究

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作者：杨超西南交通大学

学位级别：硕士

目前，信息、生物、先进制造等高新技术领域的微型化趋势极大地促进了微机电系统的发展。然而，表面和尺寸效应导致微机电系统产生了严重的粘着、摩擦与磨损问题。单晶硅基于其优良的物理、机械性能，已经作为典型的结构材料被广泛地应... 详细信息

目前，信息、生物、先进制造等高新技术领域的微型化趋势极大地促进了微机电系统的发展。然而，表面和尺寸效应导致微机电系统产生了严重的粘着、摩擦与磨损问题。单晶硅基于其优良的物理、机械性能，已经作为典型的结构材料被广泛地应用于微机电系统中。NiTi合金具有形状记忆和超弹特性，是研制微机电系统传感器和驱动器的理想材料。因此，对它们微观磨损性能的研究，一方面可以丰富相关的纳米摩擦学的基础知识，其结果也可为高可靠性和长寿命微机电系统的研制提供理论指导。\n 本论文采用纳米压/划痕仪和原子力显微镜，分别对单晶硅和具有形状记忆效应的镍钛(SME NiTi)合金进行了划痕损伤研究。一方面，观察了单晶硅划痕损伤随载荷变化的整个过程，对比了单晶硅(100)与单晶硅(111)划痕损伤的异同，并讨论了针尖曲率半径对单晶硅划痕损伤的影响。另一方面，观察了SME NiTi合金划痕损伤随划痕循环次数的变化过程，表征了升温到100℃后划痕损伤的恢复情况，讨论了界面摩擦力与犁沟摩擦力的变化与竞争关系，分析了NiTi合金往复划痕下的微观摩擦机理。本论文的主要结论如下：\n 1．随载荷的增大，单晶硅(100)的划痕损伤先后经历了凸结构形成、凸起与凹槽并存和材料去除三个阶段。在低载下进行划痕实验时，硬度与弹性模量较小的单晶硅(100)上形成的凸起较单晶硅(111)上形成的凸起显著；小曲率半径的针尖在单晶硅(100)上产生较大的凸结构。\n 2．单晶硅(100)的划痕损伤与其接触区的应力状态和环境气氛密切相关，表明其损伤初期凸结构的形成应当是摩擦化学与机械变形共同作用的结果。\n 3．随着划痕循环次数的增加，SME NiTi合金划痕损伤的深度逐渐增大并趋于稳定。SME NiTi合金在常温下进行划痕实验时，其变形主要通过孪晶界的移动方式进行。加热过程中，由于发生了马氏体向奥氏体的转变，SME NiTi合金划痕损伤得到一定的恢复。\n 4．随划痕循环次数的增加，SME NiTi合金划痕过程中的界面摩擦力逐渐增大并趋于稳定，而犁沟摩擦力和总摩擦力逐渐减小并趋于稳定。

关键词：划痕损伤单晶硅镍钛形状记忆合金纳米摩擦学摩擦机理

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体外培养大鼠星形胶质细胞划痕损伤后水通道蛋白4表达变化及MAPKs信号通路干预

体外培养大鼠星形胶质细胞划痕损伤后水通道蛋白4表达变化及MAPKs...

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作者：师忠芳首都医科大学

学位级别：硕士

本文研究内容分为三部分：第一部分：研究水通道蛋白4(aquaporin 4，AQP4)在体外培养大鼠星形胶质细胞中的表达规律。方法:取新生1天Wistar大鼠脑皮层进行星形胶质细胞原代培养，约10天传代，传代培养至10天左右，用胶质原纤... 详细信息

