检索结果-内蒙古大学图书馆

电工技术学报 2019年第S02期34卷 528-533页

作者：员翠平刘树林赵倩张少雄裴晋军西安科技大学电气与控制工程学院

为提高功率pmos管的开关速度,分析其开关特性,提出一种能够快速开通与关断功率pmos管的有源泄放驱动电路。通过在其栅源极间并接开关电路,并由PWM脉冲控制开关电路中电容充放电以实现并接开关管的开通与关断,迫使功率pmos管栅-源寄生电... 详细信息

为提高功率pmos管的开关速度,分析其开关特性,提出一种能够快速开通与关断功率pmos管的有源泄放驱动电路。通过在其栅源极间并接开关电路,并由PWM脉冲控制开关电路中电容充放电以实现并接开关管的开通与关断,迫使功率pmos管栅-源寄生电容在开通期间快速充电,关断期间快速放电,从而快速开通与关断功率pmos管;结合所提的驱动电路,深入分析功率pmos管的开通与关断过程,并得出驱动电路主要元件的选取方法。将所提出的驱动电路应用于Buck变换器,结果验证了所提驱动电路的可行性及设计方法的正确性。

关键词：功率pmos管栅-源寄生电容开关特性有源泄放驱动电路

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功率pmos管驱动电路及用于三相电机的驱动电路

功率PMOS管驱动电路及用于三相电机的驱动电路

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作者：潘军胥锐郭灿冉建桥王敬 400030 重庆市沙坪坝区西园二路98号三楼

本实用新型公开了功率pmos管驱动电路及用于三相电机的驱动电路，包括：电阻R1、R2、R3、R4，NPN型三极管T1、T2、T4、T5，PNP型三极管T3，二极管D1、D2；T1基极通过R1连接到输入端，发射极接地，集电极连接到T3的基极；R2一端连接到T1... 详细信息

标准号: CN210867554U

本实用新型公开了功率pmos管驱动电路及用于三相电机的驱动电路，包括：电阻R1、R2、R3、R4，NPN型三极管T1、T2、T4、T5，PNP型三极管T3，二极管D1、D2；T1基极通过R1连接到输入端，发射极接地，集电极连接到T3的基极；R2一端连接到T1基极，一端接地；T3的发射极连接到T5集电极，集电极连接到T5基极；T5发射极接地，基极通过R4接地；T2集电极连接到VCC，基极通过R3连接到VCC，发射极连接到T4基极；D1正极连接到T2基极，负极连接到T3基极；D2正极连接到T2发射极，负极连接到T3基极；T4集电极连接到VCC，发射极与T3的发射极连接并作为输出端。本实用新型具备电流放大功能和电平转换功能，能够实现pmos快速导通关断，结构简单，容易加工，成本低廉。

关键词：集电极连接发射极连接本实用新型发射极接地负极连接驱动电路正极连接接地发射极电流放大功能电平转换功能功率pmos管二极管三相电机一端连接集电极输出端输入端电阻加工

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用于提高功率pmos管开关速度的pmos管驱动电路

用于提高功率PMOS管开关速度的PMOS管驱动电路

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作者：刘树林员翠平曹剑黄治徐丹丹汪倩倩 710054 陕西省西安市雁塔路中段58号

本实用新型公开了一种用于提高功率pmos管开关速度的pmos管驱动电路，包括NPN型三极管Q2、NMOS管Q3、肖特基二极管D2、电容C2、电阻R1、电阻R2、电阻R3和电阻R4，NMOS管Q3的栅极与电阻R3的一端连接，NMOS管Q3的漏极与电阻R2的一端连接；... 详细信息

标准号: CN207304508U

本实用新型公开了一种用于提高功率pmos管开关速度的pmos管驱动电路，包括NPN型三极管Q2、NMOS管Q3、肖特基二极管D2、电容C2、电阻R1、电阻R2、电阻R3和电阻R4，NMOS管Q3的栅极与电阻R3的一端连接，NMOS管Q3的漏极与电阻R2的一端连接；NPN型三极管Q2的基极通过电容C2与NMOS管Q3的漏极连接，NPN型三极管Q2的集电极与待驱动的pmos管的源极连接，NPN型三极管Q2的发射极与电阻R2的另一端和待驱动的pmos管的栅极连接。本实用新型电路结构简单，实现方便且成本低，能够有效保证pmos管快速导通与关断，电路工作效果高，工作可靠性高，实用性强，市场前景广阔。

