检索结果-内蒙古大学图书馆

电子学报 2000年第11期28卷 29-31页

作者：李毅王泽毅侯劲松清华大学计算机科学与技术系设计自动化教研组北京100084

在高密度比特位动态随机存储器 (DRAM)芯片的发展中 ,随着多层布线与复杂存储单元结构的日渐普遍使用 ,互连寄生电容对存储器件性能如时延、功耗、噪声等的影响日渐突出 ,已成为不可忽视的重要因素 ,对互连寄生电容提取软件提出了紧迫... 详细信息

在高密度比特位动态随机存储器 (DRAM)芯片的发展中 ,随着多层布线与复杂存储单元结构的日渐普遍使用 ,互连寄生电容对存储器件性能如时延、功耗、噪声等的影响日渐突出 ,已成为不可忽视的重要因素 ,对互连寄生电容提取软件提出了紧迫的要求 .本文介绍一个基于直接边界元素法的精度高 ,速度快 ,并可适应复杂堆叠(stacked)电容器结构的互连寄生电容模拟软件 ,并通过实例计算。

关键词：寄生电容动态随机存储器堆叠存储电容器

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动态随机存储器器件研究进展

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中国科学：物理学、力学、天文学 2016年第10期46卷 36-45页

作者：吴俊姚尧卢细裙王鹏飞复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

动态随机存储器芯片是集成电路中销售量和销售额最大的单一产品.本文介绍了DRAM存储单元的基本原理并回顾了DRAM的技术发展与关键创新,总结了多种先进技术节点的DRAM芯片制造的关键工艺技术.分析了电容结构、阵列访问晶体管、存储器单... 详细信息

动态随机存储器芯片是集成电路中销售量和销售额最大的单一产品.本文介绍了DRAM存储单元的基本原理并回顾了DRAM的技术发展与关键创新,总结了多种先进技术节点的DRAM芯片制造的关键工艺技术.分析了电容结构、阵列访问晶体管、存储器单元结构等方面的技术演进.介绍了多种基于U形沟道晶体管的DRAM存储单元以及6F2存储单元的制造方法.基于多项关键技术突破,对下一代DRAM芯片的关键器件工艺的技术发展趋势进行了推测.即:(1)阵列选择晶体管持续使用U形晶体管;(2)低k材料会被大规模使用来降低位线寄生电容;(3)提高灵敏放大电路的灵敏度和随温度来动态调整刷新频率来降低对存储电容的要求;(4)更多关注低功耗设计而不是一味地增大存储容量.

关键词：动态随机存储器短沟道效应掩埋字线阵列访问晶体管存储电容

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动态随机存储器栅极侧壁硅化钨残留的去除工艺

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纳米技术与精密工程 2009年第4期7卷 305-309页

作者：彭坤王飚肖德元仇圣棻吴萍昆明理工大学机电学院昆明650093 西南交通大学经济管理学院成都610031 中芯国际集成电路制造有限公司晶圆S1厂上海201203

动态随机存储器栅极侧壁硅化钨残留造成的短路成为制约提高产品良率及可靠性的瓶颈.为此,采用X射线荧光光谱(XRF)、扫描电镜(SEM)等检测分析手段优化硅/钨原子组成比为2.45.透射电镜(TEM)及电性参数测试结果表明,经30s、1000℃快速热处... 详细信息

动态随机存储器栅极侧壁硅化钨残留造成的短路成为制约提高产品良率及可靠性的瓶颈.为此,采用X射线荧光光谱(XRF)、扫描电镜(SEM)等检测分析手段优化硅/钨原子组成比为2.45.透射电镜(TEM)及电性参数测试结果表明,经30s、1000℃快速热处理可获得方块阻值为12Ω/cm2的硅化钨,且可刻蚀性能好.在硅化钨刻蚀前利用电子束扫描发现,15min的氢氟酸和10min浓硫酸与过氧化氢混合溶液(SPM)在300W超声波条件下的新湿法清洗工艺,能去除84.7%的表面微粒及残留聚合物.整合上述优化工艺可以将硅化钨残留造成的65nm动态随机存储器芯片失效率由31.3%降到1.9%,为研究下一代产品提供有效借鉴.

