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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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文献类型

65 篇 专利

馆藏范围

65 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

机构

7 篇 恩智浦美国有限公...
7 篇 中国电子科技集团...
4 篇 西门子公司
3 篇 三菱电机株式会社
2 篇 成都汉芯国科集成...
2 篇 三星电机株式会社
2 篇 努吉拉有限公司
2 篇 亚德诺半导体技术...
2 篇 nxp股份有限公司
2 篇 广东志成冠军集团...
2 篇 重庆大学
2 篇 索尼欧洲有限公司
2 篇 许廷格电子两合公...
2 篇 武汉大学
2 篇 亚德诺半导体集团
1 篇 北京北广科技股份...
1 篇 广州市迪声音响有...
1 篇 广州海格通信集团...
1 篇 沈阳普安消防工程...
1 篇 中兴通讯股份有限...

作者

4 篇 张志忠
4 篇 陈东
4 篇 a.阿尔布雷克特
3 篇 杰拉德·维蓬尼
2 篇 马克·皮特·范德海...
2 篇 梁家祺
2 篇 西崎敦雄
2 篇 赵炳学
2 篇 王晓龙
2 篇 李锡涛
2 篇 t·基希迈尔
2 篇 约瑟夫·格拉德·舒...
2 篇 王晓明
2 篇 高建忠
2 篇 j·g·舒尔茨
2 篇 陈燕东
2 篇 杨贺
2 篇 李元河
2 篇 罗安
2 篇 维卡斯·希利姆卡

语言

65 篇 中文

检索条件"主题词=功率放大器装置"

共 65 条记录，以下是1-10 订阅

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详细简洁

排序：

功率放大器装置、张力控制器及负载的判别方法

功率放大器装置、张力控制器及负载的判别方法

引用

作者：西崎敦雄塚田龙也松田优麻日本东京

能够与磁粉离合器或者磁粉制动器即负载(4)连接的功率放大器装置(1)具有：信息存储部(12)，其存储针对负载(4)的每个机型的机型的识别信息、对负载(4)施加的电压、通过施加电压而流动的饱和后的励磁电流、和表示通过施加电压而引起的过... 详细信息

标准号: CN114342247B

能够与磁粉离合器或者磁粉制动器即负载(4)连接的功率放大器装置(1)具有：信息存储部(12)，其存储针对负载(4)的每个机型的机型的识别信息、对负载(4)施加的电压、通过施加电压而流动的饱和后的励磁电流、和表示通过施加电压而引起的过渡状态的励磁电流的指标之间的对应关系而作为机型信息；驱动电路(13)，其对负载(4)施加电压；以及机型判别部(112)，其基于在对负载(4)施加电压时在负载(4)中流动的电流的检测值对指标进行计算，从机型信息提取与对负载施加的电压、检测值和计算出的指标相对应的机型，由此对所连接的负载(4)的机型进行判别。

关键词：施加电压机型机型信息励磁电流功率放大器装置磁粉离合器磁粉制动器信息存储部负载施加过渡状态驱动电路检测流动饱和存储施加

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功率放大器装置、张力控制器及负载的判别方法

功率放大器装置、张力控制器及负载的判别方法

引用

作者：西崎敦雄塚田龙也松田优麻日本东京

标准号: CN114342247A

关键词：施加电压机型机型信息励磁电流功率放大器装置磁粉离合器磁粉制动器信息存储部负载施加过渡状态驱动电路检测流动饱和存储施加

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用于磁共振装置的功率放大器装置

用于磁共振装置的功率放大器装置

引用

作者： A.阿尔布雷克特德国慕尼黑

一种用于磁共振装置（27）的包括壳体（3）的功率放大器装置（1），其中布置有：第一电路板（6），带有至少一个具有至少一个功率电子部件和至少一个与所述功率电子部件连接的导体结构（25）的放大器模块（2），第二电路板（9），带有... 详细信息

