检索结果-内蒙古大学图书馆

您好，读者！请登录

内蒙古大学图书馆

首页
概况
党建
资源
服务
科研支持
- 论文收录引用证明
- 科技查新
知识产权
档案馆
帮助

咨询与建议

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

您的常用邮箱：*

您的手机号码：*

问题描述：

当前已输入0个字，您还可以输入200个字

全部搜索
期刊论文
图书
学位论文
标准
纸本馆藏
外文资源发现
数据库导航
超星发现

高级检索

时间限定

出版年份：

文献类型

图书期刊文献学位论文多媒体

馆藏选择

电子馆藏纸本馆藏

核心期刊

全部期刊 SCI 收录期刊 SSCI 收录期刊 EI 收录期刊 CSCD 收录期刊 CSSCI 收录期刊

语言

中文英文

文献类型

期刊文献图书学位论文标准纸本馆藏

帮助

文字说明：

T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

分类表

所选分类

>> <<

限定检索结果

文献类型

12 篇 专利

馆藏范围

12 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

机构

5 篇 中国工程物理研究...
2 篇 清华大学
2 篇 中芯集成电路有限...
1 篇 东南大学
1 篇 明基电通股份有限...
1 篇 武汉大学

作者

5 篇 高杨
5 篇 苏伟
5 篇 张照云
4 篇 施志贵
4 篇 彭勃
2 篇 时亚南
2 篇 周斌
2 篇 罗海龙
2 篇 张嵘
2 篇 邢博文
2 篇 魏琦
2 篇 齐飞
2 篇 侯波
2 篇 陈志勇
1 篇 陈颖慧
1 篇 胡博豪
1 篇 吴志鹏
1 篇 陈苇霖
1 篇 李英尧
1 篇 高海钰

语言

12 篇 中文

检索条件"主题词=刻蚀结构层"

共 12 条记录，以下是1-10 订阅

全选清除本页清除全部题录导出标记到"检索档案"

详细简洁

排序：

一种平坦化工艺方法

一种平坦化工艺方法

引用

作者：时亚南罗海龙齐飞 315800 浙江省宁波市北仑区小港街道安居路335号3幢、4幢、5幢

本发明涉及一种平坦化工艺方法，包括：提供基底；在所述基底上形成图形化结构层；在所述结构层上形成第一介质层，所述第一介质层包括覆盖所述基底的第一子介质层，和覆盖所述结构层的第二子介质层，所述第一子介质层厚度大于所述结构... 详细信息

标准号: CN114683162B

本发明涉及一种平坦化工艺方法，包括：提供基底；在所述基底上形成图形化结构层；在所述结构层上形成第一介质层，所述第一介质层包括覆盖所述基底的第一子介质层，和覆盖所述结构层的第二子介质层，所述第一子介质层厚度大于所述结构层；刻蚀所述第二子介质层；对所述第一介质层进行平坦化工艺处理，直至至少暴露出部分所述结构层。本发明通过增加刻蚀结构层上方的第二子介质层，能够缩短研磨时间，减少平坦化工艺对第一介质层的研磨量以及对结构层的厚度均匀性的影响，进一步的提高结构层在晶圆内的均匀性。

关键词：介质层结构层平坦化基底图形化结构层厚度均匀性刻蚀结构层工艺处理研磨均匀性研磨量覆盖晶圆刻蚀暴露

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

一种用于MEMS传感器刻蚀的散热补偿微结构

一种用于MEMS传感器刻蚀的散热补偿微结构

引用

作者：周斌邢博文侯波张嵘魏琦陈志勇 100084 北京市海淀区100084信箱82分箱清华大学专利办公室

本发明公开了一种用于MEMS传感器刻蚀的散热补偿微结构。具体是通过在刻蚀热量集中区域，如梳齿空隙，梁结构周围等需要被刻蚀区域下方设计散热结构，散热结构连接结构层与基底层，在结构硅层刻通之前，反应产生的热量通过散热柱传递至... 详细信息

标准号: CN112723298B

本发明公开了一种用于MEMS传感器刻蚀的散热补偿微结构。具体是通过在刻蚀热量集中区域，如梳齿空隙，梁结构周围等需要被刻蚀区域下方设计散热结构，散热结构连接结构层与基底层，在结构硅层刻通之前，反应产生的热量通过散热柱传递至基底；结构硅层刻通之后，反应离子将继续刻蚀散热柱，一方面不影响可动结构运动，另一方面可以解决反应离子经基底反射刻蚀结构层背面的问题。该方法优点在于结构简单，易于设计，效果明显，一致性明显，可以有效解决单锚点MEMS器件深硅刻蚀步骤的散热途径长，散热不均匀，不同部分过刻量不同以及表面刻蚀缺陷等问题。

