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AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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文献类型

17 篇 专利

馆藏范围

17 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

机构

10 篇 三星电子株式会社
1 篇 拉姆伯斯公司
1 篇 北京芯技佳易微电...
1 篇 株式会社日立制作...
1 篇 富士通半导体股份...
1 篇 浙江大学
1 篇 台湾积体电路制造...

作者

4 篇 车相彦
3 篇 金经纶
2 篇 徐宁焄
2 篇 崔颜
1 篇 f·a·韦尔
1 篇 辛昊炫
1 篇 e·特塞恩
1 篇 吴台荣
1 篇 郑龙权
1 篇 叶佳宝
1 篇 陈新
1 篇 朱一明
1 篇 金光贤
1 篇 吴伦娜
1 篇 t·福格尔桑
1 篇 池增慎一郎
1 篇 金正烈
1 篇 秋喆焕
1 篇 林采一
1 篇 坂本达哉

语言

17 篇 中文

检索条件"主题词=动态存储器单元"

共 17 条记录，以下是1-10 订阅

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详细简洁

排序：

一种非易失性的动态存储器单元

一种非易失性的动态存储器单元

引用

作者：陈冰崔学成曹继芳刘冬赵家艺叶佳宝夏文泰 310058 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号

本发明公开了一种非易失性的动态存储器单元，包括一条位线、一条字线、两个场效应晶体管、一个铁电MOS电容和一个电压比较器；其中场效应晶体管充当开关的作用，铁电MOS电容用来存储信息；在向铁电MOS电容写入存储信息“0”或“1”时... 详细信息

标准号: CN114360596A

本发明公开了一种非易失性的动态存储器单元，包括一条位线、一条字线、两个场效应晶体管、一个铁电MOS电容和一个电压比较器；其中场效应晶体管充当开关的作用，铁电MOS电容用来存储信息；在向铁电MOS电容写入存储信息“0”或“1”时，铁电MOS电容的极化方向会不同，导致铁电MOS电容值不同；在读取存储信息时，电容值的不同导致在与位线电容分压时，存储“0”或“1”时铁电MOS电容分得的电压具有差异，通过电压比较器表征这种电压差异，从而区分存储信息为“0”或“1”。其优点在于并不是依靠电荷存储信息，而是通过电容值来储存信息，具有非易失的特性。

关键词：铁电场效应晶体管电压比较器存储信息电容动态存储器单元读取储存信息电荷存储电压差异非易失性极化方向区分存储位线电容写入存储非易失分压位线字线存储

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半导体存储器装置、操作其的方法以及存储器系统

半导体存储器装置、操作其的方法以及存储器系统

引用

作者：车相彦金经纶徐宁焄韩国京畿道水原市

公开了半导体存储器装置、操作其的方法以及存储器系统。所述半导体存储器装置包括：存储器单元阵列、纠错码引擎、输入/输出选通电路以及控制逻辑电路。存储器单元阵列包括多个存储体阵列，每个存储体阵列包括动态存储器单元。响应于... 详细信息

标准号: CN110120243B

公开了半导体存储器装置、操作其的方法以及存储器系统。所述半导体存储器装置包括：存储器单元阵列、纠错码引擎、输入/输出选通电路以及控制逻辑电路。存储器单元阵列包括多个存储体阵列，每个存储体阵列包括动态存储器单元。响应于访问地址和命令，控制逻辑电路生成用于控制输入/输出选通电路的第一控制信号和用于控制纠错码引擎的第二控制信号。控制逻辑电路响应于第一命令控制纠错码引擎对将被存储在至少一个存储体阵列的第一页中的写入数据执行s位纠错码编码，并响应于第二命令控制纠错码引擎对从第一页读取的第一码字执行t位纠错码解码。

关键词：纠错码控制逻辑电路引擎存储体阵列半导体存储器装置存储器单元阵列输入/输出命令控制选通电路响应动态存储器单元读取第二控制信号第一控制信号存储器系统纠错码编码纠错码解码访问地址写入数据码字存储

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堆叠式存储器装置及其操作方法、存储器系统

堆叠式存储器装置及其操作方法、存储器系统

引用

作者：崔颜韩国京畿道水原市

公开堆叠式存储器装置及其操作方法、存储器系统。所述堆叠式存储器装置包括：缓冲器裸片、堆叠在缓冲器裸片上的多个存储器裸片和多个硅通孔(TSV)。缓冲器裸片与外部装置通信。TSV延伸通过所述多个存储器裸片以连接到缓冲器裸片。每个... 详细信息

