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文字说明：

T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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985 篇 专利

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985 篇 电子文献
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机构

39 篇 中芯国际集成电路...
19 篇 西安交通大学
15 篇 清华大学
14 篇 深圳大学
12 篇 东洋纺株式会社
10 篇 上海华力微电子有...
10 篇 北京大学
9 篇 深圳方正微电子有...
9 篇 北大方正集团有限...
8 篇 中国航发常州兰翔...
8 篇 北京航星机器制造...
8 篇 京东方科技集团股...
8 篇 广东工业大学
7 篇 上海蓝光科技有限...
7 篇 上海交通大学
7 篇 株式会社东芝
6 篇 华中科技大学
6 篇 中国科学院微电子...
6 篇 中国人民解放军空...
5 篇 重庆交通大学

作者

14 篇 朱继华
14 篇 邢锋
11 篇 刘伟
10 篇 柴田悠介
10 篇 吉宜勇
10 篇 徐强
10 篇 利淑琴
9 篇 朱淼长
9 篇 韩宁旭
8 篇 李忠奎
8 篇 刘金存
8 篇 喻俊志
8 篇 张小磊
8 篇 潘杰
8 篇 张大伟
7 篇 王志敏
7 篇 郝茂盛
6 篇 中谷充晴
6 篇 马万里
6 篇 宁杰

语言

985 篇 中文

检索条件"主题词=区域表面"

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一种区域表面等离子体增强超薄复合吸收膜的制备方法

一种区域表面等离子体增强超薄复合吸收膜的制备方法

引用

作者：俞科郭廷玮 213100 江苏省常州市武进高新技术产业开发区新辉路12号凤墅厂房B2栋

本发明公开了一种区域表面等离子体增强超薄复合吸收膜的制备方法，由上而下依次为Ag+SiO2纳米层、SiO2纳米层、Ag纳米层和Si纳米层，依次采用共聚焦孪生靶（Si平面靶）、Ag靶、SiO2靶依次采用中频电源、直流电源和射频电源溅射依次镀... 详细信息

标准号: CN108505002A

本发明公开了一种区域表面等离子体增强超薄复合吸收膜的制备方法，由上而下依次为Ag+SiO₂纳米层、SiO₂纳米层、Ag纳米层和Si纳米层，依次采用共聚焦孪生靶（Si平面靶）、Ag靶、SiO₂靶依次采用中频电源、直流电源和射频电源溅射依次镀覆形成Si纳米层、Ag纳米层和SiO₂纳米层，随后利用Ag靶和SiO₂靶共溅射在SiO₂纳米层表面形成Ag+SiO₂纳米层。本发明通过可控镀膜条件，制备出一种致密度高、纯度高，附着牢固的纳米复合吸收膜，镀膜速率高，工艺重复性好，此外，本发明采用共聚焦孪生靶避免了靶中毒的影响，且采用多类型电源激发，节省能量。

关键词：纳米层共聚焦孪生靶吸收膜制备等离子体增强工艺重复性表面形成镀膜条件纳米复合区域表面射频电源直流电源中频电源靶中毒多类型共溅射平面靶镀覆镀膜附着溅射可控电源复合激发

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一种控制侧围上框区域表面质量的工艺方法

一种控制侧围上框区域表面质量的工艺方法

引用

作者：李春阳张雄飞张振松白朋鹏李凯陈文峰王忠华张立彪刘俊杰张永亮 130011 吉林省长春市长春汽车经济技术开发区新红旗大街1号

本发明公开了一种控制侧围上框区域表面质量的工艺方法，属于冲压技术领域，第一工序，拉延；第二工序，修边：修边时上框部分外侧工艺补充区域和压料面需要预留一部分，不能全部修掉；第三工序，斜楔翻边整形：机械手将上工序件置于在... 详细信息

