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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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45 篇 专利

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机构

10 篇 长鑫存储技术有限...
4 篇 中芯国际集成电路...
3 篇 睿力集成电路有限...
3 篇 京东方科技集团股...
2 篇 蓝思科技有限公司
2 篇 南京农业大学
2 篇 上海先进半导体制...
2 篇 海力士半导体有限...
2 篇 爱思开海力士有限...
2 篇 映瑞光电科技有限...
2 篇 成都京东方光电科...
2 篇 北京大学
1 篇 上海华虹宏力半导...
1 篇 北京京东方技术开...
1 篇 谊美吉斯光电科技...
1 篇 上海芯赫科技有限...
1 篇 中国科学院微电子...
1 篇 矽力杰半导体技术...
1 篇 三星电子株式会社
1 篇 飞思卡尔半导体公...

作者

3 篇 曹新满
2 篇 赵国
2 篇 金泰润
2 篇 肖祥
2 篇 吴金刚
2 篇 高关且
2 篇 卢慧玲
2 篇 周炟
2 篇 张盛东
2 篇 廖文骏
2 篇 毕少强
2 篇 陈磊
2 篇 张陶然
2 篇 张伟涛
2 篇 张利涛
2 篇 张挺
2 篇 朱二辉
2 篇 焦超
2 篇 邝国华
2 篇 赵晟

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45 篇 中文

检索条件"主题词=刻蚀导电层"

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半导体结构及制备方法

半导体结构及制备方法

引用

作者：李晓平惠世鹏王沛萌郗宁 230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号

本发明提供一种半导体结构及制备方法，包括：提供衬底，衬底包括阵列区和外围区，阵列区上形成有间隔排布的着陆垫结构，外围区上形成有导电层；形成保护层，保护层覆盖着陆垫结构；刻蚀导电层，以在导电层内形成多个开口；形成层间介... 详细信息

标准号: CN118338655A

本发明提供一种半导体结构及制备方法，包括：提供衬底，衬底包括阵列区和外围区，阵列区上形成有间隔排布的着陆垫结构，外围区上形成有导电层；形成保护层，保护层覆盖着陆垫结构；刻蚀导电层，以在导电层内形成多个开口；形成层间介质层，以填充导电层中的开口和相邻着陆垫结构之间的间隙。通过在着陆垫结构上形成保护层，保证了着陆垫结构的结构完整性和稳定性，从而有效降低着陆垫结构与电容结构之间的接触电阻，提高产品的良率。

关键词：着陆保护层导电层外围区阵列区衬底开口半导体结构结构完整性刻蚀导电层导电层中电容结构间隔排布接触电阻介质层良率填充制备覆盖保证

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阵列基板、阵列基板的制备方法、显示面板和显示装置

阵列基板、阵列基板的制备方法、显示面板和显示装置

引用

作者：杨维孟凡娜胡合合 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号

本申请实施例提供一种阵列基板、阵列基板的制备方法、显示面板和显示装置，其中，阵列基板包括：衬底；源漏金属层，设置于衬底的一侧；第一有源层，设置于源漏金属层的背离衬底的一侧，第一有源层包括沟道区域；耐刻蚀导电层，设置于... 详细信息

标准号: CN117406505A

本申请实施例提供一种阵列基板、阵列基板的制备方法、显示面板和显示装置，其中，阵列基板包括：衬底；源漏金属层，设置于衬底的一侧；第一有源层，设置于源漏金属层的背离衬底的一侧，第一有源层包括沟道区域；耐刻蚀导电层，设置于源漏金属层的背离衬底的一侧且连接于沟道区域；钝化层，设置于第一有源层的背离衬底的一侧，钝化层设置有暴露源漏金属层和耐刻蚀导电层的过孔；第一透明电极层，设置于钝化层的背离衬底的一侧且通过过孔与源漏金属层和耐刻蚀导电层连接。本申请实施例的技术方案可以使第一透明电极层和耐刻蚀导电层之间的接触电阻较小，从而提升显示面板的显示效果。