标准号: CN110751976B

公开堆叠式存储器装置及其操作方法、存储器系统。所述堆叠式存储器装置包括：缓冲器裸片、堆叠在缓冲器裸片上的多个存储器裸片和多个硅通孔(TSV)。缓冲器裸片与外部装置通信。TSV延伸通过所述多个存储器裸片以连接到缓冲器裸片。每个存储器裸片包括存储器单元阵列，存储器单元阵列包括结合到多条字线和多条位线的多个动态存储器单元。缓冲器裸片包括测试电路，在测试模式下，测试电路对与所述多个存储器裸片中的一个存储器裸片相应的目标存储器裸片的动态存储器单元执行测试，并将包括至少一个缺陷单元的存储器单元行的地址存储在除了目标存储器裸片之外的其他存储器裸片的至少一个列解码器中。

关键词：存储器裸片裸片缓冲器存储器单元阵列动态存储器单元堆叠式存储器目标存储器测试电路外部装置通信存储器单元存储器系统测试模式地址存储列解码器缺陷单元硅通孔堆叠位线字线测试延伸

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存储器装置、存储器系统和操作存储器装置的方法

存储器装置、存储器系统和操作存储器装置的方法

引用

作者：车相彦韩国京畿道水原市

提供一种存储器装置、存储器系统和操作存储器装置的方法。所述半导体存储器装置包括：存储器单元阵列，包括多个动态存储器单元；纠错码(ECC)引擎；输入/输出(I/O)门控电路，连接在所述ECC引擎与所述存储器单元阵列之间；错误信息寄存... 详细信息

标准号: CN110085277B

提供一种存储器装置、存储器系统和操作存储器装置的方法。所述半导体存储器装置包括：存储器单元阵列，包括多个动态存储器单元；纠错码(ECC)引擎；输入/输出(I/O)门控电路，连接在所述ECC引擎与所述存储器单元阵列之间；错误信息寄存器，被配置为存储错误地址和第一校验子，错误地址和第一校验子与存储在所述存储器单元阵列的第一页中的第一码字中的第一错误位相关联；控制逻辑，基于被再次读取并包括与第一错误位不同的第二错误位的第一码字，通过使用存储在所述错误信息寄存器中的第一校验子来恢复与第二错误位相关联的第二校验子，并顺序地校正第一错误位和第二错误位。

关键词：错误位校验子存储器单元阵列错误信息寄存器错误地址存储码字半导体存储器装置动态存储器单元读取关联操作存储器存储器系统存储器装置输入/输出控制逻辑门控电路纠错码校正引擎配置恢复

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智能计算内存模组

智能计算内存模组

引用

作者：陈新 100164 北京市丰台区方庄南路58号院5-4-602

本发明公开了一种智能计算内存模组，其特征在于，由低功耗智能控制器、大容量动态存储器单元、辅助电源接口、非易失存储器和外部数据与控制接口组成；所述智能计算内存模组由智能控制器控制，能够工作在与标准内存模组兼容的超强纠错... 详细信息

标准号: CN117149047A

本发明公开了一种智能计算内存模组，其特征在于，由低功耗智能控制器、大容量动态存储器单元、辅助电源接口、非易失存储器和外部数据与控制接口组成；所述智能计算内存模组由智能控制器控制，能够工作在与标准内存模组兼容的超强纠错内存模组状态，和增加了数据加速运算的存内计算内存模组状态；所述外部数据与控制接口是与主机系统总线插座连接的兼容接口，包括但不限于计算机、游戏机和便携设备的内存模组电路接口；所述辅助电源接口能够协助智能控制器实现不掉电内存的功能。本发明是计算在内存模组中进行，升级替换内存模组就能实现算力升级和数据加速运算。

关键词：内存模组智能控制器辅助电源接口控制接口外部数据智能计算模组运算动态存储器单元非易失存储器主机系统总线便携设备标准内存插座连接电路接口兼容接口大容量低功耗游戏机超强掉电纠错升级内存替换兼容计算机

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半导体存储器装置和操作半导体存储器装置的方法

半导体存储器装置和操作半导体存储器装置的方法

引用

作者：金经纶吴伦娜辛昊炫李载镐韩国京畿道水原市

公开了半导体存储器装置和操作半导体存储器装置的方法。所述半导体存储器装置包括：存储器单元阵列，所述存储器单元阵列包括：多个段，设置在多个行块和多个列块的对应的交叉点处，每个行块包括结合到字线和位线的多个动态存储器单元... 详细信息

标准号: CN112216332A

公开了半导体存储器装置和操作半导体存储器装置的方法。所述半导体存储器装置包括：存储器单元阵列，所述存储器单元阵列包括：多个段，设置在多个行块和多个列块的对应的交叉点处，每个行块包括结合到字线和位线的多个动态存储器单元；行解码器，响应于行地址，激活第一行块的第一字线；基于第一熔丝信息确定第一行块是否是主块以及确定第二行块是否被映射为主块的从属；激活第二行块的第二字线并输出行块信息信号；和列解码器，基于列地址、行块信息信号和第二熔丝信息访问结合到第一字线的多个第一存储器单元的部分或结合到第二字线的多个第二存储器单元的部分。