标准号: CN112588953A

本发明公开了一种控制侧围上框区域表面质量的工艺方法，属于冲压技术领域，第一工序，拉延；第二工序，修边：修边时上框部分外侧工艺补充区域和压料面需要预留一部分，不能全部修掉；第三工序，斜楔翻边整形：机械手将上工序件置于在本序凸模，气缸推动填充凸模到位，正压料板压住上框A级曲面，斜压料板压住外侧工艺补充区域和压料面，然后翻边整形镶块开始工作，直到上模本体和下模本体上的工作限制器墩死后，翻边整形工作结束；第四工序，斜楔修边：修掉产品以外斜压料区域。本发明增强了正压料板的压料强度，在保证整形不起皱的情况下减弱斜楔压料的强度，从根本上消除了斜楔翻边时的窜料状态，使侧围上框区域的实际回弹值更贴近于理论模拟。

关键词：上框斜楔翻边整形料板修边工艺补充区域压料面侧围斜压压料压住正压工作限制器工作结束理论模拟气缸推动区域表面上模本体下模本体机械手不起皱工序件序凸模冲压整形翻边回弹凸模镶块填充预留保证

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基于北斗和计算机视觉的区域表面位移监测方法及系统

基于北斗和计算机视觉的区域表面位移监测方法及系统

引用

作者：甘雨赵星宇杨世忠欧高亮 410000 湖南省长沙市长沙高新开发区尖山路217号微芯科技园1栋1913房

本申请实施例公开了一种基于北斗和计算机视觉的区域表面位移监测方法及系统，通过北斗对北斗接收机集成的第一靶标进行定位测量，通过相机对第一靶标进行拍摄，计算获得相机的位姿，同时相机拍摄未与北斗接收机集成的第三靶标，计算第... 详细信息

标准号: CN115236716A

本申请实施例公开了一种基于北斗和计算机视觉的区域表面位移监测方法及系统，通过北斗对北斗接收机集成的第一靶标进行定位测量，通过相机对第一靶标进行拍摄，计算获得相机的位姿，同时相机拍摄未与北斗接收机集成的第三靶标，计算第三靶标的坐标。本方法解决了现有表面位移监测方法中，北斗卫星定位的表面位移监测技术在卫星信号弱的场景下的无法精确定位的问题，能够对地质灾害的发生提供预警，避免人员伤亡和财产损失，还能够修正因相机和第一靶标本身的位姿变化带来的系统性误差影响。

关键词：靶标表面位移监测北斗接收机相机北斗计算机视觉系统性误差北斗卫星财产损失地质灾害定位测量区域表面人员伤亡位移监测位姿变化卫星信号相机拍摄位姿预警修正场景拍摄申请

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一种区域表面等离子体增强超薄宽带复合吸收膜

一种区域表面等离子体增强超薄宽带复合吸收膜

引用

作者：俞科郭廷玮 213100 江苏省常州市武进高新技术产业开发区新辉路12号凤墅厂房B2栋

本发明公开了一种区域表面等离子体增强超薄宽带复合吸收膜，由上而下依次为Ag+SiO2纳米层、SiO2纳米层、Ag纳米层和Si纳米层，其中，所述Ag+SiO2纳米层中，Ag纳米颗粒随机嵌入电介质SiO2纳米膜层中，在电介质SiO2纳米膜层中形成蜂窝状... 详细信息

标准号: CN108570649A

本发明公开了一种区域表面等离子体增强超薄宽带复合吸收膜，由上而下依次为Ag+SiO₂纳米层、SiO₂纳米层、Ag纳米层和Si纳米层，其中，所述Ag+SiO₂纳米层中，Ag纳米颗粒随机嵌入电介质SiO₂纳米膜层中，在电介质SiO₂纳米膜层中形成蜂窝状孔隙结构，且孔隙直径为50~100nm，孔隙间距为100~200nm，所述Si纳米层由共聚焦孪生Si靶通过中频电源溅射镀覆在不锈钢基底表面上，形成中频孪生溅射形态。本发明利用表面等离子光子学的原理，通过将超薄吸收膜内的强干涉与局部表面等离激元共振结合起来，利用表面特殊的纳米结构可导致局域光电场显著增强，产生奇异的光学特性，在300‑800nm波长范围内吸收率接近100%。