关键词：衬底源漏金属层刻蚀导电层阵列基板钝化层背离源层透明电极层沟道区域显示面板接触电阻显示效果显示装置制备申请暴露

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一种基于激光诱导的可穿戴柔性电路及其制备方法

一种基于激光诱导的可穿戴柔性电路及其制备方法

引用

作者：赵国张伟涛汪小旵张利涛赵晟 210031 江苏省南京市浦口区点将台路40号

本发明公开了一种基于激光诱导的可穿戴柔性电路及其制备方法，所述方法为采用激光诱导刻蚀导电层或保护层：其一，利用了导电层与长链高分子保护层对激光的吸收系数的差别，首先对覆盖在导电层表面的激光吸收系数高的长链高分子保护层... 详细信息

标准号: CN114143976B

本发明公开了一种基于激光诱导的可穿戴柔性电路及其制备方法，所述方法为采用激光诱导刻蚀导电层或保护层：其一，利用了导电层与长链高分子保护层对激光的吸收系数的差别，首先对覆盖在导电层表面的激光吸收系数高的长链高分子保护层进行诱导刻蚀，其暴露部分的导电层经刻蚀液刻蚀后，直接生成带有长链高分子保护层的电路，还可利用相同原理，减去刻蚀液刻蚀步骤后快速制备柔性电路的焊孔；其二，利用激光对不同厚度的导电层作用差异，通过调整激光诱导参数、导电层厚度和长链高分子保护层的材料来调整柔性电路的制备工艺及步骤，实现柔性电路干法化制备。本发明与传统电路制备工艺相比，简化了工艺流程，降低了生产成本，拥有大规模应用的潜力。

关键词：保护层长链高分子柔性电路导电层激光诱导刻蚀液刻蚀制备工艺制备激光激光吸收系数大规模应用导电层表面刻蚀导电层传统电路快速制备吸收系数作用差异工艺流程可穿戴干法减去焊孔刻蚀生产成本电路诱导暴露覆盖

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显示装置及其OLED面板、OLED面板的制作方法

显示装置及其OLED面板、OLED面板的制作方法

引用

作者：张陶然周炟廖文骏 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号

本发明提供了一种显示装置及其OLED面板、OLED面板的制作方法，OLED面板的制作方法包括：在基底的显示区形成多层无机层，同时在基底的弯折区形成至少一层无机层；在弯折区的无机层远离基底的一侧形成第一有机填平层；在第一有机填平层... 详细信息

标准号: CN111276492B

本发明提供了一种显示装置及其OLED面板、OLED面板的制作方法，OLED面板的制作方法包括：在基底的显示区形成多层无机层，同时在基底的弯折区形成至少一层无机层；在弯折区的无机层远离基底的一侧形成第一有机填平层；在第一有机填平层内形成若干条沟槽，以暴露无机层；在显示区的无机层以及弯折区的第一有机填平层远离基底的一侧形成导电层；刻蚀导电层，在显示区形成若干条数据信号线，同时至少暴露弯折区的无机层，以在弯折区形成若干条数据信号引线，相邻条数据信号引线由无机层隔断，每条数据信号引线与对应条数据信号线连接。根据本发明的实施例，能避免相邻发光结构串扰。

关键词：无机层弯折区基底数据信号填平层显示区数据信号线刻蚀导电层发光结构显示装置导电层相邻条暴露隔断串扰多层制作

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集成电路存储器及其制备方法、半导体器件

集成电路存储器及其制备方法、半导体器件

引用

作者：请求不公布姓名 230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室

本发明提供一种集成电路存储器及其形成方法、半导体器件，所述方法包括在基底上形成第一间隔材料层，并刻蚀形成多个第一开口，每一第一开口暴露出两个相邻的位线接触区以及两个位线接触区之间的字线，形成阻挡层在第一开口的底部及侧... 详细信息

标准号: CN108520876B

本发明提供一种集成电路存储器及其形成方法、半导体器件，所述方法包括在基底上形成第一间隔材料层，并刻蚀形成多个第一开口，每一第一开口暴露出两个相邻的位线接触区以及两个位线接触区之间的字线，形成阻挡层在第一开口的底部及侧壁，并部分填充导电层在第一开口内以形成第二开口，填充绝缘材料层在第二开口内，并刻蚀形成第三开口，以剩余的绝缘层为掩膜刻蚀导电层和阻挡层，形成暴露字线的通孔，填充第二间隔材料层在通孔内，形成多条位线，位线包括导电层及阻挡层，导电层的底部经由阻挡层与位线接触电性连接，阻挡层还延伸覆盖于导电层位于所述第一间隔材料层的侧面，能够更好的防止位线金属扩散到位线接触，从而提高器件的性能。

