检索结果-内蒙古大学图书馆

您好，读者！请登录

内蒙古大学图书馆

首页
概况
党建
资源
服务
科研支持
- 论文收录引用证明
- 科技查新
知识产权
档案馆
帮助

咨询与建议

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

您的常用邮箱：*

您的手机号码：*

问题描述：

当前已输入0个字，您还可以输入200个字

全部搜索
期刊论文
图书
学位论文
标准
纸本馆藏
外文资源发现
数据库导航
超星发现

高级检索

时间限定

出版年份：

文献类型

图书期刊文献学位论文多媒体

馆藏选择

电子馆藏纸本馆藏

核心期刊

全部期刊 SCI 收录期刊 SSCI 收录期刊 EI 收录期刊 CSCD 收录期刊 CSSCI 收录期刊

语言

中文英文

文献类型

期刊文献图书学位论文标准纸本馆藏

帮助

文字说明：

T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

分类表

所选分类

>> <<

限定检索结果

文献类型

41 篇 专利

馆藏范围

41 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

机构

3 篇 中国科学院半导体...
2 篇 浜松光子学株式会...
2 篇 华中科技大学
2 篇 中国科学院苏州纳...
2 篇 北京北方微电子基...
2 篇 电子科技大学
2 篇 艾克斯特朗欧洲公...
1 篇 普乐新能源有限公...
1 篇 深圳市联合瑞泰科...
1 篇 特利康控股有限公...
1 篇 深圳先进技术研究...
1 篇 先进自动器材有限...
1 篇 psk有限公司
1 篇 克里公司
1 篇 株式会社爱发科
1 篇 株式会社尼康
1 篇 南京大学
1 篇 三菱电机株式会社
1 篇 微激光系统公司
1 篇 国际商业机器公司

作者

2 篇 赵晓辉
2 篇 马智超
2 篇 杉浦隆二
2 篇 张泽洪
2 篇 江风益
2 篇 熊杰
2 篇 李言荣
2 篇 武兴会
2 篇 张立国
2 篇 张铮
2 篇 王双保
2 篇 徐智谋
2 篇 王劼
2 篇 张学明
2 篇 高磊
2 篇 陶伯万
2 篇 刘思思
2 篇 蒲勇
2 篇 范亚明
2 篇 张飞

语言

41 篇 中文

检索条件"主题词=到达衬底"

共 41 条记录，以下是1-10 订阅

全选清除本页清除全部题录导出标记到"检索档案"

详细简洁

排序：

清洗衬底表面的方法

清洗衬底表面的方法

引用

作者：李佶洸金正浩韩国京畿道

本发明提供了一种使用等离子体的表面清洗装置和方法，以从硅衬底表面去除自然氧化层、化学氧化层和损伤部分以及从金属表面去除污染物。H和N的混合气体被用作第一工艺气体。通过在等离子体生成器与衬底之间的接地栅格或隔板中吸收电势... 详细信息

标准号: CN100454496C

本发明提供了一种使用等离子体的表面清洗装置和方法，以从硅衬底表面去除自然氧化层、化学氧化层和损伤部分以及从金属表面去除污染物。H和N的混合气体被用作第一工艺气体。通过在等离子体生成器与衬底之间的接地栅格或隔板中吸收电势，使得仅基团能够到达衬底。HF被用作第二工艺气体。因此，在通过H₂流进行退火的步骤中，硅衬底上形成的自然氧化层、化学氧化层或损伤部分被去除。通过在对每个晶片加工之后引入调节气体，腔室的环境被保持为恒定。因此，改进了工艺再现性。

关键词：工艺气体化学氧化自然氧化损伤等离子体等离子体生成器隔板退火硅衬底表面表面清洗到达衬底混合气体金属表面晶片加工接地硅衬底再现性衬底电势腔室污染物

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

半导体器件的制造方法和衬底制造方法以及衬底处理装置

半导体器件的制造方法和衬底制造方法以及衬底处理装置

引用

作者：佐佐木隆史今井义则栗林幸永中嶋定夫日本东京都

本发明通过提供一种半导体器件的制造方法而解决问题，该半导体器件的制造方法是衬底处理装置的半导体器件的制造方法，该衬底处理装置包括：反应室，以规定的间隔层叠多张衬底；第1气体供给喷嘴，在用于层叠多张衬底的区域上具有1个以... 详细信息

