检索结果-内蒙古大学图书馆

中国集成电路 2023年第9期32卷 20-22,29页

作者：王棋张颖西安紫光国芯半导体有限公司

为了降低现有动态随机存取存储器(DRAM)刷新控制器基于平均刷新时间(tREFI)发送刷新指令所带来的系统性能损失,本文提供了一种自适应DRAM刷新控制方法和DRAM刷新控制器。本设计先将刷新指令进行缓存,然后判断读写总线状态,若读写总线空... 详细信息

为了降低现有动态随机存取存储器(DRAM)刷新控制器基于平均刷新时间(tREFI)发送刷新指令所带来的系统性能损失,本文提供了一种自适应DRAM刷新控制方法和DRAM刷新控制器。本设计先将刷新指令进行缓存,然后判断读写总线状态,若读写总线空闲,将缓存的刷新指令顺序发送DRAM;若读写总线处于工作状态,依据缓存中刷新指令的数目决定是否将缓存的刷新指令顺序发给DRAM。

关键词： DRAM 刷新控制方法刷新控制器

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存储器刷新控制方法、刷新控制器及电子设备

存储器刷新控制方法、刷新控制器及电子设备

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作者：王赞黄金虎邓冏曾纪国郭宗平 410131 湖南省长沙市长沙经济技术开发区泉塘街道东十路南段9号

本发明实施例公开了一种存储器刷新控制方法、刷新控制器及电子设备，所述刷新控制器与目标存储器通信连接，所述目标存储器包括预设数量的bank，所述方法包括：根据按照预设时间周期生成的第一启动信号或按照预设计数值情况生成的第二... 详细信息

标准号: CN115691604A

本发明实施例公开了一种存储器刷新控制方法、刷新控制器及电子设备，所述刷新控制器与目标存储器通信连接，所述目标存储器包括预设数量的bank，所述方法包括：根据按照预设时间周期生成的第一启动信号或按照预设计数值情况生成的第二启动信号生成刷新请求；根据所述刷新请求确定目标bank；向所述目标存储器发送包括所述目标bank的目标刷新指令，以控制所述目标bank进行数据刷新。本发明通过硬件结构实现了对存储器的bank刷新控制，在节省CPU资源的同时，提高了对存储器的读写效率。

关键词：目标存储器刷新控制器存储器启动信号刷新请求预设时间周期存储器刷新电子设备数据刷新刷新控制通信连接硬件结构预设计读写预设发送指令

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用于多通道DRAM的动态同步刷新控制器和动态同步刷新控制方法

用于多通道DRAM的动态同步刷新控制器和动态同步刷新控制方法

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作者：陈胜刚扈啸张洋李晨刘畅曹壮鲁建壮孙书为雷元武陈小文刘胜刘仲陈海燕 410073 湖南省长沙市开福区砚瓦池正街47号

一种用于多通道DRAM的动态同步刷新控制器及动态同步刷新控制方法，该控制器包括：总线接口，用于提供SoC主机对DRAM同步实时刷新控制器的访问功能；控制寄存器组；同步刷新控制器，用来完成对通道DRAM控制器的刷新功能的禁止和使能，... 详细信息

标准号: CN114564422B

一种用于多通道DRAM的动态同步刷新控制器及动态同步刷新控制方法，该控制器包括：总线接口，用于提供SoC主机对DRAM同步实时刷新控制器的访问功能；控制寄存器组；同步刷新控制器，用来完成对通道DRAM控制器的刷新功能的禁止和使能，设置通道DRAM控制器的刷新周期和刷新计数器，发送强制刷新请求；刷新监控单元，用来根据总线接口收集的各DRAM通道控制器的刷新状态，实时监控各通道DRAM的刷新状态，计算各通道刷新不可服务间隙出现时间，并与控制寄存器组进行实时对比，并将比较结果实时反馈给同步刷新控制器。该方法基于上述系统来实施。本发明具有结构简单、成本低廉、易实现和推广、可极大降低并行程序等优点。

