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文字说明：

T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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文献类型

146 篇 专利
1 篇 期刊文献

馆藏范围

147 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

学科分类号

1 篇 工学
- 1 篇 计算机科学与技术...
1 篇 管理学
- 1 篇 管理科学与工程(可...

主题

1 篇 社交app
1 篇 能耗优化
1 篇 边缘计算
1 篇 markov决策过程
1 篇 刷新模式

机构

25 篇 广州文石信息科技...
17 篇 掌阅科技股份有限...
17 篇 深圳市掌阅科技有...
10 篇 长鑫存储技术有限...
5 篇 美光科技公司
4 篇 精工爱普生株式会...
4 篇 三星电子株式会社
3 篇 爱思开海力士有限...
3 篇 奇瑞汽车股份有限...
3 篇 华为技术有限公司
3 篇 西北大学
3 篇 高通股份有限公司
2 篇 苏州浪潮智能科技...
2 篇 国网天津市电力公...
2 篇 国家电网有限公司
2 篇 联想有限公司
2 篇 鲁汶天主教大学
2 篇 海力士半导体有限...
2 篇 军事科学院系统工...
2 篇 华邦电子股份有限...

作者

24 篇 朱增
17 篇 程超
12 篇 许俊文
10 篇 潘峥韵
6 篇 陶红涛
3 篇 刘斌
3 篇 郑杰
3 篇 高岭
3 篇 王海
3 篇 n·j·迈尔
3 篇 郭延超
2 篇 沈荣辅
2 篇 汪兴
2 篇 杨旭东
2 篇 蒋新淼
2 篇 j·吉诺
2 篇 小池亚衣
2 篇 宫坂德章
2 篇 申丞濬
2 篇 韩会贤

语言

147 篇 中文

检索条件"主题词=刷新模式"

共 147 条记录，以下是91-100 订阅

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详细简洁

排序：

利用页面打开的存储器刷新操作

利用页面打开的存储器刷新操作

引用

作者： B.夸尔巴克 K.S.拜因斯 J.B.哈尔伯特美国加利福尼亚州

实施例一般地涉及利用页面打开的存储器刷新操作。存储器设备的实施例包括：包括多个存储体的存储器阵列;以及控制逻辑，用于为包括页面打开刷新模式的存储器设备提供控制操作，其中，所述控制逻辑响应于利用存储器阵列的存储器页面打... 详细信息

标准号: CN108352177A

实施例一般地涉及利用页面打开的存储器刷新操作。存储器设备的实施例包括：包括多个存储体的存储器阵列;以及控制逻辑，用于为包括页面打开刷新模式的存储器设备提供控制操作，其中，所述控制逻辑响应于利用存储器阵列的存储器页面打开的刷新命令来执行刷新周期，所述刷新操作包括多个存储体的一个或多个存储体的预充电、一个或多个存储体的刷新以及存储器页面的激活。

关键词：存储体存储器设备存储器阵列控制逻辑页面打开存储器刷新存储器页面存储器页刷新操作刷新模式刷新周期预充电激活响应

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刷新命令保护方法及电路、存储器刷新方法及电路、设备

刷新命令保护方法及电路、存储器刷新方法及电路、设备

引用

作者：范习安曹先雷 230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号

本公开是关于一种刷新命令保护方法、刷新命令保护电路、存储器刷新方法、存储器刷新电路及电子设备，涉及集成电路技术领域。该刷新命令保护方法包括：获取预设刷新配置信号、刷新窗口信号和刷新命令；在预设刷新配置信号为正常刷新模... 详细信息

标准号: CN113823340A

本公开是关于一种刷新命令保护方法、刷新命令保护电路、存储器刷新方法、存储器刷新电路及电子设备，涉及集成电路技术领域。该刷新命令保护方法包括：获取预设刷新配置信号、刷新窗口信号和刷新命令；在预设刷新配置信号为正常刷新模式时，如果刷新命令为单阵列刷新命令，则根据单阵列刷新命令和刷新窗口信号，将正常刷新模式转换为细粒度刷新模式；在细粒度刷新模式下，控制单阵列刷新命令执行。本公开可以确保单阵列刷新命令顺利执行，减少存储单元出现漏电风险的概率。