标准号: CN102763193A

本发明通过提供一种半导体器件的制造方法而解决问题，该半导体器件的制造方法是衬底处理装置的半导体器件的制造方法，该衬底处理装置包括：反应室，以规定的间隔层叠多张衬底；第1气体供给喷嘴，在用于层叠多张衬底的区域上具有1个以上的第1气体供给口；以及第2气体供给喷嘴，在用于层叠多张衬底的区域上具有1个以上的第2气体供给口，第1气体供给口的方向和第2气体供给口的方向被设置成在到达衬底之前交叉，其中，该半导体器件的制造方法具有以下的工序：将衬底搬入至反应室内的工序；从第1气体供给口向反应室内至少供给含硅气体和含氯气体、或含硅及氯的气体，从第2气体供给口向反应室内至少供给含碳气体和还原气体，从第1气体供给口或第2气体供给口向反应室内进一步供给杂质气体，在衬底上形成膜的工序；以及从反应室搬出衬底的工序。

关键词：气体供给衬底半导体器件衬底处理装置气体供给喷嘴反应室含硅到达衬底还原气体杂质气体含碳

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

抛光半导体衬底的方法

抛光半导体衬底的方法

引用

作者：托马斯·S·科巴亚施美国伊利诺斯

一种化学机械抛光10机包括一个混合器部件12，该混合器部件在将抛光液引入抛光机10的一个抛光部件13之前，混合抛光液的各组份。在一个实施例中，从供给管113和114来的各组份在一导管121中合并，并流过一个静压轴向式混合器123，使各组... 详细信息

标准号: CN1087493C

一种化学机械抛光10机包括一个混合器部件12，该混合器部件在将抛光液引入抛光机10的一个抛光部件13之前，混合抛光液的各组份。在一个实施例中，从供给管113和114来的各组份在一导管121中合并，并流过一个静压轴向式混合器123，使各组份混合形成抛光液。由于混合发生在使用时点附近，所以该抛光液的抛光速率相对地高。由于在到达衬底134前才混合抛光液，所以衬底134附近的抛光液组份的局部浓度很均匀。

关键词：抛光液混合器部件混合器化学机械抛光到达衬底混合发生局部浓度抛光部件抛光速率供给管抛光机衬底导管合并

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

通过制备N面锥形结构衬底获得自支撑GaN单晶的方法

通过制备N面锥形结构衬底获得自支撑GaN单晶的方法

引用

作者：郝霄鹏邵永亮张雷吴拥中戴元滨田媛霍勤 250100 山东省济南市历城区山大南路27号

本发明提供一种通过制备具有N面锥形结构的衬底实现自剥离并获得自支撑GaN单晶的方法，包括以下步骤：(1)在衬底上外延生长GaN薄膜，形成GaN外延片；(2)对GaN外延片使用化学湿法腐蚀进行Ga面腐蚀形成到达衬底的腐蚀坑；(3)制备在GaN的N... 详细信息

标准号: CN104060323A

本发明提供一种通过制备具有N面锥形结构的衬底实现自剥离并获得自支撑GaN单晶的方法，包括以下步骤：(1)在衬底上外延生长GaN薄膜，形成GaN外延片；(2)对GaN外延片使用化学湿法腐蚀进行Ga面腐蚀形成到达衬底的腐蚀坑；(3)制备在GaN的N面具有顶点朝向衬底的锥形结构的衬底；(4)把制备好的GaN外延片放入水中以停止锥形结构的形成；(5)将GaN外延片通过氢化物气相外延生长GaN单晶，(6)GaN单晶结束后经过降温过程，实现从衬底上自剥离，得到自支撑GaN单晶。该方法具有成本低、简单易行的特点，能够获得高质量的GaN单晶。

关键词：衬底单晶外延片锥形结构自支撑简单易行剥离氢化物气相外延化学湿法腐蚀到达衬底降温过程外延生长腐蚀坑薄膜腐蚀生长停止

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

凹版微移印制作触摸屏传感器的方法

凹版微移印制作触摸屏传感器的方法

引用

作者：赵跃杜德海 518107 广东省深圳市光明新区公明办事处同观路远望谷射频识别产业园1栋3-4楼

本发明公开了一种凹版微移印制作触摸屏传感器的方法，包括：凹版设计及制作、移印辊筒装载及预定位、凹版装载及定位、凹版与移印衬底对位步骤、凹版的凹槽填满及收墨步骤；微移印步骤：调整好移印辊筒在凹版及在移印衬底上的起始点位... 详细信息