关键词：控制器控制寄存器组动态同步同步刷新总线接口刷新计数器刷新控制器通道控制器并行程序访问功能监控单元实时对比实时反馈实时监控实时刷新刷新控制刷新请求刷新周期通道刷新多通道使能主机发送服务

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刷新控制器以及包括刷新控制器的存储器设备

刷新控制器以及包括刷新控制器的存储器设备

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作者：吴钟旻宋镐永韩国京畿道

一种存储器设备的刷新控制器可以包括定时控制器、刷新计数器以及地址生成器。定时控制器响应于接收从外部设备所提供的刷新命令来生成计数器刷新信号，并且生成被周期性地激活的敲击刷新信号。刷新计数器响应于计数器刷新信号生成计数... 详细信息

标准号: CN107068174B

一种存储器设备的刷新控制器可以包括定时控制器、刷新计数器以及地址生成器。定时控制器响应于接收从外部设备所提供的刷新命令来生成计数器刷新信号，并且生成被周期性地激活的敲击刷新信号。刷新计数器响应于计数器刷新信号生成计数器刷新地址信号，使得计数器刷新地址信号表示行地址，刷新计数器被配置为顺序地改变计数器刷新地址信号。地址生成器响应于敲击刷新信号来生成敲击刷新地址信号，敲击刷新地址信号表示与对应于被密集地访问的敲击地址的存储器设备的行物理上相邻的存储器设备的行的地址。

关键词：刷新地址信号计数器敲击刷新信号存储器设备刷新计数器地址生成器定时控制器响应外部设备刷新控制器行地址激活配置访问

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刷新控制器以及包括刷新控制器的存储器设备

刷新控制器以及包括刷新控制器的存储器设备

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作者：吴钟旻宋镐永韩国京畿道

标准号: CN107068174A

关键词：刷新地址信号计数器敲击刷新信号存储器设备刷新计数器地址生成器定时控制器响应外部设备刷新控制器行地址激活配置访问敲击计数器刷新信号刷新地址信号存储器设备刷新控制器配置响应刷新计数器刷新操作行地址地址生成器定时控制器时间段激活参考外部访问

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一种刷新控制器程序的方法及装置

一种刷新控制器程序的方法及装置

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作者：卢珊 241006 安徽省芜湖市芜湖经济技术开发区长春路8号

本发明提供了一种刷新控制器程序的方法及装置，该方法包括：找到外部设备存储的十六进制格式的刷新文件；获取刷新文件中的第一个段地址行和第一个数据类型记录行，或者第一个线性地址行和第一个数据类型记录行，并计算得到起始地址；... 详细信息

标准号: CN106844230A

本发明提供了一种刷新控制器程序的方法及装置，该方法包括：找到外部设备存储的十六进制格式的刷新文件；获取刷新文件中的第一个段地址行和第一个数据类型记录行，或者第一个线性地址行和第一个数据类型记录行，并计算得到起始地址；获取刷新文件中的最后一个段地址行和最后一个数据类型记录行，或者最后一个线性地址行和最后一个数据类型记录行，并计算得到结束地址；根据起始地址和结束地址，计算得到刷新文件的大小；根据刷新文件的大小，准备控制器的相应的存储空间；将刷新文件发送至存储空间。本发明提供的方法及装置，可采用十六进制格式的刷新文件对控制器的程序进行刷新。

关键词：刷新文件数据类型记录行十六进制格式存储空间起始地址线性地址控制器段地址外部设备刷新控制器存储发送

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一种DRAM刷新控制器及多通道DRAM同步刷新方法

一种DRAM刷新控制器及多通道DRAM同步刷新方法

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作者：陈胜刚刘宗林刘胜雷元武曾思王耀华万江华陈海燕陈小文 410073 湖南省长沙市开福区砚瓦池正街47号中国人民解放军国防科学技术大学计算机学院微电子与微处理器研究所

一种DRAM刷新控制器及多通道DRAM同步刷新方法，该控制器包括：控制寄存器，包括刷新周期寄存器R1和周期更新标志寄存器R0；刷新周期寄存器R1用于保存用户设置的刷新命令的发送周期；更新标志寄存器R0用于控制将刷新周期寄存器R1中的值... 详细信息