关键词：硅化钨侧壁残留漏电流快速热处理湿法清洗动态随机存储器

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动态随机存储器(DRAM)的BIST设计研究

动态随机存储器(DRAM)的BIST设计研究

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作者：玄立伟桂林电子科技大学

学位级别：硕士

DRAM产品被视为半导体工业的技术引擎,因此,高质量的测试策略显得尤为重要。BIST(Built-In Self-Test,内建自测试)作为一种可以全速测试的DFT(Design For Testability,可测性设计)解决方案被广泛应用于存储器测试。March测试算法因其较... 详细信息

DRAM产品被视为半导体工业的技术引擎,因此,高质量的测试策略显得尤为重要。BIST(Built-In Self-Test,内建自测试)作为一种可以全速测试的DFT(Design For Testability,可测性设计)解决方案被广泛应用于存储器测试。March测试算法因其较高的故障覆盖率及较低的复杂度而成为存储器测试的常用算法。\n 本文在认真研究了DRAM故障模型和March算法的基础上,设计了两种指令编码规则,一种是为了实现对面向DRAM特有故障的测试算法的编码,另一种则是为了实现对面向存储器普通故障的测试算法的编码。\n 本文设计了一种基于指令的DRAM BIST控制器,该控制器能够兼容两种指令编码,以满足对DRAM中特有故障和存储器普通故障的测试。它有四种工作模式,每种工作模式适合不同的测试要求。\n 为了支持不同算法及不同类型DRAM的测试,本文以DRAM BIST控制器为基础设计了一个DRAM BIST IP核自动生成系统,该系统能够根据用户定义的相关参数自动生成DRAM BIST IP软核,以满足不同的测试需要。\n 经实验表明,本文设计的DRAM BIST IP核能够实现对DRAM中存在的特有故障以及存储器普通故障的测试,基本达到实用化的程度,具有较好的应用前景。

关键词：动态随机存储器内建自测试可测性设计故障模型自动生成系统

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动态随机存储器IC芯片制造技术的进展与展望

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半导体技术 2002年第12期27卷 10-13页

作者：孙以材王静赵彦晓田立强刘江河北工业大学天津300130

介绍了DRAM 0.1mm特征尺寸理论极限的突破及相关技术进展,以及各种非易失性随机存储器(NVRAM)如FeRAM,相变RAM,MRAM。现今PC中的RAM很快将被NVRAM所取代,从而可缩短PC的启动时间。

关键词：动态随机存储器 IC芯片展望集成电路非易失性随机存储器

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动态随机存储器及其制作方法

动态随机存储器及其制作方法

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作者：骆中伟 314499 浙江省嘉兴市海宁市海宁经济开发区双联路129号9号楼5层

本发明涉及一种动态随机存储器及其制作方法。所述动态随机存储器包括：基底；存储阵列，位于基底上，存储阵列包括沿第一方向和第二方向呈阵列排布的多个存储单元；字线结构，包括沿第一方向间隔排布的多条字线，每条字线沿第二方向延... 详细信息

标准号: CN116685143A

本发明涉及一种动态随机存储器及其制作方法。所述动态随机存储器包括：基底；存储阵列，位于基底上，存储阵列包括沿第一方向和第二方向呈阵列排布的多个存储单元；字线结构，包括沿第一方向间隔排布的多条字线，每条字线沿第二方向延伸且与沿第二方向间隔排布的多个存储单元电连接；字线引线结构，包括与多条字线一一对应电连接的多条字线引线，与相邻的两条字线分别电连接的两条字线引线错开设置；屏蔽结构，至少包括一个沿第二方向延伸的屏蔽层，屏蔽层位于沿第一方向相邻的两条字线之间。本发明改善了动态随机存储器的性能，并简化了动态随机存储器的制作工艺。

关键词：字线动态随机存储器电连接存储单元存储阵列方向间隔方向延伸屏蔽层基底排布错开设置屏蔽结构引线结构阵列排布制作工艺字线结构制作

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动态随机存储器内的电阻控制方法及装置、存储介质

动态随机存储器内的电阻控制方法及装置、存储介质

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作者：刘波邵绪晨李楠 215000 江苏省苏州市吴中经济开发区郭巷街道官浦路1号9幢