标准号: CN104391614A

本发明公开了一种凹版微移印制作触摸屏传感器的方法，包括：凹版设计及制作、移印辊筒装载及预定位、凹版装载及定位、凹版与移印衬底对位步骤、凹版的凹槽填满及收墨步骤；微移印步骤：调整好移印辊筒在凹版及在移印衬底上的起始点位置后调整移印辊筒与凹版，移印辊筒与移印衬底的间隙和压力；在移印辊筒的粘附力作用下，粘附起凹版凹槽内的移印材料，后启动加热系统；辊筒到达衬底起始点后，粘附在辊筒上的移印材料粘度降低开始移印至终止点，完成后给辊筒注入冷却水让其冷却，降至一定温度后排出冷却水进行下一片移印；触摸屏传感器结构成型步骤。本发明能够满足目前所有不同尺寸和衬底的触摸屏传感器制作，精度高，效率高，对环境无污染。

关键词：移印凹版辊筒衬底触摸屏传感器冷却水起始点粘附装载设计及制作凹槽填满材料粘度到达衬底加热系统结构成型粘附力对位后排冷却印制终止

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

在双极型器件中减少堆垛层错成核点和减小V_f漂移的方法

在双极型器件中减少堆垛层错成核点和减小V<Sub>f</Sub>漂移的方法

引用

作者：卓塞弗·约翰·苏马克里斯美国北卡罗莱纳

本发明公开了一种制备衬底和外延层的方法，该衬底和外延层在基于碳化硅的双极型器件中用于减小堆垛层错成核和减小正向电压(Vf)漂移。该方法包括如下的步骤：通过非选择性蚀刻来蚀刻碳化硅衬底的表面以清除表面和表面下损伤两者，此后... 详细信息

标准号: CN100470725C

本发明公开了一种制备衬底和外延层的方法，该衬底和外延层在基于碳化硅的双极型器件中用于减小堆垛层错成核和减小正向电压(Vf)漂移。该方法包括如下的步骤：通过非选择性蚀刻来蚀刻碳化硅衬底的表面以清除表面和表面下损伤两者，此后通过选择性蚀刻来蚀刻相同的表面，由此至少从到达衬底表面的任何基本面位错中形成由蚀刻产生的结构，在随后外延层在所述衬底表面上的生长过程中所述基本面位错此后倾向于终止或者作为螺旋缺陷传播；以及此后在被二次蚀刻的表面上生长碳化硅的第一外延层。

关键词：蚀刻外延层选择性蚀刻衬底位错漂移生长碳化硅双极型器件碳化硅衬底衬底表面到达衬底生长过程碳化硅成核堆垛二次正向电压损伤终止传播

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

溅射装置

溅射装置

引用

作者：新井真大石祐一石桥晓小松孝谷典明清田淳也太田淳中村久三日本神奈川县

本发明的目的在于，提供一种可以减少异常放电和非腐蚀部，并能够形成膜厚分布均匀的膜的成膜装置。本发明的成膜装置(1)具有多个靶(31a～31f)，对不同的靶(31a～31f)施加极性不同的交流电压。当一方的靶(31a～31f)置于负电位时，另一... 详细信息

标准号: CN1667155B

本发明的目的在于，提供一种可以减少异常放电和非腐蚀部，并能够形成膜厚分布均匀的膜的成膜装置。本发明的成膜装置(1)具有多个靶(31a～31f)，对不同的靶(31a～31f)施加极性不同的交流电压。当一方的靶(31a～31f)置于负电位时，另一方的靶(31a～31f)置于正电位，并作为阳极起作用，所以，相邻靶(31a～31f)之间不必配置阳极。因相邻的靶(31a～31f)之间什么都不配置，故可以缩短靶(31a～31f)间的距离s，由于在配置了靶(31a～31f)的区域内不放射溅射粒子的面积的比例减小，故溅射粒子均匀地到达衬底(5)，从而使膜厚分布变得均匀。

关键词：阳极成膜装置溅射膜厚粒子负电到达衬底异常放电电压腐蚀交流

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

用于金属有机化学气相沉积设备的双层进气喷头

用于金属有机化学气相沉积设备的双层进气喷头

引用

作者：江风益蒲勇 330029 江西省南昌市南京东路235号

本发明公开了一种用于金属有机化学气相沉积设备的双层进气喷头，包括封闭形的外壳体，在外壳体内有上进气腔和下进气腔，在上中层板与底板之间安装有与上进气腔和反应室连通的上出气管，在下中层板与底板之间安装有与下进气腔和反应室... 详细信息