关键词：开口阻挡层导电层间隔材料刻蚀通孔位线字线填充绝缘层集成电路存储器填充绝缘材料半导体器件刻蚀导电层位线接触区电性连接位线接触位线金属线接触区延伸覆盖线接触暴露个位侧壁基底掩膜侧面扩散

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半导体结构引线的制备方法及半导体结构

半导体结构引线的制备方法及半导体结构

引用

作者：周仲彦 230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室

本申请涉及一种半导体结构引线制备方法及半导体结构，制备方法包括：提供覆有导电层的基底，基底具有侧面相接的第一区域和第二区域；在导电层上形成叠设的第二介质层、第一介质层和掩膜层，第一介质层呈条状，第一介质层和第二介质层... 详细信息

标准号: CN113539837B

本申请涉及一种半导体结构引线制备方法及半导体结构，制备方法包括：提供覆有导电层的基底，基底具有侧面相接的第一区域和第二区域；在导电层上形成叠设的第二介质层、第一介质层和掩膜层，第一介质层呈条状，第一介质层和第二介质层自第二区域延伸至第一区域内，掩膜层覆盖仅第一区域；第一次刻蚀第二介质层；去除第一区域内的掩膜层；第二次刻蚀第二介质层，分别在第一区域和第二区域形成暴露出导电层的第一窗口和第二窗口，第一窗口底部宽度小于第二窗口底部宽度；刻蚀导电层，形成引线，引线包括位于第一区域上的宽线和位于第二区域上的窄线。通过上述制备方法，形成的引线局部宽度较宽，可以用于与接触柱接触，从而减小接触电阻。

关键词：介质层第一区域第二区域导电层掩膜层制备半导体结构基底刻蚀刻蚀导电层接触电阻接触柱叠设减小宽线去除窄线侧面暴露延伸覆盖申请

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基于激光刻蚀的横向结构双电极器件阵列的制备方法

基于激光刻蚀的横向结构双电极器件阵列的制备方法

引用

作者：巫金波石博日王萍阳薛厂张萌颖温维佳 200444 上海市宝山区上大路99号

本发明提供一种基于激光刻蚀的横向结构双电极器件阵列的制备方法，利用脉冲激光在刻蚀过程中的光热效应累积，通过脉冲激光刻蚀导电层形成绝缘沟道，同时脉冲激光束附近产生的光热效应破坏沟道两侧的疏液层从而降低其疏液效果，形成热... 详细信息

标准号: CN115566103A

本发明提供一种基于激光刻蚀的横向结构双电极器件阵列的制备方法，利用脉冲激光在刻蚀过程中的光热效应累积，通过脉冲激光刻蚀导电层形成绝缘沟道，同时脉冲激光束附近产生的光热效应破坏沟道两侧的疏液层从而降低其疏液效果，形成热影响区。当将可通过溶液法生长晶体的溶液涂布在基底上时，热影响区的存在保证了溶液可以润湿并完全覆盖激光刻蚀产生的沟道。最后经过沉积形成的晶膜可以横向跨越沟道两侧，形成横向结构的双电极器件。根据本发明的制备方法无需分别进行活性材料以及电极材料的阵列化制备，仅通过激光刻蚀一种图案化过程即可完成，实现大面积、高通量、阵列化横向结构双电极器件的制备。

关键词：制备横向结构激光刻蚀双电极沟道光热效应脉冲激光热影响区阵列化溶液法生长晶体润湿刻蚀导电层脉冲激光束图案化过程电极材料横向跨越活性材料绝缘沟道刻蚀过程器件阵列溶液涂布高通量疏液层基底疏液沉积保证

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连接垫的形成方法及半导体结构

连接垫的形成方法及半导体结构

引用

作者：吴玉雷 230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号

本发明提出一种连接垫的形成方法，其中，形成方法包含：提供一衬底；在衬底表面依次形成导电层、第一图案定义层和第二图案定义层；在第二图案定义层上依次形成互为120°交叉的三组图案，三组图案的交叉部分于第二图案定义层形成... 详细信息

