检索结果-内蒙古大学图书馆

作者：柳春雷 F·莫恩 D·托雷辛 E·梅诺蒂瑞士巴登

本发明涉及一种将端子(22)连接到基板(12)以形成功率半导体模块(10)的方法，其中，端子(22)具有由第一材料形成的第一连接区域(28)，并且其中，基板(12)具有由第二材料形成的第二连接区域(30)，其中，第一材料具有第一硬度，并且其中，... 详细信息

标准号: CN114175222A

本发明涉及一种将端子(22)连接到基板(12)以形成功率半导体模块(10)的方法，其中，端子(22)具有由第一材料形成的第一连接区域(28)，并且其中，基板(12)具有由第二材料形成的第二连接区域(30)，其中，第一材料具有第一硬度，并且其中，第二材料具有第二硬度，其中，第一硬度不同于第二硬度，其中，具有较高硬度的这种第一连接区域(28)或第二连接区域(30)形成连接配合区域，并且具有较低硬度的第一连接区域(28)或第二连接区域(30)形成连接基部区域，并且其中，通过使用超声波焊接或激光焊接将端子(22)连接到基板(12)，其特征在于,在将端子(22)连接到基板(12)之前,该方法包括提供连接层(32)的步骤，该连接层具有由硬度与连接配合区域的硬度对应的材料形成的表面子层，其中，连接层(32)设置在连接基部区域上，并且其中，表面子层面向连接配合区域。

关键词：连接区域基板连接层第二材料第一材料连接基部连接配合子层功率半导体模块超声波焊接材料形成激光焊接面向连接配合区域低硬度高硬度

学校读者我要写书评

暂无评论

功率半导体模块以及复合模块

功率半导体模块以及复合模块

作者：藤田重人松田哲也日本东京

抑制设置了多个的功率半导体芯片间的电流分布的不均等。功率半导体模块具有：模块主体部(103)；多个功率半导体芯片(1001)，它们配置于模块主体部的上表面；以及周围构造(104A)，其将模块主体部的俯视观察时的周围的一部分包围，是绝... 详细信息

标准号: CN112740401B

抑制设置了多个的功率半导体芯片间的电流分布的不均等。功率半导体模块具有：模块主体部(103)；多个功率半导体芯片(1001)，它们配置于模块主体部的上表面；以及周围构造(104A)，其将模块主体部的俯视观察时的周围的一部分包围，是绝缘强磁体，多个功率半导体芯片在俯视观察时沿纵向及横向排列，至少1个功率半导体芯片是被其它功率半导体芯片包围地配置的。

关键词：功率半导体芯片模块主体俯视观察功率半导体模块包围电流分布横向排列配置的强磁体上表面绝缘配置

学校读者我要写书评

暂无评论

作者： M·马利基 H·拜尔 D·特拉塞尔瑞士巴登

本发明涉及一种功率半导体模块(10)，该功率半导体模块包括基板(12)，所述基板至少部分地被封装材料(14)覆盖，其中，所述基板(12)适于通过由夹持部件(28)施加的夹持力(40)连接至散热元件(24)，并且其中，功率半导体模块(10)具有提高的... 详细信息

标准号: CN113192919A

本发明涉及一种功率半导体模块(10)，该功率半导体模块包括基板(12)，所述基板至少部分地被封装材料(14)覆盖，其中，所述基板(12)适于通过由夹持部件(28)施加的夹持力(40)连接至散热元件(24)，并且其中，功率半导体模块(10)具有提高的生产能力以及模塑部件的改良的长期可靠性和完整性。

关键词：功率半导体模块基板长期可靠性封装材料夹持部件模塑部件散热元件夹持力地被生产能力改良施加覆盖

学校读者我要写书评

暂无评论

作者：古田纪文日本爱知县

功率半导体元件(52)和电容器(46)二者的电极在模块中彼此接合。功率半导体元件(52)形成于具有第一、第二主要表面的半导体衬底上。功率半导体模块(11A)包括：电极(48)，接合到第一主要表面，主电流流经该电极；电极(60)，接合到第二主... 详细信息

标准号: CN100517705C

功率半导体元件(52)和电容器(46)二者的电极在模块中彼此接合。功率半导体元件(52)形成于具有第一、第二主要表面的半导体衬底上。功率半导体模块(11A)包括：电极(48)，接合到第一主要表面，主电流流经该电极；电极(60)，接合到第二主要表面，主电流流经该电极；和树脂部分(70)，对半导体衬底、电容器(46)和电极(48、60)进行密封。电容器包括电极(42、44)。电容器的电极和半导体元件的电极由焊料(62)彼此接合，使得经过树脂部分而暴露的表面布置在一个连续面上，冷却器可以安装在该面上。因此可以提供一种功率半导体模块，其中可以有效地对电容器和功率半导体元件进行冷却，并可以减小电涌电压。