关键词：刷新模式单阵列窗口信号配置信号细粒度预设存储器刷新电路集成电路技术存储器刷新漏电存储单元电子设备命令执行电路转换概率

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抗单粒子翻转的SRAM型FPGA刷新电路及刷新方法

抗单粒子翻转的SRAM型FPGA刷新电路及刷新方法

引用

作者：冯汝鹏徐伟郑晓云朴永杰王绍举徐拓奇金光 130033 吉林省长春市东南湖大路3888号

抗单粒子翻转的SRAM型FPGA刷新电路及刷新方法，涉及现场可编程门阵列的空间抗单粒子翻转领域，解决现有SRAM型FPGA刷新电路及方法利用外部控制器实现对配置命令和配置数据的重新加载，存在电路复杂度高，控制器存在不稳定性等问题，采... 详细信息

标准号: CN104051002B

抗单粒子翻转的SRAM型FPGA刷新电路及刷新方法，涉及现场可编程门阵列的空间抗单粒子翻转领域，解决现有SRAM型FPGA刷新电路及方法利用外部控制器实现对配置命令和配置数据的重新加载，存在电路复杂度高，控制器存在不稳定性等问题，采用两片相同的存储器，BOOT存储了完整的配置文件，配置文件中包含了用户要实现的功能模块和FGPA实现自身刷新的刷新模块，SCRUB存储了编辑后的配置文件，FPGA加载完第一片存储器后，刷新模块启动进入刷新模式，通过周期性地读取SCRUB存储器中的配置文件，实现FPGA正常工作下的周期刷新。本发明有效地降低FPGA刷新的功耗和电路复杂度。

关键词：配置文件存储器抗单粒子翻转电路复杂度刷新电路刷新模块存储现场可编程门阵列读取外部控制器不稳定性配置命令配置数据刷新模式重新加载控制器有效地功耗加载

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基于电子墨水显示屏的电脑显示器

基于电子墨水显示屏的电脑显示器

引用

作者：龚东 100193 北京市海淀区天秀路10号中国农大国际创业园3号楼B座2019室

本发明提供了基于电子墨水显示屏的电脑显示器，其包括：EPD显示屏，其用于显示视频画面；电源控制电路，其用于向所述EPD显示屏提供驱动电压；时序控制电路，其用于向所述电源控制电路提供用于控制所述驱动电压的产生和撤除的控制信号... 详细信息

标准号: CN104123917B

本发明提供了基于电子墨水显示屏的电脑显示器，其包括：EPD显示屏，其用于显示视频画面；电源控制电路，其用于向所述EPD显示屏提供驱动电压；时序控制电路，其用于向所述电源控制电路提供用于控制所述驱动电压的产生和撤除的控制信号，并且所述时序控制电路还用于按视频画面刷新模式向所述EPD显示屏提供用于驱动所述EPD显示屏的驱动信号；微控制电路，其用于向所述时序控制电路提供视频画面刷新模式；以及视频图像转换装置，其从电脑接收视频信号，并将所述视频信号转换为适于在所述EPD显示屏上显示的具有不同灰度的画面信号，并将所述具有不同灰度的画面信号提供给所述微控制电路。

关键词：显示屏时序控制电路视频画面电源控制电路微控制电路画面信号驱动电压刷新模式灰度电子墨水显示屏接收视频信号视频图像转换视频信号转换电脑显示器控制信号驱动信号撤除驱动电脑

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墨水屏设备的刷新显示方法、电子设备及存储介质

墨水屏设备的刷新显示方法、电子设备及存储介质

引用

作者：程超刘斌 100124 北京市朝阳区四惠大厦2029E

本发明公开了一种墨水屏设备的刷新显示方法、墨水屏设备及存储介质，方法基于预先定义和存储的减帧刷新指令而实现，方法包括：确定墨水屏设备的当前刷新模式；根据当前刷新模式和/或用户操作，判断是否符合减帧刷新处理条件；若是，... 详细信息