关键词：刻蚀反应离子散热结构散热柱散热硅层基底热量集中区域刻蚀结构层表面刻蚀可动结构刻蚀步骤刻蚀区域连接结构散热途径有效解决不均匀基底层梁结构微结构单锚梳齿反射传递

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

一种平坦化工艺方法

一种平坦化工艺方法

引用

作者：时亚南罗海龙齐飞 315800 浙江省宁波市北仑区小港街道安居路335号3幢、4幢、5幢

标准号: CN114683162A

关键词：介质层结构层平坦化基底图形化结构层厚度均匀性刻蚀结构层工艺处理研磨均匀性研磨量覆盖晶圆刻蚀暴露

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

一种在CSOI上刻蚀悬臂梁的方法

一种在CSOI上刻蚀悬臂梁的方法

引用

作者：孙成亮林炳辉胡博豪吴志鹏 430072 湖北省武汉市武昌区珞珈山武汉大学

本发明涉及一种半导体制造工艺，具体涉及一种在CSOI上刻蚀悬臂梁的方法，包括如下步骤：提供一组硅片作为第一绝缘层，在第一绝缘层的表面制作空腔结构；在第一绝缘层表面键合由过渡层和第二绝缘层组成的复合层；在复合层表面依次沉积... 详细信息

标准号: CN112435922A

本发明涉及一种半导体制造工艺，具体涉及一种在CSOI上刻蚀悬臂梁的方法，包括如下步骤：提供一组硅片作为第一绝缘层，在第一绝缘层的表面制作空腔结构；在第一绝缘层表面键合由过渡层和第二绝缘层组成的复合层；在复合层表面依次沉积材料形成结构层；在目标刻蚀区范围内任意地方自上而下刻蚀结构层、第二绝缘层和过渡层形成多个通气孔，使得外界与空腔相连；对原定目标刻蚀区进行图案化刻蚀，最后形成目标结构。本发明的方法通过在CSOI的结构层的目标刻蚀范围内先刻蚀出多个通气小孔消除内部真空腔和外界大气压之间形成的压差，再进行预定刻蚀，从而使得悬臂梁在刻蚀的过程中不会因为内外压差过大而导致局部破坏，提高器件的成品率。

关键词：刻蚀绝缘层过渡层结构层悬臂梁半导体制造工艺复合层表面绝缘层表面刻蚀结构层外界大气压沉积材料局部破坏空腔结构目标结构内外压差通气小孔成品率复合层通气孔图案化真空腔硅片键合空腔压差制作

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

一种用于MEMS传感器刻蚀的散热补偿微结构

一种用于MEMS传感器刻蚀的散热补偿微结构

引用

作者：周斌邢博文侯波张嵘魏琦陈志勇 100084 北京市海淀区100084信箱82分箱清华大学专利办公室

标准号: CN112723298A

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

一种多电容梳齿式微加速度计的加工方法

一种多电容梳齿式微加速度计的加工方法

引用

作者：张照云唐彬苏伟陈颖慧高杨熊壮 621999 四川省绵阳市919信箱512分箱

本发明提供了一种多电容梳齿式微加速度计的加工方法，包括以下步骤：在结构层表面光刻进行浅槽刻蚀；在结构层表面光刻定义微加速度计结构图形；DRIE刻蚀结构层至绝缘层；HF溶液腐蚀绝缘层；在玻璃片上光刻，利用BHF溶液腐蚀玻璃，采... 详细信息

标准号: CN105399047B

本发明提供了一种多电容梳齿式微加速度计的加工方法，包括以下步骤：在结构层表面光刻进行浅槽刻蚀；在结构层表面光刻定义微加速度计结构图形；DRIE刻蚀结构层至绝缘层；HF溶液腐蚀绝缘层；在玻璃片上光刻，利用BHF溶液腐蚀玻璃，采用剥离工艺制作金属电极及引线；将结构层跟玻璃片键合；用KOH溶液减薄硅片衬底层；在衬底层表面光刻、采用剥离工艺制作金属电极；在衬底层表面光刻定义微加速度计结构图形，DRIE刻蚀衬底层至绝缘层；裂片、封装、测试得到所需。本发明的加工方法利用衬底层增加检测电容面积和质量块质量，生产的产品具有尺寸控制好，工艺简单，检测电容大，能够满足高精度测量要求的优点。