关键词：纳米层电介质纳米膜层吸收膜溅射吸收率蜂窝状孔隙结构等离子体增强表面等离子不锈钢基等离激元光学特性局部表面纳米结构区域表面中频电源共聚焦光电场光子学波长镀覆共振宽带嵌入复合干涉

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一种区域表面等离子体增强超薄复合吸收膜的制备方法

一种区域表面等离子体增强超薄复合吸收膜的制备方法

引用

作者：俞科郭廷玮 213100 江苏省常州市武进高新技术产业开发区新辉路12号凤墅厂房B2栋

标准号: CN108505002B

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一种冲压覆盖件外板反凹成型区域表面波浪控制方法

一种冲压覆盖件外板反凹成型区域表面波浪控制方法

引用

作者：赵锋邰伟彬董向坤陈雪元李莹娜金锋李航徐赫唯 130011 吉林省长春市长春汽车经济技术开发区新红旗大街1号

本发明公开了一种冲压覆盖件外板反凹成型区域表面波浪控制方法，包括对工序件反凹成型区域棱线圆角有效的位置度控制；工序件第一面在成型模具中位置对中后，对工序件反凹成型区域第一面鼓起状态强行校正，首先对成型模具凸模型面的减... 详细信息

标准号: CN116475288A

本发明公开了一种冲压覆盖件外板反凹成型区域表面波浪控制方法，包括对工序件反凹成型区域棱线圆角有效的位置度控制；工序件第一面在成型模具中位置对中后，对工序件反凹成型区域第一面鼓起状态强行校正，首先对成型模具凸模型面的减量修正，然后对应的进行成型模具压料型面的增量补偿；当工序件反凹成型区域第一面鼓起状态消除，对工序件反凹成型区域对应的成型模具压料型面进行对型研合最后进行高速生产验证，本发明以精准的工序件位置为前提，针对性的对成型模具凸模型面减量修正和对应的成型模具压料型面增量补偿，可控的成型模具压料对型状态以及高速的生产验证，可以有效且稳定的解决冲压覆盖件外板反凹成型区域表面波浪问题。

关键词：成型模具凹成型工序件压料区域表面增量补偿覆盖件冲压减量面鼓外板波浪修正验证高速生产区域对应凸模型面可控的位置度棱线校正圆角生产

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一种区域表面等离子体增强超薄宽带复合吸收膜

一种区域表面等离子体增强超薄宽带复合吸收膜

引用

作者：俞科郭廷玮 213100 江苏省常州市武进高新技术产业开发区新辉路12号凤墅厂房B2栋

本实用新型公开了一种区域表面等离子体增强超薄宽带复合吸收膜，由上而下依次为Ag+SiO2纳米层、SiO2纳米层、Ag纳米层和Si纳米层，其中，所述Ag+SiO2纳米层中，Ag纳米颗粒随机嵌入电介质SiO2纳米膜层中，在电介质SiO2纳米膜层中形成蜂... 详细信息

标准号: CN208395261U

本实用新型公开了一种区域表面等离子体增强超薄宽带复合吸收膜，由上而下依次为Ag+SiO₂纳米层、SiO₂纳米层、Ag纳米层和Si纳米层，其中，所述Ag+SiO₂纳米层中，Ag纳米颗粒随机嵌入电介质SiO₂纳米膜层中，在电介质SiO₂纳米膜层中形成蜂窝状孔隙结构，且孔隙直径为50~100nm，孔隙间距为100~200nm，所述Si纳米层由共聚焦孪生Si靶通过中频电源溅射镀覆在不锈钢基底表面上，形成中频孪生溅射形态。本实用新型利用表面等离子光子学的原理，通过将超薄吸收膜内的强干涉与局部表面等离激元共振结合起来，利用表面特殊的纳米结构可导致局域光电场显著增强，产生奇异的光学特性，在300‑800nm波长范围内吸收率接近100%。