标准号: CN103163495B

一种用于磁共振装置（27）的包括壳体（3）的功率放大器装置（1），其中布置有：第一电路板（6），带有至少一个具有至少一个功率电子部件和至少一个与所述功率电子部件连接的导体结构（25）的放大器模块（2），第二电路板（9），带有至少一个功率电子部件和与所述放大器模块（2）的供电装置（5）相配合的导体结构（21），其中第二电路板（9）的导体结构（21）与第一电路板（6）的至少一个连接点（24）连接以对放大器模块（2）供电，和用于冷却功率电子部件的至少一个冷却通道（8），其中特别地布置在平行的平面内的电路板（6、9）的至少两个功率电子部件被布置为使得其在共同的冷却通道（8）的对置侧上与所述冷却通道（8）热连接。

关键词：电路板功率电子放大器模块导体结构冷却通道功率放大器装置磁共振装置部件连接电子部件供电装置冷却功率连接点热连接对置壳体平行供电配合

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一种MOS工艺的功率放大器装置及系统

一种MOS工艺的功率放大器装置及系统

引用

作者：胡鹏周伶俐王日炎何俊良张芳芳钟世广 510000 广东省广州市高新技术产业开发区科学城海云路88号

本发明公开了一种MOS工艺的功率放大器装置，所述功率放大器装置包括主放大器和截断波产生器，其中，主放大器的输入端输入外部输入信号、输出端输出经过主放大器放大后的第一输出信号；主放大器的输入端与截断波产生器的输入端连接、... 详细信息

标准号: CN112234947A

本发明公开了一种MOS工艺的功率放大器装置，所述功率放大器装置包括主放大器和截断波产生器，其中，主放大器的输入端输入外部输入信号、输出端输出经过主放大器放大后的第一输出信号；主放大器的输入端与截断波产生器的输入端连接、输出端与截断波产生器的输出端连接；所述截断波产生器，用于根据系统发送的控制信号生成截断波信号，从而使得所述截断波信号中的干扰成分与第一输出信号的干扰成分抵消后输出到负载设备，进而提高功率放大器的OIP3指标。本发明具有结构简单、功耗低等特点。本发明还提供了一种MOS工艺的功率放大器系统。

关键词：截断主放大器产生器功率放大器装置输出信号输出端输入端功率放大器系统控制信号生成外部输入信号功率放大器输出端连接输入端连接输出成分抵消负载设备功耗放大发送

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一种功率放大器的控制方法及功率放大器装置

一种功率放大器的控制方法及功率放大器装置

引用

作者：王锐何世栋李建军 215000 江苏省苏州市相城区经济技术开发区澄阳街道澄阳路116号阳澄湖国际科技创业园1号楼A座824室

本发明公开了一种功率放大器的控制方法及功率放大器装置，涉及通信领域，通过调整功率放大器的驱动电路的输出阻抗使得功率放大器的驱动电路的输出阻抗与功率放大器的输入阻抗尽量的做到相互匹配，相互匹配的阻抗可以减小驱动电路与功... 详细信息

标准号: CN117938094A

本发明公开了一种功率放大器的控制方法及功率放大器装置，涉及通信领域，通过调整功率放大器的驱动电路的输出阻抗使得功率放大器的驱动电路的输出阻抗与功率放大器的输入阻抗尽量的做到相互匹配，相互匹配的阻抗可以减小驱动电路与功率放大器之间信号传输过程的信号反射，增加输出到功率放大器的驱动信号的线性度，在一定程度上降低了功率放大器及其驱动电路的输出信号的失真情况，减小了输出信号中的高次谐波能量，在无需新增滤波器件的基础上，只需要控制信号，通过对驱动电路进行控制，在射频芯片内部对功放的输出谐波进行控制就可以实现对谐波的抑制过程，不会显著增加整个射频芯片的体积和成本，避免影响射频芯片的集成度和成本控制过程。

关键词：功率放大器驱动电路射频芯片输出信号输出阻抗减小匹配功率放大器装置信号传输过程成本控制高次谐波控制信号滤波器件驱动信号输出谐波输入阻抗通信领域信号反射影响射频集成度线性度功放谐波阻抗失真芯片输出

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在管芯上方具有气腔的封装式功率放大器装置

在管芯上方具有气腔的封装式功率放大器装置

引用

作者：凯文·金维卡斯·希利姆卡约瑟夫·格拉德·舒尔茨美国德克萨斯州

一种功率放大器装置包括基板，所述基板由交替的电介质层和图案化导电层的堆叠以及电连接所述图案化导电层的导电通孔形成。所述基板具有在第一基板表面处暴露的一组基板管芯接触件，以及穿过所述第一基板表面的一部分延伸到所述基板中... 详细信息