本文研究内容分为三部分：第一部分：研究水通道蛋白4(aquaporin 4，AQP4)在体外培养大鼠星形胶质细胞中的表达规律。方法:取新生1天Wistar大鼠脑皮层进行星形胶质细胞原代培养，约10天传代，传代培养至10天左右，用胶质原纤维酸性蛋白(glial fibrillary acidic protein，GFAP)免疫细胞化学染色检测鉴定星形胶质细胞的纯度。分别于原代培养3、5、7、9天及传代培养9天提取星形胶质细胞总RNA，逆转录反应合成cDNA，实时荧光定量聚合酶链反应(real-time quantitative polymerase chain reaction，RT-PCR)检测AQP4和β-actin含量，用AQP4/β-actin比值表示AQP4 mRNA表达水平。结果: 1) GFAP免疫细胞化学染色显示95％以上培养细胞染色阳性。 2)大鼠星形胶质细胞在原代培养3、5、7、9天及传代培养9天的AQP4 mRNA表达水平分别为2.18±1.24、1.71±0.28、6.00±1.20、8.66±0.81及11.81±3.02，说明星形胶质细胞AQP4 mRNA在原代培养3天就有AQP4 mRNA表达， 5天时没有显著变化(P>0.05)，7天表达显著升高(P<0.05)，9天持续升高(P<0.05)；星形胶质细胞传代培养9天与原代培养9天AQP4 mRNA表达没有差异(P>0.05)。结论:随培养星形胶质细胞成熟，AQP4表达逐渐增加，发挥其调节水平衡的功能。第二部分:建立大鼠星形胶质细胞体外培养划痕损伤模型。方法:大鼠星形胶质细胞传代培养至10天左右，GFAP免疫细胞化学染色证实培养细胞中星形胶质细胞达95％以上用于实验。用白色无菌Tips头在培养板中呈“＃”字划痕损伤，划痕线之间的平行间距为0.5 cm，对照组未进行任何处理。分别于划痕损伤前1 h、划痕损伤后1、3、6、12、24 h在倒置相差显微镜下观察细胞形态变化；分别于划痕损伤前10 min、划痕损伤后1、12、24 h进行GFAP免疫细胞化学染色；分别于划痕损伤前1 h、划痕损伤后1、3、6、12、24 h取其培养液0.1 ml进行乳酸脱氢酶(lactate dehydrogenase，LDH)活性测定；于划痕损伤后24 h取培养细胞按照Bradford法进行蛋白(protein，pro)测定，LDH漏出量以LDH测定值/pro测定值(U/mg蛋白)表示。结果: 1)倒置相差显微镜下观察对照组细胞在实验24 h内形态没有变化。实验组在划痕损伤即刻及划痕损伤后1、3 h，划痕两侧边缘整齐，部分细胞形态由扁平形变为不规则形，部分细胞结构不完整；划痕损伤后6 h划痕两侧开始出现细胞突起向划痕区延伸；划痕损伤后12、24 h向划痕区延伸的细胞突起增多，且划痕区出现星形胶质细胞生长。 2)GFAP免疫化学染色显示，划痕损伤后1 h实验组划痕两侧细胞GFAP免疫化学染色加重；划痕损伤后12 h，划痕两侧细胞胞体肥大、突起增粗，阳性细胞数增多；划痕损伤后24 h，向划痕中心延伸的阳性细胞数显著增加，划痕区出现阳性细胞。 3)对照组(n=9)在实验各时间点的LDH/pro值分别为41.16±4.9、43.10±4.66、44.68±5.50，47.88±5.85、52.62±5.59、57.77±5.87(U/mg)；实验组(n=9)各时间点的LDH/pro值分别为40.85±3.34、48.79±3.35、50.92±3.69、53.38±3.96、58.70±3.85、62.16±2.65(U/mg)。实验说明实验组与对照组细胞LDH漏出量在划痕损伤前没有差异(P>0.05)；而划痕损伤后实验组细胞LDH漏出量在1 h内迅速增加，随时间延长继续增加，各时间点与划痕损伤前相比差异均有统计学意义(P<0.05)。对照组细胞在实验6 h后亦出现LDH漏出量增加(P<0.05)，但在划痕损伤后各时间点实验组细胞LDH漏出量均高于对照组(P<0.05)。结论:星形胶质细胞划痕损伤后出现细胞形态改变、GFAP免疫化学染色的变化及培养液中LDH漏出量增加，证实已成功建立了体外培养大鼠星形胶质细胞划痕损伤模型。第三部分:研究体外培养大鼠星形胶质细胞划痕损伤后水通道白4(aquaporin 4，AQP4)表达变化，以及丝裂原活化蛋

关键词：星形胶质细胞划痕损伤水通道蛋白表达变动 MAPKs 信号通路干预

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磁流变平面抛光晶圆表面划痕损伤形成机制与抑制方法研究

磁流变平面抛光晶圆表面划痕损伤形成机制与抑制方法研究

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作者：郭浩东北京交通大学

学位级别：硕士

半导体晶圆制造领域对工件表面的加工要求极高,尤其是针对于新一代的化合物半导体材料如碳化硅(Si C)、砷化镓(Ga As)、氮化镓(Ga N)等,使得实现高表面质量、高平坦度的加工难度不断增加。磁流变抛光方法应用于半导体晶圆加工过程,能获... 详细信息