关键词：电极电容器功率半导体元件功率半导体模块半导体衬底树脂电流焊料半导体元件电涌电压冷却器冷却密封

学校读者我要写书评

暂无评论

功率半导体模块以及电力转换装置

功率半导体模块以及电力转换装置

作者：三间彬新井大夏川濑大助齐藤克明竹内悠次郎日本茨城县

本发明提供一种具有能够降低在内部配线中产生的电振动的内部配线结构的功率半导体模块以及电力转换装置。本发明的功率半导体模块具备上臂和下臂，上臂具有：第一基板，其搭载有包含第一开关元件的至少一个功率半导体芯片；以及第二基... 详细信息

标准号: CN117355939A

本发明提供一种具有能够降低在内部配线中产生的电振动的内部配线结构的功率半导体模块以及电力转换装置。本发明的功率半导体模块具备上臂和下臂，上臂具有：第一基板，其搭载有包含第一开关元件的至少一个功率半导体芯片；以及第二基板，其搭载有包含与第一开关元件并联连接的第二开关元件的至少一个功率半导体芯片，下臂具有：第三基板，其搭载有包含第三开关元件的至少一个功率半导体芯片；以及第四基板，其搭载有包含与第三开关元件并联连接的第四开关元件的至少一个功率半导体芯片，上臂具有第一配线，该第一配线连接第一基板与第二基板，且将第一开关元件的发射极或源极与第二开关元件的发射极或源极连接，第一配线配置在与上臂的功率半导体芯片中的位于离下臂最远的位置的功率半导体芯片的离所述下臂远的一侧的端部相比更远离下臂的位置。

关键词：功率半导体芯片开关元件下臂上臂第一开关功率半导体模块第二基板第一基板内部配线发射极基板电力转换装置并联连接配线连接配线配置元件并联源极连接电振动配线源极

功率半导体模块剩余寿命预测方法、终端设备及存储介质

学校读者我要写书评

暂无评论

功率半导体模块剩余寿命预测方法、终端设备及存储介质

作者：杨鑫张越武新龙欧阳晓平 410082 湖南省长沙市岳麓区麓山南路1号

本发明公开了一种功率半导体模块剩余寿命预测方法、终端设备及存储介质，确定在加速老化测试过程中表征功率半导体模块老化过程的前驱参数；获取两组同类功率半导体模块在整个加速老化测试中前驱参数随时间变化的数据；对前驱参数随时... 详细信息

标准号: CN116432543A

本发明公开了一种功率半导体模块剩余寿命预测方法、终端设备及存储介质，确定在加速老化测试过程中表征功率半导体模块老化过程的前驱参数；获取两组同类功率半导体模块在整个加速老化测试中前驱参数随时间变化的数据；对前驱参数随时间变化的数据进行相关处理，推导出所需要的训练数据和测试数据；选择用于训练的前驱参数随时间变化的数据和用于测试的前驱参数随时间变化的数据的部分数据；利用训练数据产生训练损失，利用选择的部分数据执行最大平均差异法完成迁移学习域适应，产生差异损失；设置综合损失函数对卷积神经网络进行迭代训练，得到训练完成的剩余寿命预测模型。本发明有效地解决了前驱参数数据“分布来源”不一致的问题。

关键词：前驱随时间变化功率半导体模块加速老化训练数据剩余寿命预测模型卷积神经网络剩余寿命预测半导体模块测试表征功率参数数据测试过程测试数据存储介质迭代训练老化过程数据执行损失函数终端设备不一致差异法学习域有效地推导两组迁移

学校读者我要写书评

暂无评论

作者： S.哈特曼 D.特吕塞尔瑞士巴登

一种功率半导体模块，其包括基板(12)，基板(12)具有定位在所述基板(12)上的至少一个衬底(11,13,15,17)，其中电子电路设在所述至少一个衬底(11,13,15,17)上，其中电连接器定位在至少一个衬底(11,13,15,17)上，电连接器包括DC+功率端子(... 详细信息

标准号: CN109997223A

一种功率半导体模块，其包括基板(12)，基板(12)具有定位在所述基板(12)上的至少一个衬底(11,13,15,17)，其中电子电路设在所述至少一个衬底(11,13,15,17)上，其中电连接器定位在至少一个衬底(11,13,15,17)上，电连接器包括DC+功率端子(14)、DC‑功率端子(16)和AC功率端子(18)，且进一步包括控制连接器，其中功率半导体模块(10)设计为半桥式模块，其包括第一数量(24)的开关式功率半导体器件(26,28)和第二数量(30)的开关式功率半导体器件(32,34)，其特征在于，基板(12)包括接触区域(36)、第一器件区域(38)和第二器件区域(40)，其中接触区域(36)定位在基板(12)的中心，使得第一器件区域(38)定位在接触区域(36)的第一侧处，且第二器件区域(40)定位在接触区域(36)的第二侧处，第二侧布置成与第一侧相反，其中DC+功率端子(14)、DC‑功率端子(16)、AC功率端子(18)和控制连接器定位在接触区域(36)中，其中第一数量(24)的开关式功率半导体器件(26,28)定位在第一器件区域(38)中，且其中第二数量(30)的开关式功率半导体器件(32,34)定位在第二器件区域(40)中，其中第一器件区域(38)中的所有功率半导体器件(28,30)均定位在平行于基板(12)的宽度而对齐的两条平行线(42,44)上，且其中第二器件区域(40)中的所有功率半导体器件(32,34)均定位在平行于基板(12)的宽度而对齐的两条平行线(46,48)上。