标准号: CN113377485A

本发明公开了一种墨水屏设备的刷新显示方法、墨水屏设备及存储介质，方法基于预先定义和存储的减帧刷新指令而实现，方法包括：确定墨水屏设备的当前刷新模式；根据当前刷新模式和/或用户操作，判断是否符合减帧刷新处理条件；若是，则调取减帧刷新指令，以供显示控制模块在接收到减帧刷新指令之后，采用当前刷新模式进行刷新显示时执行减帧处理。基于减帧刷新指令对符合减帧刷新处理条件的当前刷新模式和/或用户操作，执行减帧处理，提升刷新模式的处理速度，使墨水屏设备展示的画面更流畅，提升用户使用体验。

关键词：刷新模式墨水指令刷新显示用户操作帧处理显示控制模块存储介质设备展示用户使用预先定义调取存储

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一种内存装置以及虚拟静态随机存取内存的刷新方法

一种内存装置以及虚拟静态随机存取内存的刷新方法

引用

作者：侯建杕杜盈德中国台湾台中市

本申请公开了一种内存装置以及虚拟静态随机存取内存的刷新方法，上述内存装置包括一虚拟静态随机存取内存、一字线仲裁器与一刷新控制器。上述字线仲裁器接收一字线信号，并根据一突发长度设定值对上述字线信号分段，得到一分段字线信... 详细信息

标准号: CN111276175A

本申请公开了一种内存装置以及虚拟静态随机存取内存的刷新方法，上述内存装置包括一虚拟静态随机存取内存、一字线仲裁器与一刷新控制器。上述字线仲裁器接收一字线信号，并根据一突发长度设定值对上述字线信号分段，得到一分段字线信号。在一同步模式下，上述刷新控制器提供对应于上述字线信号的一第一刷新触发信号对上述虚拟静态随机存取内存进行刷新。在一智能刷新模式下，上述刷新控制器提供对应于上述分段字线信号的一第二刷新触发信号对上述虚拟静态随机存取内存进行刷新。

关键词：随机存取内存虚拟静态刷新控制器触发信号内存装置字线信号分段字一字线仲裁器长度设定刷新模式同步模式字线分段智能申请

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用于半导体存储器件的刷新控制电路及方法

用于半导体存储器件的刷新控制电路及方法

引用

作者：沈荣辅韩国京畿道

本发明提供了用于半导体存储器件的刷新控制电路及方法。本发明提供一种半导体存储器件，包括：刷新计数器，其响应于在激活模式下被使能的激活模式信号而对刷新信号计数和输出刷新地址；外部地址输入缓冲器，其响应于在外部地址刷新模... 详细信息

标准号: CN102655023B

本发明提供了用于半导体存储器件的刷新控制电路及方法。本发明提供一种半导体存储器件，包括：刷新计数器，其响应于在激活模式下被使能的激活模式信号而对刷新信号计数和输出刷新地址；外部地址输入缓冲器，其响应于在外部地址刷新模式下被使能的模式选择信号而缓冲外部地址以输出内部地址；地址选择器，其响应于刷新信号和模式选择信号，在正常刷新模式下输出来自刷新计数器的刷新地址作为选择行地址，而在外部地址刷新模式下输出来自外部地址输入缓冲器的内部地址作为选择行地址；以及行地址译码器，其通过将选择行地址译码来产生用于顺序地访问字线的行地址选择信号。

关键词：外部地址刷新模式选择行输出半导体存储器件模式选择信号输入缓冲器刷新计数器激活模式内部地址刷新信号使能响应刷新控制电路行地址译码器地址选择器地址译码选择信号行地址缓冲字线访问

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一种混合存储器结构的低功耗刷新方法

一种混合存储器结构的低功耗刷新方法

引用

作者：景蔚亮陈邦明 201500 上海市金山区亭卫公路6505号

本发明提供了一种混合存储器结构的低功耗刷新方法，当DRAM处于非繁忙状态，运行在温度敏感模式下，非易失性存储器中的存储单元替代当前温度范围内中检测到的最差存储单元，重新配置所述DRAM刷新周期；如果在某一时刻检测到当前温度变... 详细信息