关键词：衬底层绝缘层结构层微加速度计剥离工艺检测电容结构图形金属电极玻璃片刻蚀高精度测量刻蚀结构层尺寸控制加速度计溶液腐蚀电容面积和质量块硅片上光减薄键合裂片浅槽梳齿封装制作加工腐蚀玻璃测试生产

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

一种基于SOI封装的六轴微惯性器件及其加工方法

一种基于SOI封装的六轴微惯性器件及其加工方法

引用

作者：夏敦柱黄泠潮高海钰 211189 江苏省南京市江宁区东南大学路2号

本发明公开了一种基于SOI封装的六轴微惯性器件，包括单片集成的六轴微惯性器件、玻璃衬底、金属电极、金属引线、SOI盖帽和SOI密封墙；六轴微惯性器件通过阳极键合工艺键合在玻璃衬底上；金属电极为一个以上，均匀设置在玻璃衬底一侧... 详细信息

标准号: CN107015016A

本发明公开了一种基于SOI封装的六轴微惯性器件，包括单片集成的六轴微惯性器件、玻璃衬底、金属电极、金属引线、SOI盖帽和SOI密封墙；六轴微惯性器件通过阳极键合工艺键合在玻璃衬底上；金属电极为一个以上，均匀设置在玻璃衬底一侧，金属电极通过金属引线与六轴微惯性器件相接，SOI盖帽设在玻璃衬底正上方，SOI密封墙设在SOI盖帽和SOI密封墙之间，形成空腔结构；每个金属电极正上方的SOI盖帽上设有梯形电极孔，梯形电极孔正下方的SOI密封墙上设有垂直贯通；梯形电极孔、垂直贯通与金属电极一一对应。本发明具有全解耦、质量小、结构精巧、成本低和便于批量生产等优点，在单个器件内同时实现了对三轴的加速度和角速度的检测，应用范围广，有着良好的市场前景。

关键词：微惯性器件金属电极衬底盖帽六轴梯形电极密封墙玻璃垂直贯通金属引线阳极键合工艺应用范围广单个器件单片集成均匀设置空腔结构金属电全解耦键合三轴封装密封检测生产光刻胶去除掩膜版刻蚀氮化硅旋涂沉积上表面残留清洗丙酮溶液光刻胶层金属键合下表面硅片盖帽微惯性器件硅通孔喷涂衬底键合晶圆六轴锚点掩膜垂直贯通氮化硅层二氧化硅密封墙吸气剂玻璃金属反应离子刻蚀RIE 二氧化硅层刻蚀结构层剥离工艺玻璃表面梳齿结构梯形电极阳极键合真空封装真空环境玻璃基玻璃片第一层点位置点粘合硅晶圆键合点金属点

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

双掩膜SOI MEMS加工方法

双掩膜SOI MEMS加工方法

引用

作者：张照云高杨彭勃施志贵苏伟 621900 四川省绵阳市919信箱512分箱

本发明提供了一种双掩膜SOIMEMS加工方法，属于微电子机械系统微加工领域。SOI晶圆包括硅结构层、硅衬底层以及位于硅结构层和硅衬底层之间的绝缘层。本发明的SOI晶圆片的硅结构层进行了浓硼掺杂，掺杂浓度大于。本发明的方法包括：在... 详细信息

标准号: CN102616734B

本发明提供了一种双掩膜SOIMEMS加工方法，属于微电子机械系统微加工领域。SOI晶圆包括硅结构层、硅衬底层以及位于硅结构层和硅衬底层之间的绝缘层。本发明的SOI晶圆片的硅结构层进行了浓硼掺杂，掺杂浓度大于。本发明的方法包括：在硅片正面溅射一层铝，光刻，刻蚀铝，在硅片上定义出完整的MEMS结构图形；光刻，在硅片上形成细线宽结构图形；采用ICP刻蚀方法刻蚀细线宽结构；去除光刻胶，采用ICP刻蚀方法同时刻蚀宽细线宽结构；刻蚀结构层下的绝缘层；采用KOH溶液腐蚀方法刻蚀硅衬底。本发明可利用SOI材料制作多种MEMS器件，具有结构层厚度可控性好、减小footing效应和寄生电容、加工流程简单等特点。