本申请实施例提供了一种动态随机存储器内的电阻控制方法及装置、存储介质，其中，该动态随机存储器内的电阻控制方法包括：获取电阻控制信号，其中，电阻控制信号用于将参考电阻电路的输出电阻的电阻值控制为一组预设电阻值中的目标电... 详细信息

标准号: CN116386691A

本申请实施例提供了一种动态随机存储器内的电阻控制方法及装置、存储介质，其中，该动态随机存储器内的电阻控制方法包括：获取电阻控制信号，其中，电阻控制信号用于将参考电阻电路的输出电阻的电阻值控制为一组预设电阻值中的目标电阻值，参考电阻电路是动态随机存储器的指定管脚外接的、输出电阻作为与动态随机存储器的端接电阻对应的参考电阻的电阻电路；响应于电阻控制信号，调整参考电阻电路的一组预设电阻中，与电阻控制信号匹配的目标电阻的电阻状态，以将参考电阻电路的输出电阻的电阻值控制为目标电阻值。

关键词：参考电阻动态随机存储器电阻控制信号目标电阻输出电阻电路电阻值控制电阻控制电阻预设存储介质电阻电路电阻状态端接电阻管脚外接匹配响应申请

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动态随机存储器刷新的分析

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石家庄铁路职业技术学院学报 2019年第4期18卷 64-68页

作者：柴晓东黄河科技学院国际学院

动态随机存储器的存储位元是基于电容器上的电荷量来存储数据的。这个电荷量会随着时间而减少,导致存储的数据丢失。为了保持数据的完整性,必须定期对电容上的电荷进行恢复和刷新。文章主要讨论关于DRAM刷新最常见的问题。首先介绍了两... 详细信息

动态随机存储器的存储位元是基于电容器上的电荷量来存储数据的。这个电荷量会随着时间而减少,导致存储的数据丢失。为了保持数据的完整性,必须定期对电容上的电荷进行恢复和刷新。文章主要讨论关于DRAM刷新最常见的问题。首先介绍了两种基本的刷新方式,分散式刷新和集中式刷新;然后介绍三种实现刷新的方法:RAS#-only刷新,CAS#-befbre-RAS#刷新和隐蔽刷新。

关键词：动态随机存储器分散式刷新集中式刷新隐蔽刷新

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基于动态随机存储器的存储中运算卷积神经网络加速器研究

基于动态随机存储器的存储中运算卷积神经网络加速器研究

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作者：邓全国防科技大学

学位级别：博士

卷积神经网络(Convolutional Neural Network,CNN)近年来发展势头迅猛,被广泛应用在图像识别、模式识别等领域。用于图像识别CNN的错误率从2010年的28%降至2016年的3%,已经优于人类5%的错误率。目前,大型CNN的参数数量已经达到数百万,... 详细信息

