检索结果-内蒙古大学图书馆

仪器仪表学报 1996年第6期17卷 644-649页

作者：戴逸松徐建生张新发吉林工业大学

前置放大器ＮＦ图的测试方法及装置戴逸松，徐建生，张新发（吉林工业大学长春１３００２５）０引言衡量前置放大器噪声大小的最常用指标是噪声系数Ｆ，或噪声因数ＮＦ（ＮＦ—１０１ＯｇＦ）。因为对微弱信号检测仪器来说，可以检测的... 详细信息

前置放大器ＮＦ图的测试方法及装置戴逸松，徐建生，张新发（吉林工业大学长春１３００２５）０引言衡量前置放大器噪声大小的最常用指标是噪声系数Ｆ，或噪声因数ＮＦ（ＮＦ—１０１ＯｇＦ）。因为对微弱信号检测仪器来说，可以检测的最高灵敏度决定于放大器的噪声系数，...

关键词：前置放大器 NF图测量

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InAlAsInGaAs HEMT跨阻前置放大器的设计与实现

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东南大学学报（自然科学版） 2002年第1期32卷 46-49页

作者：王蓉王志功柯锡明敖金平李献杰刘伟吉东南大学射频与光电集成电路研究所南京210096 信息产业部电子13研究所石家庄050002

提出了基于耗尽型InAlAs InGaAsHEMT器件的光纤通信接收机中的单电源跨阻前置放大器电路 ,并给出了设计方法与实验结果 .该前置放大器采用单电源供电 ,单端输入 ,双端差动输出 ,由两级源级跟随器 ,一级输出级以及一个反馈电阻组成 .当... 详细信息

提出了基于耗尽型InAlAs InGaAsHEMT器件的光纤通信接收机中的单电源跨阻前置放大器电路 ,并给出了设计方法与实验结果 .该前置放大器采用单电源供电 ,单端输入 ,双端差动输出 ,由两级源级跟随器 ,一级输出级以及一个反馈电阻组成 .当前置放大器工作在 2 .5Gbit s时 ,跨阻可达 62 .5dBΩ .采用 + 5V电源供电 ,功耗为 2

关键词： InAlAs/InGaAsHEMT 光接收机前置放大器工艺光纤通信接收机设计

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前置放大器噪声参数的测量

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哈尔滨工业大学学报 1997年第3期29卷 82-84页

作者：李晓霞张平哈尔滨工业大学惯导测试研究中心

研究分析了运用噪声系数ＮＦ及噪声模型Ｅｎ－Ｉｎ测量放大器噪声参数的问题，并阐述了具体方法的实现。通过对不同情况下放大器的低噪声设计，证明了此种方法的适用性与可靠性。

关键词：噪声系数等效噪声电流前置放大器测量

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新型纳米阻抗显微镜前置放大器的设计

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仪器仪表学报 2007年第1期28卷 57-61页

作者：丁喜冬杜贤算张进修光电材料与技术国家重点实验室中山大学物理学与工程技术学院广州 510275 中山大学物理学与工程技术学院

基于扫描隧道显微镜的新型纳米阻抗显微镜(STM-NIM)能够测量材料表面的纳米微区阻抗性质并具有分辨率高的突出优点,但传统STM前置放大器的频率带宽不能满足STM-NIM测量模式的要求,因而需要设计新型前置放大器。STM-NIM前置放大器必须在... 详细信息

基于扫描隧道显微镜的新型纳米阻抗显微镜(STM-NIM)能够测量材料表面的纳米微区阻抗性质并具有分辨率高的突出优点,但传统STM前置放大器的频率带宽不能满足STM-NIM测量模式的要求,因而需要设计新型前置放大器。STM-NIM前置放大器必须在噪声和频率带宽两方面同时具有非常优良的性能。本文利用STM及NIM信号的特点,通过将信号一分为二并对电路进行优化,研制出了满足STM-NIM测量要求的新型前置放大器。测试表明,该前置放大器能同时用于NIM阻抗测量和STM形貌扫描;其NIM信号的频率带宽达到300 kHz;其STM信号的噪声约为0．8 mV,能满足原子级分辨成像的要求。

关键词：扫描隧道显微镜纳米阻抗显微镜前置放大器噪声带宽

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前置放大器在高频信号检测系统中的作用

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低温物理学报 2006年第1期28卷 44-48页

作者：龙利佳陈健覃朝东吴培亨南京大学超导电子研究所南京大学超导电子研究所南京210093

利用约瑟夫森效应获取电磁信号的频谱信息是超导电子学的重要应用之一.我们在实验室已搭建的高频信号频谱检测系统基础上,研究了前置放大器的噪声参数对整个高频信号检测系统性能产生的影响.通过实验,我们将两个不同输入电压噪声密度的... 详细信息

利用约瑟夫森效应获取电磁信号的频谱信息是超导电子学的重要应用之一.我们在实验室已搭建的高频信号频谱检测系统基础上,研究了前置放大器的噪声参数对整个高频信号检测系统性能产生的影响.通过实验,我们将两个不同输入电压噪声密度的低噪声放大器应用于检测系统,并对所得的结果进行了比较.讨论了在前置放大器方面对基于约瑟夫森效应的液氮温区的小型高频信号检测系统进行改进的可能性.