半导体晶圆制造领域对工件表面的加工要求极高,尤其是针对于新一代的化合物半导体材料如碳化硅(Si C)、砷化镓(Ga As)、氮化镓(Ga N)等,使得实现高表面质量、高平坦度的加工难度不断增加。磁流变抛光方法应用于半导体晶圆加工过程,能获得更高的表面加工质量与加工效率。然而磁流变平面抛光过程中,抛光液中的铁磁颗粒和磨粒由于磁场与工件的交互作用发生团聚形成大尺寸颗粒,磁流变液的流变特性会使得团聚大颗粒同样被裹挟来切划晶圆表面,进而造成非规律性表面划痕损伤。对晶圆表面划痕损伤的形成机制开展研究,能够有效掌握划痕损伤形成成因,对于构建磁流变抛光划痕损伤工艺分析能够起到有效的支撑作用。对于扩宽磁流变平面抛光方法应用范围,实现晶圆磁流变抛光产业化应用具有重要意义。本文在晶圆表面划痕损伤形成机制探索与抑制方法方面,开展了以下的研究工作:(1)针对磁流变抛光过程中晶圆表面的划痕损伤特征提出相应表征方法。研究平面抛光过程中晶圆表面划痕损伤的形成因素,明确团聚颗粒和晶圆之间的作用关系,建立团聚颗粒和晶圆的纳米划擦模型。利用分子动力学方法模拟材料划擦过程,探索磁流变平面抛光过程中晶圆表面划痕损伤形成机理,研究团聚颗粒和抛光工艺对划痕损伤的影响。(2)建立团聚颗粒作用对划痕损伤表征量的影响关系,并与工艺参量相结合,实现对磁流变平面抛光过程中晶圆表面划痕形貌的研究。通过建立晶圆表面的团聚颗粒运动轨迹模型,模拟不同抛光工艺参数对划痕损伤形成的影响,分析划痕损伤特征与工艺参数之间的对应关系。结合抛光过程中材料去除模型,建立团聚颗粒存在状态下晶圆表面受团聚颗粒作用的划痕损伤形貌。(3)采用正交实验设计方法研究不同抛光工艺参数对划痕损伤形成影响程度的显著性,以及对划痕损伤表征量的影响规律。进一步开展磁流变平面抛光实验,研究半导体晶圆材料在不同工艺参数下的晶圆表面质量和表面划痕损伤形状数量,获得能够抑制划痕损伤形成的最优工艺参数。

关键词：磁流变平面抛光划痕损伤划痕损伤形貌模型抑制方法

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划痕损伤对大鼠脑皮层星形胶质细胞NF-êB表达及继发性死亡的影响

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广东医学院学报 2014年第4期32卷 442-445页

作者：林亨陈兵黄梓雄莫伟李小亭朱鹏博尹延庆廖壮槟广东医学院附属医院神经外科广东湛江524001

目的观察划痕损伤对大鼠脑皮层星形胶质细胞NF-B表达及自噬、凋亡和坏死的影响。方法建立SD大鼠脑皮层星形胶质细胞划痕损伤模型,用NF-B抑制剂吡咯醛二硫氨基甲酸(PDTC)干预48 h,分别用流式细胞术、免疫荧光法、Western blot检测不同时... 详细信息

目的观察划痕损伤对大鼠脑皮层星形胶质细胞NF-B表达及自噬、凋亡和坏死的影响。方法建立SD大鼠脑皮层星形胶质细胞划痕损伤模型,用NF-B抑制剂吡咯醛二硫氨基甲酸(PDTC)干预48 h,分别用流式细胞术、免疫荧光法、Western blot检测不同时间点(1、6、12、24、48 h)星形胶质细胞凋亡、坏死及NF-B p65蛋白、自噬蛋白LC3Ⅱ表达。结果星形胶质细胞NF-B蛋白表达在划痕损伤后1 h开始增多,24 h达高峰,凋亡、坏死及LC3Ⅱ表达均随时间推移有不同程度升高(P<0.01)。PDTC处理后,上述变化均有不同程度的抑制(P<0.01)。结论划痕损伤后可激活脑星形胶质细胞NF-B表达、自噬、凋亡和坏死。

关键词：划痕损伤脑星形胶质细胞 NF-κB PDTC

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划痕损伤对体外培养星形胶质细胞细胞周期的影响

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中医临床研究 2018年第11期10卷 19-20,22页

作者：杨明坤赵宝东山东省茌平县人民医院山东茌平252100 锦州医科大学解剖教研室辽宁锦州121001

目的:探讨划痕损伤对体外培养的大鼠大脑皮层星形胶质细胞增殖周期的影响。方法:体外培养、纯化及鉴定大鼠大脑皮层星形胶质细胞,培养至第4代时,进行划痕损伤处理,用流式细胞仪分别于划痕后6h、24h、72h进行细胞周期检测。结果:划痕损... 详细信息