卷积神经网络(Convolutional Neural Network,CNN)近年来发展势头迅猛,被广泛应用在图像识别、模式识别等领域。用于图像识别CNN的错误率从2010年的28%降至2016年的3%,已经优于人类5%的错误率。目前,大型CNN的参数数量已经达到数百万,并且每幅图像需要多达数百亿次操作。随着卷积神经网络应用场景的拓展和计算需求的继续增长,学术界和工业界展开了对CNN加速器的探索。平衡计算和存储的关系是CNN加速器设计的一个难点。当使用传统的微处理器体系结构构建高性能CNN加速器时,CNN加速器面临严峻的存储带宽和容量的挑战。存储中运算(Process-in-Memory,PIM)结构的出现为解决CNN加速器设计中存储墙问题提供了可行方案,成为实现CNN加速器最具潜力的体系结构之一。以存储为核心的新体系结构通过合并运算单元和存储器,避免了大量的数据移动,实现了存储和计算的平衡。动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory,DRAM)以其高集成密度、成熟的生产工艺和丰富的潜在计算资源从众多存储介质的候选者中脱颖而出。然而,在动态随机存储器中支持快速的卷积操作极富挑战。DRAM成熟低廉的生产工艺限制了卷积神经网络高性能运算部件的设计和计算潜能。目前的研究中仍缺乏强大的运算单元和对DRAM友好的高层次优化来释放DRAM的全部计算潜力。本文提出了一个基于动态随机存储器的卷积神经网络加速器LAcc,并围绕LAcc展开了一系列的研究。论文的主要工作和创新点如下:·本文提出了一种基于DRAM的超前进位加法运算部件。该加法部件的硬件实现利用了已有的DRAM按位操作和我们提出的增强功能。本文利用LAcc实现了三元权重神经网络,以满足卷积神经网络对准确性和高能耗效率的需求。实验结果表明,所提设计在Alexnet网络上实现了84.8 FPS(每秒帧数)的识别速度和2W的功率,比临近存储计算的设计提高了2.9倍的能耗效率(性能/功率)。·本文提出了一种适用于DRAM的基于查找表(Look-up Table,LUT)的向量乘法运算部件。该设计利用乘法分解减小LUT的大小,平衡LUT重用次数和建立LUT的开销。本文提出了一种新的LUT编码,进一步减少LUT的大小,同时提出了一种优化的异或操作以加速DRAM中的加法运算。实验结果表明,在没有精度损失的情况下,LAcc乘法性能比基于累加的设计提高了6.8倍,并且能耗效率比基于概率的近似乘法设计提高了6.3倍。·本文提出了一种面向LAcc的灵活数据划分策略,以动态匹配DRAM Page对并行性的需求。本文分析了多种数据划分对硬件带来的影响,并在此基础上提出了三种工作模式以满足不同应用场景的需求。三种模式为高吞吐率模式,单任务响应模式和高能耗效率模式。实验结果表明,对于Alexnet网络,高吞吐率模式的性能比临近存储计算的设计提高了57%,单任务响应模式的响应时间为0.27秒。·本文提出了一种面向LAcc的数据混合映射方法,利用不同数据类型的并行性进一步优化DRAM的硬件资源利用率。本文进一步分析了采用不同乘法分解方式和批量大小时,硬件资源的利用率和并行性变化。实验结果表明,混合映射方法比单一的映射方法平均性能提高了12.4%,硬件资源利用率提高了近10%。·本文提出了一种面向LAcc的基于计算重用的近似乘法优化。本文利用乘法分解后高位产生的查找表替换低位的查找表,求得矢量乘法的近似解。同时,本文在DRAM中实现了支持快速并行查找操作所需的CAM模块。实验结果表明,对于较小的网络Mobilenet,近似乘法可以实现2.3倍的性能提升。·本文提出了一种面向LAcc基于数值零的计算加速方法。除了对数据全零的优化外,我们还对数据二进制编码中的零进行了优化。通过基于二叉树的数据排序将更多二进制中的零捆绑在一起。实验结果表明,对于Alexnet网络,我们所提的优化方法提高了34%的性能。当结合近似乘法后,最大的性能提升达到32倍。

关键词：存储中运算卷积神经网络加速器动态随机存储器

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动态随机存储器的芯片测试方法及装置

动态随机存储器的芯片测试方法及装置

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作者：朴灿圭杨红杨涛王文武李俊峰殷华湘 100029 北京市朝阳区北土城西路3号

本发明提供一种动态随机存储器的芯片测试方法及装置。所述方法包括：对极板节点施加初始化电压并对选中的一列位线预充电；打开选中的字线对目标单元写“1”，在对目标单元写“1”的过程中对极板节点施加大于初始化电压的第一电压；在... 详细信息

标准号: CN114765049A

本发明提供一种动态随机存储器的芯片测试方法及装置。所述方法包括：对极板节点施加初始化电压并对选中的一列位线预充电；打开选中的字线对目标单元写“1”，在对目标单元写“1”的过程中对极板节点施加大于初始化电压的第一电压；在目标单元写“1”之后，关闭字线，对极板节点施加小于初始化电压的第二电压；等待设定时间之后，读取目标单元；根据读取结果判断目标单元是否正常。本发明能够检测出极板节点噪声电压造成的不良单元。

关键词：极板节点目标单元初始化电压施加字线动态随机存储器不良单元读取结果读取目标芯片测试噪声电压列位线预充电检测

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