关键词：高频信号频谱检测前置放大器高温超导约瑟夫森结

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深低温、低功耗、低噪声微型前置放大器

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红外与激光工程 2006年第4期35卷 432-436页

作者：袁红辉王淦泉陈永平梁平治中国科学院上海技术物理研究所上海200083

为了降低红外系统的噪声,提出了一种新的电路结构,利用单端折叠共源共栅结构和MOS管工作在线性区做反馈电阻,设计了一种在深低温(100K左右)工作的高性能低功耗、低噪声前置放大器。分析了其噪声特性,并提出了减少噪声的措施,仿真结果显... 详细信息

为了降低红外系统的噪声,提出了一种新的电路结构,利用单端折叠共源共栅结构和MOS管工作在线性区做反馈电阻,设计了一种在深低温(100K左右)工作的高性能低功耗、低噪声前置放大器。分析了其噪声特性,并提出了减少噪声的措施,仿真结果显示该前置放大器的输出电压噪声很小,3dB带宽大于10kHz。此前置放大器用1.2μm的标准CMOS工艺制造完成,四单元芯片的大小为2.1mm×2.9mm。经测试,这种前置放大器在深低温下能正常工作,反馈电阻大小为兆欧级,等效输入噪声电流仅0.03pA/Hz1/2,单元功耗小于1mW,与红外探测器连接后工作正常,线性度较好。

关键词：前置放大器低温低功耗低噪声

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2.5 Gb/s CMOS光接收机跨阻前置放大器

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半导体光电 2001年第3期22卷 177-180页

作者：陶蕤王志功董毅谢世钟东南大学射频与光电集成电路研究所江苏南京210096 清华大学电子工程系北京100084

给出了一种利用 0 .35μmCMOS工艺实现的 2 .5Gb/s跨阻前置放大器。此跨阻放大器的增益为 59dB·Ω ,3dB带宽为 2GHz ,2GHz处的等效输入电流噪声为 0 8× 10 - 2 2 A2 /Hz。在标准的 5V电源电压下 ,功耗为 2 50mW。PCML单端输... 详细信息

给出了一种利用 0 .35μmCMOS工艺实现的 2 .5Gb/s跨阻前置放大器。此跨阻放大器的增益为 59dB·Ω ,3dB带宽为 2GHz ,2GHz处的等效输入电流噪声为 0 8× 10 - 2 2 A2 /Hz。在标准的 5V电源电压下 ,功耗为 2 50mW。PCML单端输出信号电压摆幅为 2 0 0mVp - p。整个芯片面积为 1 0mm× 1.1mm。

关键词：光接收机前置放大器跨阻放大器 CMOS工艺

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前置放大器与高阻抗有机光导探测器的匹配研究

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红外技术 2009年第5期31卷 298-302页

作者：杨瑞宇唐利斌庄继胜王晓璇昆明物理研究所云南昆明650223

红外有机半导体探测器是一个新兴红外研究领域,并有着广阔的、诱人的应用前景。而与之匹配的前置放大器,不但是展现材料和器件光电特性的核心部件,而且其性能将最终制约探测器的应用范围。研究了红外有机半导体光导探测器与前置放大器... 详细信息

红外有机半导体探测器是一个新兴红外研究领域,并有着广阔的、诱人的应用前景。而与之匹配的前置放大器,不但是展现材料和器件光电特性的核心部件,而且其性能将最终制约探测器的应用范围。研究了红外有机半导体光导探测器与前置放大器的偏置方式、耦合方法和噪声特性等关键技术,并结合实验测试结果,系统讨论了有机高阻光导探测器与前置放大器匹配设计的一般规律。

关键词：有机材料光导探测器光电响应前置放大器低噪声

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10Gb/s 0.18μmCMOS光接收机前置放大器

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电子器件 2006年第1期29卷 29-32页

作者：黄茜冯军东南大学射频与光电集成电路研究所南京210096

采用TSMC0.18μmCMOS工艺,设计应用于SDH系统STM-64速率级(10Gbit/s)光接收机前置放大器。该前置放大器采用具有低输入阻抗、宽带宽特点的RGC形式的跨阻放大器实现,同时在电路中引入有源电感实现并联峰化技术以拓展前置放大器的带宽。... 详细信息

采用TSMC0.18μmCMOS工艺,设计应用于SDH系统STM-64速率级(10Gbit/s)光接收机前置放大器。该前置放大器采用具有低输入阻抗、宽带宽特点的RGC形式的跨阻放大器实现,同时在电路中引入有源电感实现并联峰化技术以拓展前置放大器的带宽。整个电路采用1.8V单电压源供电。仿真结果表明:中频互阻增益为59.2dBΩ,-3dB带宽为9.08GHz。

关键词：前置放大器跨阻放大器 RGC 有源电感光接收机 0.18 μm CMOS工艺

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低噪声电荷灵敏前置放大器关键技术的现状与发展

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核电子学与探测技术 2012年第1期32卷 1-6页

作者：彭进先刘国福杨俊罗晓亮国防科学技术大学仪器科学与技术系湖南长沙410073

电荷灵敏前置放大器因其输出增益稳定、噪声低和性能良好在高分辨率能谱测量系统中得到了广泛应用。根据电荷灵敏前置放大器的基本原理及其噪声来源,分析了降低其噪声的关键技术,并结合国内外研究现状阐述了这些技术的实际应用。指出了... 详细信息

电荷灵敏前置放大器因其输出增益稳定、噪声低和性能良好在高分辨率能谱测量系统中得到了广泛应用。根据电荷灵敏前置放大器的基本原理及其噪声来源,分析了降低其噪声的关键技术,并结合国内外研究现状阐述了这些技术的实际应用。指出了为满足人们对未知世界的探索,未来前放将向极低噪声、极低功耗、高度集成、高灵敏度、宽带宽的ASIC芯片方向发展。

关键词：前置放大器电荷灵敏噪声关键技术 ASIC

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