目的:探讨划痕损伤对体外培养的大鼠大脑皮层星形胶质细胞增殖周期的影响。方法:体外培养、纯化及鉴定大鼠大脑皮层星形胶质细胞,培养至第4代时,进行划痕损伤处理,用流式细胞仪分别于划痕后6h、24h、72h进行细胞周期检测。结果:划痕损伤后在6h、24h组星形胶质细胞进入S期细胞百分比及6h、24h及72h组星形胶质细胞进入G2/M期细胞百分比较对照组明显增高,差异有显著性。结论:划痕损伤促进星形胶质细胞增殖。

关键词：划痕损伤星形胶质细胞细胞周期

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2219铝合金划痕损伤过程的有限元分析

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航天制造技术 2016年第1期 12-15页

作者：韩磊杜正勇李紫涵龚习赵彦广天津航天长征火箭制造有限公司天津300462

利用有限元分析(FEA)软件ABAQUS模拟了2219铝合金材料划痕损伤过程,并分析了材料在不同压深下划痕过程中所受的应力以及划痕后对材料表面性能的影响。分析结果表明,划痕深度较小时,材料表面应力更加集中,划痕后的表面残余形貌存在凸起现... 详细信息

利用有限元分析(FEA)软件ABAQUS模拟了2219铝合金材料划痕损伤过程,并分析了材料在不同压深下划痕过程中所受的应力以及划痕后对材料表面性能的影响。分析结果表明,划痕深度较小时,材料表面应力更加集中,划痕后的表面残余形貌存在凸起现象;然而划痕深度较大时,材料的残余拉应力也随之增大,划痕后的表面残余形貌不存在凸起现象。

关键词： 2219铝合金划痕损伤应力分布有限元分析

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体外培养大鼠星形胶质细胞划痕损伤后水通道蛋白4表达下调

体外培养大鼠星形胶质细胞划痕损伤后水通道蛋白4表达下调

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中国神经科学学会第四次会员代表大会暨第八届全国学术会议

作者：师忠芳韩明徐立新董丽萍袁芳首都医科大学北京市神经外科研究所

目的水通道蛋白4(aquqporin 4,AQP4)是脑内最主要的水通道蛋白,特异表达于星形胶质细胞。我们在大鼠自由落体脑损伤的研究中发现脑外伤引起星形胶质细胞AQP4表达增加,参与外伤性脑水肿的发生发展及消散,本实验进一步利用体外培养大鼠星... 详细信息

目的水通道蛋白4(aquqporin 4,AQP4)是脑内最主要的水通道蛋白,特异表达于星形胶质细胞。我们在大鼠自由落体脑损伤的研究中发现脑外伤引起星形胶质细胞AQP4表达增加,参与外伤性脑水肿的发生发展及消散,本实验进一步利用体外培养大鼠星形胶质细胞研究划痕损伤对AQP4表达变化的影响。方法取新生1 d Wistar大鼠脑皮层进行星形胶质细胞原代培养,约10 d后传代,传代培养至10 d用于实验,用胶质纤维酸性蛋白免疫细胞化学染色检测鉴定细胞纯度,用实时荧光定量聚合酶链反应技术检测AQP mRNA表达情况。实验中首先观察原代培养大鼠星形胶质细胞中AQP家族表达谱,并进一步重点观察原代及传代培养星形胶质细胞中AQP4的表达与培养时间的关系。然后利用传代培养9 d的星形胶质细胞进行划痕损伤实验,分别在划痕损伤前10 min、划痕损伤后1、12、24 h观察细胞形态变化,乳酸脱氢酶漏出量及AQP4 mRNA表达情况。结果实验结果显示原代培养9 d的大鼠星形胶质细胞中仅有水通道蛋白家族中的1、4、5、9及1 1表达,其中AQP4 mRNA表达量是最多,而2、3、6、7及8没有表达。星形胶质细胞原代培养3 d就有AQP4 mRNA表达,7 d表达显著升高(P<0.05),9 d持续升高(P<0.05),传代培养9 d与原代培养9 d AQP4 mRNA表达没有差异,说明随着培养时间的延长星形胶质细胞AQP4表达量趋于稳定。在星形胶质细胞划痕损伤实验中,我们观察到划痕损伤后划痕两侧边缘整齐,随时间推移细胞突起逐渐向划痕区延伸,并且划痕区逐渐出现细胞;同时,乳酸脱氢酶漏出量在划痕损伤后1 h内迅速增加,之后随时间延长持续增加(P<0.05),且均高于相应时间点的对照组(P<0.05);相反,划痕损伤后1 h AQP4 mRNA表达开始减少,12、24 h AQP4 mRNA表达显著减少(P<0.05)。结论在培养的星形胶质细胞中AQP4表达量最多,星形胶质细胞划痕损伤引起AQP4表达下调,提示星形胶质细胞上AQP4表达变化与细胞损伤后水平衡调节紊乱相关。

关键词：星形胶质细胞水通道蛋白4 划痕损伤

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