关键词：器件区域基板接触区域半导体器件开关式功率功率端子衬底功率半导体模块功率半导体器件平行线控制连接器电连接器对齐平行半桥式模块电子电路

学校读者我要写书评

暂无评论

功率半导体模块以及电力变换装置

功率半导体模块以及电力变换装置

作者：玉田美子冈诚次森崎翔太冈田一也日本东京

功率半导体模块(1)具备多个自灭弧型半导体元件(20a)、印刷布线基板(30)、多个导电接合构件(25a)以及多个导电栅极导线(50a)。印刷布线基板(30)包括绝缘基板(31)、源极导电图案(33)以及栅极导电图案(36)。多个自灭弧型半导体元件(20a)... 详细信息

标准号: CN115720684A

功率半导体模块(1)具备多个自灭弧型半导体元件(20a)、印刷布线基板(30)、多个导电接合构件(25a)以及多个导电栅极导线(50a)。印刷布线基板(30)包括绝缘基板(31)、源极导电图案(33)以及栅极导电图案(36)。多个自灭弧型半导体元件(20a)分别包括源极电极(22a)和栅极电极(23a)。源极电极(22a)利用多个导电接合构件(25a)接合于源极导电图案(33)。多个导电栅极导线(50a)将栅极电极(23a)与栅极导电图案(36)相互连接。

关键词：导电图案导电接合构件印刷布线基板半导体元件导电栅极源极电极栅极电极自灭弧源极功率半导体模块绝缘基板接合

学校读者我要写书评

暂无评论

作者：渡边尚威日本东京都

功率半导体模块，包括：半导体封装体1A、第一母线2a、第二母线2b以及焊接控制部件S1。半导体封装体1A包括：功率半导体元件5、第一电极板6和第二电极板7。第一母线2a为通过第一焊料构件50焊接到第一电极板的主表面上的导电构件。第二母... 详细信息

标准号: CN101373762B

功率半导体模块，包括：半导体封装体1A、第一母线2a、第二母线2b以及焊接控制部件S1。半导体封装体1A包括：功率半导体元件5、第一电极板6和第二电极板7。第一母线2a为通过第一焊料构件50焊接到第一电极板的主表面上的导电构件。第二母线2b为通过第二焊料构件焊接到第二电极板的主表面上的导电构件。焊接控制部件S1被提供到第一母线主表面和第二母线主表面中的每一个上，并且控制焊点厚度，其中第一电极板焊接到第一母线，第二电极板焊接到第二母线。

关键词：母线电极板半导体封装体导电构件焊接控制焊料构件功率半导体模块功率半导体元件焊点

功率半导体模块、功率半导体器件和用于制造功率半导体器件的方法

学校读者我要写书评

暂无评论

功率半导体模块、功率半导体器件和用于制造功率半导体器件的方法

作者： D·特拉塞尔 H·拜尔 M·马利基瑞士巴登

指定了一种功率半导体模块(1)，所述功率半导体模块包括：‑至少一个半导体芯片(5)，所述半导体芯片连接到冷却结构(3)，‑至少两个功率端子(7)，所述功率端子与所述至少一个半导体芯片(5)电接触，以及‑壳体(23)，用于功率半导体芯片(5)... 详细信息

标准号: CN116830247A

指定了一种功率半导体模块(1)，所述功率半导体模块包括：‑至少一个半导体芯片(5)，所述半导体芯片连接到冷却结构(3)，‑至少两个功率端子(7)，所述功率端子与所述至少一个半导体芯片(5)电接触，以及‑壳体(23)，用于功率半导体芯片(5)和所述至少两个功率端子(7)，其中，‑所述至少两个功率端子(7)中的每一个具有沿侧向方向突出超过壳体(23)的突出部分(9)，并且‑所述至少两个突出部分(9)中的每一个设置有第一对齐孔(10)。进一步地，指定了一种功率半导体器件和一种用于制造功率半导体器件的方法。

关键词：功率端子半导体芯片功率半导体模块功率半导体器件壳体功率半导体芯片侧向方向冷却结构电接触对齐孔制造