关键词：电阻本实用新型一端连接电容漏极肖特基二极管工作可靠性功率pmos管驱动电路结构工作效果驱动电路源极连接栅极连接发射极集电极导通关断电路保证

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基于斩波技术的LDO设计

基于斩波技术的LDO设计

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作者：莫兴杰国防科学技术大学

学位级别：硕士

LDO(Low Dropout Regulator)即低压差线性稳压器。之所以称之为线性,是因为通过使其中的功率管工作在线性区,来达到稳压的目的。LDO作为稳压器,它属于电源管理芯片中的一种。现今的电子设备,无论是手机还是电脑,无论是微处理器芯片还是... 详细信息

LDO(Low Dropout Regulator)即低压差线性稳压器。之所以称之为线性,是因为通过使其中的功率管工作在线性区,来达到稳压的目的。LDO作为稳压器,它属于电源管理芯片中的一种。现今的电子设备,无论是手机还是电脑,无论是微处理器芯片还是其它集成电路芯片系统,都离不开电源,也就离不开电源管理芯片。为了使电源得到充分的利用,就需要高效的电源管理。本文正是在这样的背景下,为了给某款FT-DSP芯片的某些模块供电而设计了一个LDO。本文采用0.13um CMOS工艺,后仿结果显示,该芯片功能正确,性能良好,满足实际应用的需要。本文的主要工作如下:第一,本文首先对电源进行了分类,并对每一种分类给出相关定义。明确了LDO在电源管理芯片分类中的位置。在阅读大量文献的基础上,总结出了现今LDO的发展趋势。第二,详细分析了LDO的基本工作原理,并对LDO电路的动态调节过程进行了详尽的分析。对LDO的性能指标进行了详细的定义。第三,本文着重设计了LDO关键模块中的带隙基准源。首先分析了传统带隙基准的不足,针对不足本文从三方面改进设计:一,使带隙基准的输出电压降低,远离硅的能隙电压;二,进行温度的二次补偿,改善传统带隙基准只在某一点温度系数为0的缺陷,使温度系数更低;三,加入斩波调制模块使电源噪声抑制性能更佳,放大器的失调电压更低,这样进一步使整个LDO的温度系数更低。仿真结果表明本文设计的带隙基准达到了改善传统带隙基准三方面不足的目的。第四,本文作者补偿了LDO电路的稳定性,并设计了整体LDO的版图,最后进行版图级后仿真,结果表明达到预期指标。总结全文,本文的主要创新点在于将斩波调制模块引进LDO。斩波调制模块的加入,使LDO的温度系数进一步降低。斩波调制模块对温度系数的影响主要是降低放大器的失调电压,从而达到降低温度系数目的。

关键词：低压差线性稳压器 LDO 带隙基准温度补偿斩波技术误差放大器功率pmos管稳定性分析版图设计

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基于延迟控制器的有源整流器

基于延迟控制器的有源整流器

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作者：耿莉薛仲明张李娜苟伟张芮张瑞强张丹阳 710049 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号

本发明公开一种基于延迟控制器的有源整流器，包括功率级、驱动级和延迟控制器；驱动级包括驱动器Driver A和Driver B；功率级包括功率NMOS管MNA、功率NMOS管MNB、功率pmos管MPA和功率pmos管MPB；延迟控制器，具有两个作用：1)、根据输... 详细信息

标准号: CN107040152B

本发明公开一种基于延迟控制器的有源整流器，包括功率级、驱动级和延迟控制器；驱动级包括驱动器Driver A和Driver B；功率级包括功率NMOS管MNA、功率NMOS管MNB、功率pmos管MPA和功率pmos管MPB；延迟控制器，具有两个作用：1)、根据输入节点电压V_A、V_B采用控制延迟时间的方法产生所需要的功率管栅极信号V_GNA、V_GNB；2、利用负反馈回路，使整个整流器导通/关断时输入节点电压V_A、V_B为0，整流器导通状态时没有反向漏电流，同时栅极信号V_GNA，V_GNB的脉冲宽度达到最大化。本发明提出的延迟控制器通过电流控制延时来产生功率管的栅极信号，从而避免了传统的基于比较器的有源整流器的多重脉冲问题；采用负反馈，有源整流器的导通角能在不引入反向漏电流的情况下达到最大占空比。

