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文献类型

  • 2 篇 期刊文献

馆藏范围

  • 2 篇 电子文献
  • 0 种 纸本馆藏

日期分布

学科分类号

  • 2 篇 工学
    • 2 篇 材料科学与工程(可...
    • 2 篇 电子科学与技术(可...

主题

  • 2 篇 动态电流崩塌模型
  • 2 篇 二维异质结构
  • 2 篇 能带剪裁
  • 2 篇 铝镓氮/铝铟氮复合...
  • 1 篇 原位钝化氮化硅
  • 1 篇 综合设计
  • 1 篇 氮化硅/半导体异质...
  • 1 篇 催化剂化学气相淀...
  • 1 篇 氮化镓异质结场效...

机构

  • 1 篇 南京电子器件研究...
  • 1 篇 单片集成电路与模...

作者

  • 2 篇 薛舫时

语言

  • 2 篇 中文
检索条件"主题词=动态电流崩塌模型"
2 条 记 录,以下是1-10 订阅
排序:
原位钝化和催化剂钝化沟道阱能带计算
收藏 引用
固体电子学研究与进展 2011年 第4期31卷 319-327页
作者: 薛舫时 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016
把Si3N4/AlGaN界面看成新的异质结,自洽求解薛定谔方程和泊松方程,建立起原位钝化和CATCVD钝化异质结构的新能带模型。运用这一模型,研究了原位钝化和CATCVD钝化异质结沟道阱的电子气密度、能带结构和输运性能,解释了相应的实验结果。... 详细信息
来源: 评论
GaN HFET的综合设计
收藏 引用
固体电子学研究与进展 2009年 第4期29卷 473-479页
作者: 薛舫时 单片集成电路与模块国家级重点实验室 南京电子器件研究所南京210016
从自洽求解薛定谔方程和泊松方程出发,研究了负极化电荷在强化沟道阱量子限制和能带剪裁中的作用。优化设计负极化电荷的位置后给出了新的复合势垒设计。提出了新的动态电流崩塌模型和二维异质结构概念,把原位Si3N4钝化和复合势垒结合... 详细信息
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