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  • 1 篇 grove理论
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作者

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检索条件"主题词=化学气相淀积生长动力学模型"
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锗硅/硅异质结材料的化学气相淀积生长动力学模型
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物理学报 2011年 第6期60卷 440-446页
作者: 戴显英 金国强 董洁琼 王船宝 赵娴 楚亚萍 奚鹏程 邓文洪 张鹤鸣 郝跃 西安电子科技大学微电子学院 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071
基于化学气相淀积(CVD)的Grove理论和Fick第一定律,提出并建立了锗硅(SiGe)/硅(Si)异质结材料减压化学气相淀积(RPCVD)生长动力学模型.与以前锗硅/硅异质结材料生长动力学模型仅考虑表面反应控制不同,本模型同时考虑了表面反应和气相传... 详细信息
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