关键词：整流器延迟控制器栅极信号输入节点电压反向漏电流功率NMOS管功率pmos管功率管功率级驱动级驱动器负反馈回路最大占空比导通状态电流控制多重脉冲比较器传统的导通角负反馈最大化脉冲导通关断延时延迟引入

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一种带有过流保护功能的功放电路及芯片

一种带有过流保护功能的功放电路及芯片

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作者：赵伟兵 519000 广东省珠海市横琴新区宝华路6号105室-514

本发明公开一种带有过流保护功能的功放电路及芯片，该功放电路包括输出通道电路、过流反馈回路和基准电流源，所述过流反馈回路包括上管过流反馈回路和下管过流反馈回路，所述基准电流源包括上管基准电流源和下管基准电流源，所述输出... 详细信息

标准号: CN109194292A

本发明公开一种带有过流保护功能的功放电路及芯片，该功放电路包括输出通道电路、过流反馈回路和基准电流源，所述过流反馈回路包括上管过流反馈回路和下管过流反馈回路，所述基准电流源包括上管基准电流源和下管基准电流源，所述输出通道电路包括上管功率pmos管和下管功率NMOS管。所述上管过流反馈回路通过比较上管功率pmos管的输出电流的预设比例的电流值与上管基准电流源的输出电流来控制上管功率pmos管的漏极电流不超过其临界保护电流值；所述下管过流反馈回路通过比较下管功率NMOS管的输出电流的预设比例的电流值与下管基准电流源的输出电流来控制下管功率NMOS管的漏极电流不超过其临界保护电流值。

关键词：基准电流源上管下管反馈回路输出电流功率NMOS管功率pmos管输出通道电路功放电路漏极电流预设过流保护功能芯片

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一种电池均衡放电控制电路

一种电池均衡放电控制电路

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作者：黄小刚 710075 陕西省西安市高新区高新一路25号创新大厦S716室

本发明公开了一种电池均衡放电控制电路，涉及电池技术领域，包括微控制器和多组并联的均衡电路；每组均衡电路均包括：电池包，与负载连接；功率pmos开关管，其D极与电池包一端连接，G极与微控制器连接，S极与负载连接；第一肖特基二... 详细信息

标准号: CN115954980A

本发明公开了一种电池均衡放电控制电路，涉及电池技术领域，包括微控制器和多组并联的均衡电路；每组均衡电路均包括：电池包，与负载连接；功率pmos开关管，其D极与电池包一端连接，G极与微控制器连接，S极与负载连接；第一肖特基二极管，第一肖特基二极管阳极与D极连接，阴极与S极连接；电流检测模块，用于对均衡电路的电流进行检测；微控制器根据各电流检测模块的电流值对各功率pmos开关管进行开启与关闭，使得多个电池包的电流达到均流状态。本发明的电路主要是利用功率pmos管导通的低损耗和低压降来降低整体电路的自身功耗，同时利用肖特基二极管防止电池包之间由于电压的不相等引起的充电行为。

关键词：肖特基二极管均衡电路微控制器电池包电流检测模块负载连接阴极电池技术领域放电控制电路功率pmos管阳极充电行为电池均衡多个电池多组并联一端连接整体电路不相等低损耗低压降导通功耗均流电路检测

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一种适用于超低输入电压工作的负压驱动电路

一种适用于超低输入电压工作的负压驱动电路

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作者：张妹雄王萌 214000 江苏省无锡市滨湖区建筑西路777号A3幢4层407

本发明公开一种适用于超低输入电压工作的负压驱动电路，属于电子电路领域，包括负压电荷泵电路、软启动电路和GATE负压钳位电路。所述负压电荷泵电路内置功率pmos管；在1V输入电压情况下，通过所述负压电荷泵电路产生负压的GATE电压，... 详细信息