标准号: CN115588609A

本发明提出一种连接垫的形成方法，其中，形成方法包含：提供一衬底；在衬底表面依次形成导电层、第一图案定义层和第二图案定义层；在第二图案定义层上依次形成互为120°交叉的三组图案，三组图案的交叉部分于第二图案定义层形成六边形的图案定义结构；将图案定义结构向下转移，刻蚀去除部分第一图案定义层，剩余的第一图案定义层形成柱状结构，在刻蚀负载效应的作用下，柱状结构底部呈圆形；以剩余的第一图案定义层为掩膜刻蚀导电层，剩余的导电层形成圆形的连接垫。通过上述设计，本发明能够保证连接垫呈圆形，使得连接垫在电容图案化过程中具有更大的边界窗口，避免造成击穿而导致电容漏电的问题。

关键词：图案定义层连接垫图案定义柱状结构刻蚀图案导电层形成刻蚀导电层六边形漏电衬底表面电容图案负载效应导电层电容衬底击穿掩膜去除保证

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半导体结构及其制备方法

半导体结构及其制备方法

引用

作者：曹新满吴耆贤黄炜 230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号

本申请提供一种半导体结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，用于解决接触插塞的接触电阻大的技术问题，该制备方法包括在基底上形成导电层；在导电层上形成第一掩膜层，第一掩膜层具有多个第一掩膜图案；在隔离区的第一掩膜层上形成... 详细信息

标准号: CN116017976A

本申请提供一种半导体结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，用于解决接触插塞的接触电阻大的技术问题，该制备方法包括在基底上形成导电层；在导电层上形成第一掩膜层，第一掩膜层具有多个第一掩膜图案；在隔离区的第一掩膜层上形成第二掩膜层，以第二掩膜层为掩膜，刻蚀阵列区的第一掩膜层，以使阵列区的第一掩膜图案形成为第二掩膜图案；利用第一掩膜图案和第二掩膜图案刻蚀导电层，以使阵列区和隔离区的导电层形成多个间隔设置的导电结构；其中，在第二方向上，阵列区的导电结构的特征尺寸小于隔离区的导电结构的特征尺寸；在隔离区的导电结构上形成第一接触插塞。本申请能够减小第一接触插塞的接触电阻。

关键词：掩膜层导电结构掩膜图案隔离区阵列区接触插塞接触电阻导电层制备半导体技术领域掩膜图案形成半导体结构导电层形成刻蚀导电层间隔设置基底减小刻蚀掩膜申请

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MicroLED封装方法、结构

MicroLED封装方法、结构

引用

作者：康孝恒蔡克林李清雄叶奇唐波杨飞许凯 529152 广东省江门市新会区崖门镇新财富环保产业园206座A边第四层和B边第四层

本发明提供一种MicroLED封装方法、结构，该封装方法包括：S101：将发光芯片固定在凹槽内，形成贴合凹槽开口的第一绝缘层，基板为透明基板；S102：在第一绝缘层上形成与电极接触的第一通孔，形成导电层，刻蚀导电层形成导电线路，判断... 详细信息

标准号: CN114975391A

本发明提供一种MicroLED封装方法、结构，该封装方法包括：S101：将发光芯片固定在凹槽内，形成贴合凹槽开口的第一绝缘层，基板为透明基板；S102：在第一绝缘层上形成与电极接触的第一通孔，形成导电层，刻蚀导电层形成导电线路，判断第一绝缘层、导电线路形成的发光控制层的层数是否满足预设条件，若是，则执行S103，若否，则形成新的第一绝缘层，执行S102，其中，新的第一绝缘层覆盖导电线路；S103：在位于MicroLED最顶部的导电线路远离第一绝缘层一侧形成第二绝缘层、保护层。本发明缩减了MicroLED体积，降低了制造难度，提升了产品良率，并且减轻了光被遮挡的问题，提升了发光强度和发光效果，且增强了MicroLED的气密性。

关键词：绝缘层导电线路封装绝缘层覆盖刻蚀导电层凹槽开口产品良率电极接触发光控制发光效果发光芯片透明基板预设条件保护层导电层气密性最顶部基板贴合通孔遮挡制造

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