标准号: CN1292092C

本发明公开了一种用于金属有机化学气相沉积设备的双层进气喷头，包括封闭形的外壳体，在外壳体内有上进气腔和下进气腔，在上中层板与底板之间安装有与上进气腔和反应室连通的上出气管，在下中层板与底板之间安装有与下进气腔和反应室连通的下出气管，特征是下出气管的直径大于上出气管的直径，且上出气管放置于下出气管中。本发明还设计有冷却腔。第一路反应气体和第二路反应气体分别由上出气管、下出气管进入反应室，到达衬底表面。因此本发明具有能够将不同反应气体分别送入反应室、使反应气体充分混合均匀、减小预反应、制造成品率高的优点。

关键词：出气管反应气体反应室进气底板气腔连通金属有机化学气相沉积喷头到达衬底成品率封闭形冷却腔外壳体大于

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

磁控溅射设备

磁控溅射设备

引用

作者：贺凡肖旭东刘壮陈昊 518055 广东省深圳市南山区西丽大学城学苑大道1068号

本实用新型涉及一种磁控溅射设备，包括衬底、靶材以及加热灯组件；所述靶材与衬底相对，所述加热灯组件为两组，对称设置在所述靶材的两侧，对所述衬底进行加热。本实用新型使用加热灯组件对衬底进行加热，取代电热丝，从而避免电热丝... 详细信息

标准号: CN202717842U

本实用新型涉及一种磁控溅射设备，包括衬底、靶材以及加热灯组件；所述靶材与衬底相对，所述加热灯组件为两组，对称设置在所述靶材的两侧，对所述衬底进行加热。本实用新型使用加热灯组件对衬底进行加热，取代电热丝，从而避免电热丝短路或者烧断。加热灯组件直接作用于衬底沉积有薄膜的一面，使得加热效果更好，并且能够避免衬底背表面温度过高而使衬底变形，加热灯组件结构简单，维持和更换也更方便。同时，加热灯组件对辉光区进行加热，加热了溅射粒子，使得溅射粒子到达衬底表面后，其能量会比电热丝加热时的要大，加热效果更好，从而使得制备的薄膜性能也大大提高。

关键词：加热灯衬底电热丝靶材加热效果溅射粒子磁控溅射设备衬底背表面薄膜性能到达衬底组件结构短路光区烧断薄膜沉积对称变形两侧

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

一种经过绝缘处理的薄膜太阳能电池

一种经过绝缘处理的薄膜太阳能电池

引用

作者：罗毅李晨孙友巍赵建华 233030 安徽省蚌埠市汤和路268号

一种经过绝缘处理的薄膜太阳能电池，它包括自下而上依次设有透明导电膜、功能膜、背电极膜的长方形衬底玻璃板；导电膜上沿其长度方向有若干第一凹槽，该槽的深度使得其槽底到达衬底玻璃板；功能膜将第一凹槽填满后沉积在透明导电膜上... 详细信息

标准号: CN201804877U

一种经过绝缘处理的薄膜太阳能电池，它包括自下而上依次设有透明导电膜、功能膜、背电极膜的长方形衬底玻璃板；导电膜上沿其长度方向有若干第一凹槽，该槽的深度使得其槽底到达衬底玻璃板；功能膜将第一凹槽填满后沉积在透明导电膜上，功能膜上沿其长度方向有若干第二凹槽，该槽位于第一凹槽同向的旁侧处，该槽的深度使得其槽底到达透明导电膜；背电极膜将第二凹槽填满后沉积在功能膜上，背电极膜、功能膜上沿两者的长度方向有若干第三凹槽，该槽位于第二凹槽同向的旁侧处，该槽的深度使得其槽底到达透明导电膜，以致本电池中形成若干内部依次串联的电池单元；背电极膜、功能膜上在两者长度方向的两侧处各开有一道垂直于第三凹槽和第二凹槽的第四凹槽，该槽的深度使得其槽底到达透明导电膜。本电池的次品率较低、电输出功率较高。

关键词：功能膜透明导电膜电极膜玻璃板凹槽填满沉积电池薄膜太阳能电池到达衬底电池单元绝缘处理输出功率次品率导电膜衬底串联两侧内部

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

没有更多数据了...

全选清除本页清除全部题录导出标记到“检索档案”

共5页 << < 1 2 3 4 5 > >>

检索报告对象比较合并检索0

隐藏清空

合并搜索

回到顶部

执行限定条件

内容：

评分：

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

订阅名称：

通借通还

温馨提示：

图书名称：

借书校区：

取书校区：

手机号码：

邮箱地址：

一卡通帐号：

电话和邮箱必须正确填写，我们会与您联系确认。

联系人：

所在院系：

联系邮箱：

联系电话：

内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区大学西街235号邮编: 010021

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：