标准号: CN115800984A

本发明公开一种适用于超低输入电压工作的负压驱动电路，属于电子电路领域，包括负压电荷泵电路、软启动电路和GATE负压钳位电路。所述负压电荷泵电路内置功率pmos管；在1V输入电压情况下，通过所述负压电荷泵电路产生负压的GATE电压，使得功率pmos管有足够的Vsg电压，使其处在完全导通状态；所述软启动电路用于开通瞬间控制开通速度，防止瞬态大电流对系统造成伤害；所述GATE负压钳位电路用于钳住Vsg的电压使其低于功率pmos管的栅源极的耐压。本发明可支持低至1V的工作电压，且增加超小的导通电阻和功率损耗。

关键词：负压电荷泵电路功率pmos管软启动电路钳位电路超低输入电压负压驱动电路瞬态大电流导通电阻导通状态电子电路工作电压功率损耗输入电压栅源极开通耐压内置伤害

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高效低EMI的驱动电路

高效低EMI的驱动电路

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作者：陈炳杰张明焦炜杰 214028 江苏省无锡市新吴区弘毅路10号金乾座1901-1910、2001-2010室

本发明涉及一种高效低EMI的驱动电路。其高边功率pmos管的漏极端、低边功率NMOS管的漏极端与感性元件相互连接后能形成节点SW；还包括驱动电路本体；开启主控功率管时，当通过节点SW的节点电压以及高边功率管pmos管的源极电压确定进入... 详细信息

标准号: CN112332638B

本发明涉及一种高效低EMI的驱动电路。其高边功率pmos管的漏极端、低边功率NMOS管的漏极端与感性元件相互连接后能形成节点SW；还包括驱动电路本体；开启主控功率管时，当通过节点SW的节点电压以及高边功率管pmos管的源极电压确定进入所述主控功率管的米勒平台期时，加速开启主控功率管，直至主控功率管完全开启；关断功率管时，通过驱动电路本体能快速降低主控功率管的驱动能力，直至进入主控功率管的米勒平台，驱动电路本体逐渐降低对主控功率管的驱动能力，直至在主控延时时间内主控功率管完全关断，且在主控延时时间计时完成后，立即开启同步整流管。本发明能有效实现功率MOSFET器件的交替导通，并能降低交替导通过程中的EMI，适应范围广，安全可靠。

关键词：功率管主控驱动电路驱动能力漏极端高边关断延时功率MOSFET器件功率NMOS管功率pmos管同步整流管感性元件交替导通节点电压完全开启有效实现源极电压逐渐降低平台期低EMI 低边计时

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一种超低静态功耗的降压型DC-DC转换器

一种超低静态功耗的降压型DC-DC转换器

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作者：刘帘曦黄文斌徐成智励永远朱樟明 710000 陕西省西安市雁塔区太白南路2号

本发明公开了一种超低静态功耗的降压型DC‑DC转换器，包括控制芯片，所述控制芯片包括带隙基准电压电流二合一电路、深度休眠模式检测电路、主比较器、运算放大器、自适应导通时间产生电路、过零检测电路、控制逻辑电路、自适应死区时... 详细信息

标准号: CN113162407B

本发明公开了一种超低静态功耗的降压型DC‑DC转换器，包括控制芯片，所述控制芯片包括带隙基准电压电流二合一电路、深度休眠模式检测电路、主比较器、运算放大器、自适应导通时间产生电路、过零检测电路、控制逻辑电路、自适应死区时间控制及驱动电路、第一反馈电阻、第二反馈电阻、第一补偿电阻、第一补偿电容、第一电流采样电阻、第一电流采样电容、高侧功率pmos管以及低侧功率NMOS管。本发明的超低静态功耗的降压型DC‑DC转换器能够在单一电路设计模块中同时实现脉冲宽度调制模式(PWM)和脉冲频率调制模式(PFM)，从而在宽负载范围内可以实现高效率，并且当输出负载降低至到一定值后，转换器的功耗可以降低至nA级别，并在宽负载范围内实现高效率。

关键词：低静态功耗反馈电阻控制芯片高效率降压型宽负载自适应脉冲宽度调制模式脉冲频率调制模式转换器带隙基准电压电流采样电阻过零检测电路控制逻辑电路深度休眠模式时间产生电路死区时间控制功率NMOS管功率pmos管运算放大器补偿电容补偿电阻单一电路电流采样检测电路驱动电路设计模块输出负载主比较器二合一电容导通低侧高侧功耗电路

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