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功率二极管反向恢复特性的建模
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中国电机工程学报 2018年 第17期38卷 5189-5198页
作者: 袁义生 钟青峰 邱志卓 姬鹏远 华东交通大学电气与自动化工程学院
功率二极管的反向恢复电流增加了与其互补导通的开关的开通损耗,使电力电子电路的损耗模型复杂化。传统的功率二极管反向恢复特性模型基于物理机制而建立,不能直观地从电路参数反映其特性和规律。该文提出采用曲面拟合和数据映射的方... 详细信息
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高压功率二极管中局域铂掺杂寿命控制的研究
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固体电子学研究与进展 2004年 第4期24卷 422-426页
作者: 贾云鹏 王俊 亢宝位 张斌 北京工业大学电子信息与控制工程学院电力电子器件研究室 北京100022 清华大学电力电子厂 北京102201
利用质子辐照形成的集中于射程末端的高密度缺陷在退火时对铂的吸杂作用 ,实现了硅高压功率P i N二极管的局域铂掺杂。经过 70 0°C、半小时低温退火 ,在已进行质子辐照的样品中 ,铂会由铂硅合金阳向器件内部扩散 ,并形成与质子... 详细信息
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NiO/Ga_(2)O_(3) p+-n异质结功率二极管中陷阱介导双型电荷输运研究
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Science China Materials 2023年 第3期66卷 1157-1164页
作者: 汪正鹏 巩贺贺 郁鑫鑫 纪晓丽 任芳芳 杨燚 顾书林 郑有炓 张荣 叶建东 School of Electronic Science and Engineering Nanjing UniversityNanjing 210023China Shenzhen Research Institute of Shandong University Shenzhen 518000China
构筑NiO/Ga_(2)O_(3)p+-n异质结是克服Ga_(2)O_(3)p型掺杂瓶颈从而实现双功率电子器件的有效途径,然而限制器件性能的缺陷行为与双型电荷输运等物理机制尚不明晰.本论文研究了NiO/Ga_(2)O_(3)p+-n异质结中陷阱介导的载流子输运、... 详细信息
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功率二极管开关动态过程研究和教学
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林产化学与工业 2021年 第6期43卷 116-119,124页
作者: 王勇 佘焱 孙佳 吴建东 上海交通大学 电气工程系 上海200240
功率器件是电力电子学的基础,而PN结和PiN结构功率二极管的知识又是功率器件的基础,是电力电子教学中的重要内容.但通常这部分内容的讲解主要以知识记忆为主,在实际教学中,多为现象讲解,较少对于半导体原理的深入讲解.且目前这部分教学... 详细信息
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功率二极管反向恢复特性的仿真研究
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电力电子技术 1999年 第5期33卷 45-48页
作者: 胡庆彬 卢元元 深圳大学 深圳518060
在国际电力电子领域对功率二极管模型研究成果的基础上,利用计算机仿真对功率二极管的反向恢复过程和特性进行了较深入、系统的研究,得出了一些有实际意义的结论。
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功率二极管在大容量逆变器中的开关特性研究
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电力电子技术 2016年 第9期50卷 106-108页
作者: 袁丽 孟庆云 赵伟 周峰 江苏大全集团 江苏扬中212211 舰船综合电力技术国防科技重点实验室 海军工程大学湖北武汉430033
功率二极管是电力电子变换电路中重要开关器件。在大容量逆变变换电路中高功率二极管表现出较强的非理想开关特性。在分析二极管正、反向恢复特性产生机理的基础上,研究了逆变器在换流过程中箝位二极管和续流二极管的非理想特性与电路... 详细信息
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功率二极管结温在线测量及算法研究
功率二极管结温在线测量及算法研究
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作者: 苏雅 北京工业大学
学位级别:硕士
随着功率半导体器件不断地发展,其在不同领域得到了越来越广泛的应用。随着器件上功率密度的不断增加,结温引起的器件可靠性降低、寿命缩短等问题愈发严重。因此,准确测量器件结温对于研究器件热特性,提高器件可靠性具有重要意义。关于... 详细信息
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SiGeC/Si功率二极管的数值模拟与分析
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Journal of Semiconductors 2006年 第6期27卷 1068-1072页
作者: 高勇 刘静 马丽 余明斌 西安理工大学电子工程系 西安710048 西安理工大学应用物理系 西安710048
将SiGeC技术应用于功率半导体器件的特性改进,提出了一种新型p+(SiGeC)n-n+异质结功率二极管结构.在分析SiGeC合金材料物理特性的基础上,给出了该结构的关键物理参数模型,并在此基础上利用MEDICI模拟,对比分析了C的引入对器件各种电特... 详细信息
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SiGeC/Si异质结快速软恢复功率二极管的研究
SiGeC/Si异质结快速软恢复功率二极管的研究
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作者: 刘静 西安理工大学
学位级别:博士
论文将SiGeC/Si异质结技术用于功率二极管反向恢复特性的改进,首先研究分析了Si基应变材料的晶格结构,形成压应变和张应变的机理,尤其是C的引入导致SiGeC材料临界厚度增加及相关器件热稳定性增强的机理。详细分析了SiGeC/Si能带结构特点... 详细信息
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中小功率二极管的正六方形周边设计
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华中理工大学学报 1992年 第1期20卷 185-188页
作者: 余岳辉 徐静平 綦舜尧 华中理工大学固体电子学系
传统的中小功率器件周边大都为方形或圆形造型.制作pn结方片具有工艺简单、材料利用率较高的特点,但由于四个棱角处电场集中(称此电场为棱角电场),故阻断特性受到限制.圆片的表面电场相对低些,但材料损耗大,设法降低数量上占市场主导的... 详细信息
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