关键词：硅结构硅片绝缘层硅衬底层结构图形光刻细线微电子机械系统刻蚀方法刻蚀结构层厚度刻蚀结构层掺杂浓度寄生电容加工方法加工流程刻蚀方法溶液腐蚀同时刻蚀光刻胶晶圆片刻蚀硅刻蚀铝微加工层铝衬底溅射晶圆宽细线宽掩膜掺杂大于

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

双掩膜浓硼掺杂SOI MEMS加工方法

双掩膜浓硼掺杂SOI MEMS加工方法

引用

作者：张照云彭勃施志贵高杨苏伟 621900 四川省绵阳市919信箱512分箱

本发明提供了双掩膜浓硼掺杂SOI MEMS加工方法，属于微电子机械系统微加工领域。SOI晶圆包括硅结构层、硅衬底层以及位于硅结构层和硅衬底层之间的绝缘层。该加工方法包括：利用双掩膜首先刻蚀硅结构层上的细线宽结构部分，然后同时刻... 详细信息

标准号: CN102616733B

本发明提供了双掩膜浓硼掺杂SOI MEMS加工方法，属于微电子机械系统微加工领域。SOI晶圆包括硅结构层、硅衬底层以及位于硅结构层和硅衬底层之间的绝缘层。该加工方法包括：利用双掩膜首先刻蚀硅结构层上的细线宽结构部分，然后同时刻蚀硅结构层上宽细线宽结构，以使得宽细线宽结构刻蚀到绝缘层上的时间基本相同；然后对硅结构层的表面进行浓硼掺杂；最后，去掉结构层下的绝缘层，利用各向异性刻蚀，刻蚀结构层下的硅衬底，释放微结构。本发明可利用SOI材料制作多种MEMS器件，具有结构层厚度可控性好、减小footing效应和寄生电容、加工流程简单等特点。

关键词：硅结构绝缘层硅衬底层加工方法结构层宽细线宽掩膜掺杂微电子机械系统各向异性刻蚀结构层厚度刻蚀结构层寄生电容加工流程结构刻蚀同时刻蚀硅衬底刻蚀硅微加工微结构晶圆细线

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

双掩膜SOI MEMS加工方法

双掩膜SOI MEMS加工方法

引用

作者：张照云高杨彭勃施志贵苏伟 621900 四川省绵阳市919信箱512分箱

本发明提供了一种双掩膜SOI MEMS加工方法，属于微电子机械系统微加工领域。SOI晶圆包括硅结构层、硅衬底层以及位于硅结构层和硅衬底层之间的绝缘层。本发明的SOI晶圆片的硅结构层进行了浓硼掺杂，掺杂浓度大于5×1018/cm3。本发... 详细信息

标准号: CN102616734A

本发明提供了一种双掩膜SOI MEMS加工方法，属于微电子机械系统微加工领域。SOI晶圆包括硅结构层、硅衬底层以及位于硅结构层和硅衬底层之间的绝缘层。本发明的SOI晶圆片的硅结构层进行了浓硼掺杂，掺杂浓度大于5×10¹⁸/cm³。本发明的方法包括：在硅片正面溅射一层铝，光刻，刻蚀铝，在硅片上定义出完整的MEMS结构图形；光刻，在硅片上形成细线宽结构图形；采用ICP刻蚀方法刻蚀细线宽结构；去除光刻胶，采用ICP刻蚀方法同时刻蚀宽细线宽结构；刻蚀结构层下的绝缘层；采用KOH溶液腐蚀方法刻蚀硅衬底。本发明可利用SOI材料制作多种MEMS器件，具有结构层厚度可控性好、减小footing效应和寄生电容、加工流程简单等特点。

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

没有更多数据了...

全选清除本页清除全部题录导出标记到“检索档案”

共2页 << < 1 2 > >>

检索报告对象比较合并检索0

隐藏清空

合并搜索

回到顶部

执行限定条件

内容：

评分：

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

订阅名称：

通借通还

温馨提示：

图书名称：

借书校区：

取书校区：

手机号码：

邮箱地址：

一卡通帐号：

电话和邮箱必须正确填写，我们会与您联系确认。

联系人：

所在院系：

联系邮箱：

联系电话：

内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区大学西街235号邮编: 010021

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：