标准号: CN103811048B

本发明提供了一种混合存储器结构的低功耗刷新方法，当DRAM处于非繁忙状态，运行在温度敏感模式下，非易失性存储器中的存储单元替代当前温度范围内中检测到的最差存储单元，重新配置所述DRAM刷新周期；如果在某一时刻检测到当前温度变化到另一温度范围，那么更新最差存储单元信息，更新刷新周期；如果DRAM运行在温度不敏感模式，非易失性存储器中的存储单元替代检测到的最差存储单元，重新配置DRAM的刷新周期；如果在某一时刻DRAM运行温度超过规定值时，DRAM会由低功耗刷新模式切换回常规刷新模式。本发明的技术方案实现了刷新周期的提高，节省了刷新功耗，并且基本不影响原DRAM的存储与读取性能。

关键词：存储单元刷新周期非易失性存储器刷新模式重新配置低功耗存储单元信息非繁忙状态混合存储器温度不敏感读取性能时刻检测温度超过温度敏感检测替代更新功耗存储

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半导体存储器的测试电路和测试方法

半导体存储器的测试电路和测试方法

引用

作者：陈继兴刘忠来 230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号

本申请提供一种半导体存储器的测试电路和测试方法，包括计数模块和控制模块，计数模块的输入端接收刷新脉冲信号，刷新脉冲信号指示半导体存储器进行自刷新操作，计数模块在半导体存储器以最小的自刷新间隔频繁进入自刷新模式时对刷新... 详细信息

标准号: CN115273954A

本申请提供一种半导体存储器的测试电路和测试方法，包括计数模块和控制模块，计数模块的输入端接收刷新脉冲信号，刷新脉冲信号指示半导体存储器进行自刷新操作，计数模块在半导体存储器以最小的自刷新间隔频繁进入自刷新模式时对刷新脉冲信号进行计数输出计数值。控制模块的输入端耦合计数模块的输出端，获取计数模块输出的计数值。若半导体存储器的优化刷新模式处于正常状态，半导体存储器以最小的刷新间隔频繁进入自刷新模式时，由于最小的自刷新间隔小于刷新时间间隔，则并未每次进入自刷新模式均会进行自刷新操作。因此控制模块并非每次获取的计数值均会发生变化，则控制模块可以根据计数值确定半导体存储器的优化刷新模式是否处于正常状态。

关键词：半导体存储器计数模块控制模块自刷新自刷新模式脉冲信号刷新模式脉冲信号指示刷新时间间隔输入端耦合测试电路数值确定输出输出端输入端优化测试申请

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一种实时刷新装置及其方法、具有该实时刷新装置的系统

一种实时刷新装置及其方法、具有该实时刷新装置的系统

引用

作者：张宏财宣浩段晓超陈之涛汪永军段玲琳李化雷 230000 安徽省合肥市高新技术开发区香樟大道199号

本发明公开了一种实时刷新装置及其方法、具有该实时刷新装置的系统。该装置包括一片PROM芯片、一片刷新芯片、两片晶振。PROM芯片存储FPGA芯片的配置码流，刷新芯片通过检测FPGA芯片的Done信号来决定进入配置模式还是刷新模式。Done信... 详细信息

标准号: CN106154909A

本发明公开了一种实时刷新装置及其方法、具有该实时刷新装置的系统。该装置包括一片PROM芯片、一片刷新芯片、两片晶振。PROM芯片存储FPGA芯片的配置码流，刷新芯片通过检测FPGA芯片的Done信号来决定进入配置模式还是刷新模式。Done信号为低电平信号时，刷新芯片自动进入配置模式，等待该FPGA芯片的配置完成。当Done信号变高电平信号后，刷新芯片自动进入刷新模式，检测FPGA芯片型号并盲刷操作。本发明能够适应宇宙空间的单粒子翻转效应、总剂量效应等，大幅度降低SRAM型FPGA刷新系统设计的难度和复杂度。本发明还公开该装置的实时刷新方法、具有该装置的能实时刷新的星载SRAM型FPGA系统。

关键词：实时刷新芯片配置模式刷新模式单粒子翻转低电平信号高电平信号总剂量效应刷新系统芯片存储宇宙空间复杂度检测码流片晶星载配置

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