标准号: CN105810235A

一种DRAM刷新控制器及多通道DRAM同步刷新方法，该控制器包括：控制寄存器，包括刷新周期寄存器R1和周期更新标志寄存器R0；刷新周期寄存器R1用于保存用户设置的刷新命令的发送周期；更新标志寄存器R0用于控制将刷新周期寄存器R1中的值更新到刷新控制状态机；刷新控制状态机，包含刷新计数器C0和状态机FSM；状态机FSM根据刷新计数器C0和系统数据通路的状态，控制向DIMM存储器发送的刷新命令；刷新计数器C0记录的刷新周期值是在更新标志寄存器R0为1的时钟周期所采样的刷新周期寄存器R1的值。该方法是基于上述控制器的同步刷新方法。本发明具有结构简单、成本低廉、易实现和推广、可极大降低并行程序的同步数据访问开销等优点。

关键词：寄存器刷新周期状态机刷新计数器更新标志刷新控制同步刷新控制器标志寄存器控制寄存器刷新控制器并行程序发送周期时钟周期同步数据系统数据用户设置周期更新存储器多通道采样发送保存更新记录访问

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一种DRAM刷新控制器及多通道DRAM同步刷新方法

一种DRAM刷新控制器及多通道DRAM同步刷新方法

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标准号: CN105810235B

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一种自适应DRAM刷新控制方法和DRAM刷新控制器

一种自适应DRAM刷新控制方法和DRAM刷新控制器

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作者：李乾男王帅王龙 710055 陕西省西安市高新区软件新城天谷八路528号国家电子商务示范基地西区606

为了降低现有DRAM刷新控制器基于tREFI发送刷新指令所带来的系统性能损失，本发明提供了一种自适应DRAM刷新控制方法和DRAM刷新控制器。本发明先将刷新指令进行缓存，然后判断读写总线状态，若读写总线空闲，将缓存的刷新指令顺序发送D... 详细信息

标准号: CN110299164B

为了降低现有DRAM刷新控制器基于tREFI发送刷新指令所带来的系统性能损失，本发明提供了一种自适应DRAM刷新控制方法和DRAM刷新控制器。本发明先将刷新指令进行缓存，然后判断读写总线状态，若读写总线空闲，将缓存的刷新指令顺序发送DRAM；若读写总线处于工作状态，依据缓存中刷新指令的数目决定是否将缓存的刷新指令顺序发给DRAM。

关键词：缓存指令读写刷新控制器系统性能损失刷新控制顺序发送总线空闲总线状态自适应总线发送

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一种动态存储器刷新方法与刷新控制器

一种动态存储器刷新方法与刷新控制器

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作者：桑红石王文张天序梁巢兵高英华石志伟何宏张鹏剑 430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号

本发明公开了一种动态存储器刷新方法与刷新控制器，属于半导体存储器技术领域。本发明基于增益单元存储器，利用增益存储单元有二组相互独立的字线和位线，在时钟的上半周期完成外部访问的读/写操作，而在时钟下半周期完成刷新读/刷新... 详细信息

标准号: CN104505117B

本发明公开了一种动态存储器刷新方法与刷新控制器，属于半导体存储器技术领域。本发明基于增益单元存储器，利用增益存储单元有二组相互独立的字线和位线，在时钟的上半周期完成外部访问的读/写操作，而在时钟下半周期完成刷新读/刷新写操作。本发明根据增益单元的刷新同期、存储Bank的行数以及时钟周期产生刷新请求信号以及刷新状态信号；根据刷新状态产生相应的刷新读、刷新写操作的控制信号控制刷新读和刷新写操作与外部读/外部写操作并行进行。本发明消除了刷新操作与外部访问的冲突，使存储器能够完全随机实时地进行访问。

关键词：写操作存储器外部访问增益单元半周期半导体存储器刷新请求信号动态存储器刷新控制器存储单元控制信号时钟周期刷新操作状态产生状态信号外部位线行数字线并行存储冲突访问

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