关键词：行块字线半导体存储器装置存储器单元阵列熔丝动态存储器单元激活存储器单元第二存储器交叉点处列解码器信息访问信息确定信息信号行解码器块信息列地址输出行行地址位线映射主块从属响应

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动态半导体存储器装置及具有其的存储器系统

动态半导体存储器装置及具有其的存储器系统

引用

作者：秋喆焕金光贤韩国京畿道水原市

提供了动态半导体存储器装置及包括其的存储器系统。动态半导体存储器装置包括：存储器单元阵列，包括具有连接在第一字线与第一位线之间的多个第一动态存储器单元的第一存储器单元阵列块、具有连接在第二字线与第二位线之间的多个第二... 详细信息

标准号: CN111261208A

提供了动态半导体存储器装置及包括其的存储器系统。动态半导体存储器装置包括：存储器单元阵列，包括具有连接在第一字线与第一位线之间的多个第一动态存储器单元的第一存储器单元阵列块、具有连接在第二字线与第二位线之间的多个第二动态存储器单元的第二存储器单元阵列块及具有感测放大器的感测放大块，感测放大器被配置为将第一位线和第二位线的电压放大至第一感测电源电压或比第一感测电源电压高的第二感测电源电压；温度传感器单元，被配置为感测温度并生成温度感测信号；以及电压生成器，被配置为响应于温度感测信号生成第一或第二感测电源电压，将第一或第二感测电源电压施加到存储器单元阵列，将感测接地电压施加到存储器单元阵列。

关键词：感测电源电压位线存储器单元阵列动态半导体存储器动态存储器单元温度感测信号感测放大器字线配置存储器单元阵列块温度传感器单元施加存储器系统单元阵列块第二存储器电压生成器电压放大接地电压大块响应

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堆叠式存储器装置及其操作方法、存储器系统

堆叠式存储器装置及其操作方法、存储器系统

引用

作者：崔颜韩国京畿道水原市

标准号: CN110751976A

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存储器系统和操作存储器系统的方法

存储器系统和操作存储器系统的方法

引用

作者：金正烈方遒锡李政勇林采一郑龙权韩国京畿道水原市

公开一种存储器系统和操作存储器系统的方法。存储器控制器在刷新周期期间将一个或多个自刷新进入命令和随后的自刷新退出命令的命令对发送到半导体存储器装置。半导体存储器装置包括存储器单元阵列和刷新控制电路，存储器单元阵列包括... 详细信息

标准号: CN109949844A

公开一种存储器系统和操作存储器系统的方法。存储器控制器在刷新周期期间将一个或多个自刷新进入命令和随后的自刷新退出命令的命令对发送到半导体存储器装置。半导体存储器装置包括存储器单元阵列和刷新控制电路，存储器单元阵列包括多个存储器单元行，每个存储器单元行包括多个动态存储器单元。刷新控制电路在刷新周期期间，在自刷新模式下对所有存储器单元行执行刷新操作，刷新周期的自刷新模式响应于一个或多个命令对的每个自刷新进入命令而被配置，针对所述一个或多个命令对中的每个命令对，存储器控制器在刷新周期期间，将通过一个或多个时间间隙分开的至少一个自刷新进入命令和至少一个自刷新退出命令顺序地发送到半导体存储器装置。

关键词：自刷新刷新周期半导体存储器装置存储器单元存储器单元阵列存储器控制器刷新控制电路自刷新模式退出命令动态存储器单元操作存储器存储器系统时间间隙刷新操作响应配置

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半导体存储器装置和操作半导体存储器装置的方法

半导体存储器装置和操作半导体存储器装置的方法

引用

作者：赵硕进吴台荣朴廷桓韩国京畿道

本公开提供了一种半导体存储器装置以及一种操作半导体存储器装置的方法。所述半导体存储器装置包括存储器单元阵列和地址解码器。存储器单元阵列包括多个存储器块，所述多个存储器块中的每一个包括结合至字线和位线的多个动态存储器单... 详细信息

标准号: CN110473870A

本公开提供了一种半导体存储器装置以及一种操作半导体存储器装置的方法。所述半导体存储器装置包括存储器单元阵列和地址解码器。存储器单元阵列包括多个存储器块，所述多个存储器块中的每一个包括结合至字线和位线的多个动态存储器单元，所述多个存储器块中的每一个通过行地址的行块等同比特被划分为多个行块，并且行块中的每一个包括在第一方向上排列的多个子阵列块。地址解码器基于通过写命令或读命令接收的列地址改变存储或输出数据的存储器单元的物理行地址。

关键词：半导体存储器装置存储器块行块存储器单元阵列地址解码器动态存储器单元存储器单元多个子阵列改变存储输出数据读命令列地址物理行写命令行地址位线字线

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