标准号: CN117637630A

一种功率放大器装置包括基板，所述基板由交替的电介质层和图案化导电层的堆叠以及电连接所述图案化导电层的导电通孔形成。所述基板具有在第一基板表面处暴露的一组基板管芯接触件，以及穿过所述第一基板表面的一部分延伸到所述基板中的位于所述一组基板管芯接触件之间的气腔。功率晶体管管芯具有在第一管芯表面处的连接到所述基板管芯接触件的第一管芯接触件和第二管芯接触件。所述功率晶体管管芯还包括在所述管芯的有源区域中的集成晶体管。所述集成晶体管包括耦合到所述第一管芯接触件的控制端，以及耦合到所述第二管芯接触件的第一导电端。所述有源区域与第一气腔对准。

关键词：接触件管芯基板基板管图案化导电层功率晶体管集成晶体管第一基板第二管源区域耦合到气腔功率放大器装置导电通孔电介质层管芯表面表面处导电端电连接交替的控制端堆叠对准穿过暴露延伸

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级联全桥型多电平功率放大器装置损耗均衡优化控制方法

级联全桥型多电平功率放大器装置损耗均衡优化控制方法

引用

作者：罗安郭鹏徐千鸣岳雨霏何志兴陈燕东肖牧轩欧阳红林章兢李民英 523000 广东省东莞市塘厦镇田心工业园

本发明公开了一种级联全桥型多电平功率放大器装置损耗均衡优化控制方法，针对采用独立直流供电的级联全桥型多电平功率放大器，建立级联全桥多电平功率放大器输出连续数学方程，得到级联全桥多电平功率放大器输出离散数学方程；将当前... 详细信息

标准号: CN110176867A

本发明公开了一种级联全桥型多电平功率放大器装置损耗均衡优化控制方法，针对采用独立直流供电的级联全桥型多电平功率放大器，建立级联全桥多电平功率放大器输出连续数学方程，得到级联全桥多电平功率放大器输出离散数学方程；将当前时刻采样输出电流i与参考输出电流i^ref代入输出离散数学方程，获取级联全桥多电平功率放大器下一时刻最优输出电平N^opt；定义全桥子模块可靠投入系数λ，依据各个全桥子模块是否发生动作和功率放大器的输出电流大小，实时计算各个全桥子模块对应λ；对所有模块的λ进行排序，并从大到小依次选取|N^opt|个子模块共同输出最优电平N^opt。本发明既能够保证输出电流的快速跟踪又能实现各全桥子模块开关损耗均衡控制。

关键词：多电平级联全桥全桥子模块功率放大器输出电流功率放大器输出离散数学功率放大器装置独立直流供电采样输出均衡控制开关损耗快速跟踪连续数学实时计算输出电平损耗均衡优化控制输出排序参考保证

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具有竖直管芯互连结构的功率放大器装置

具有竖直管芯互连结构的功率放大器装置

引用

作者： K·金 V·希利姆卡尔 J·G·舒尔茨美国得克萨斯

本公开涉及具有竖直管芯互连结构的功率放大器装置。一种功率放大器装置包括晶体管管芯，所述晶体管管芯具有耦合到集成晶体管的端的细长接合垫。所述装置还包括由交替介电层和图案化导电层的堆叠形成的基板。细长管芯接触件暴露于第一... 详细信息

标准号: CN118042709A

本公开涉及具有竖直管芯互连结构的功率放大器装置。一种功率放大器装置包括晶体管管芯，所述晶体管管芯具有耦合到集成晶体管的端的细长接合垫。所述装置还包括由交替介电层和图案化导电层的堆叠形成的基板。细长管芯接触件暴露于第一基板表面处，并且附接到所述细长接合垫以提供所述管芯接触件与所述细长接合垫之间的均匀连接。竖直互连结构连接到所述管芯接触件并且朝向第二基板表面延伸。电路包括耦合到所述第二基板表面且耦合到所述竖直互连结构的无源组件。包封材料层覆盖所述无源组件和所述第二基板表面。多个装置互连件耦合到所述基板，电耦合到功率晶体管管芯，并且暴露于所述功率放大器装置的接触表面处。