关键词：纳米层电介质本实用新型纳米膜层吸收膜溅射吸收率蜂窝状孔隙结构等离子体增强表面等离子不锈钢基等离激元光学特性局部表面纳米结构区域表面中频电源共聚焦光电场光子学波长镀覆共振宽带嵌入复合干涉

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硅单晶片器件制备区域表面完美性的控制方法

硅单晶片器件制备区域表面完美性的控制方法

引用

作者：刘玉岭檀柏梅 300130 天津市红桥区光荣道8号

本发明涉及一种提高硅单晶衬底片表面完美性的工艺控制方法，其实施步骤是：(1)在硅片抛光清洗后对其表面进行氧化处理，即在硅片抛光清洗后将硅片浸泡于含有双氧水或臭氧的纯水中，使硅片表面生成3-5nm的氧化层，将硅片表面封闭，有效... 详细信息

标准号: CN100452305C

本发明涉及一种提高硅单晶衬底片表面完美性的工艺控制方法，其实施步骤是：(1)在硅片抛光清洗后对其表面进行氧化处理，即在硅片抛光清洗后将硅片浸泡于含有双氧水或臭氧的纯水中，使硅片表面生成3-5nm的氧化层，将硅片表面封闭，有效保护防沾污；(2)对划片区进行重掺杂，制作失配位错网络，释放器件区域应力，并吸除器件区域的金属杂质。本发明根据硅单晶衬底片加工的工艺特点，运用背封保护硅片、划片区进行重掺杂制作失配位错网络等工艺，获得制备器件区域表面完美性好的硅片。该方法操作简单，不需添加其它设备，成本低、效率高、无污染，可明显改善器件性能，提高成品率。

关键词：硅片硅单晶衬底片硅片表面硅片抛光器件区域完美性划片配位掺杂双氧水工艺控制方法工艺特点金属杂质器件性能区域表面实施步骤氧化处理制备器件成品率氧化层臭氧浸泡网络封闭

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局部区域表面处理装置

局部区域表面处理装置

引用

作者：周爱和 215300 江苏省苏州市昆山市环庆路2980号36号楼

本实用新型公开了一种局部区域表面处理装置，包括：电镀槽，内限定有容纳腔，电镀槽的两个侧部分别设有安装孔以穿过待处理样品；至少一组电镀模具，每组电镀模具分别包括：两个电镀模具本体，沿水平方向间隔开分布且形成为通道，待处... 详细信息

标准号: CN212669815U

本实用新型公开了一种局部区域表面处理装置，包括：电镀槽，内限定有容纳腔，电镀槽的两个侧部分别设有安装孔以穿过待处理样品；至少一组电镀模具，每组电镀模具分别包括：两个电镀模具本体，沿水平方向间隔开分布且形成为通道，待处理样品的两个待处理面分别与两个电镀模具本体相对设置，每个电镀模具本体内限定有腔室，每个电镀模具本体设有与腔室连通的进液通孔，每个电镀模具本体与另一电镀模具本体相对设置的一端设有出液通孔，出液通孔沿上下方向的高度大于进液通孔的高度，电镀液能够依次穿过进液通孔、出液通孔与待处理面接触。该局部区域表面处理装置能够实现双面处理，提高产品质量。

关键词：电镀模具出液通孔进液通孔处理装置相对设置处理面电镀槽腔室局部区域表面水平方向间隔穿过本实用新型区域表面上下方向双面处理安装孔电镀液容纳腔连通体内

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局部区域表面处理装置及其表面处理方法

局部区域表面处理装置及其表面处理方法

引用

作者：周爱和 215300 江苏省苏州市昆山市环庆路2980号36号楼

本发明公开了一种局部区域表面处理装置及其表面处理方法，局部区域表面处理装置包括：电镀槽，内限定有容纳腔，电镀槽的两个侧部分别设有安装孔以穿过待处理样品；至少一组电镀模具，每组电镀模具分别包括：两个电镀模具本体，沿水平... 详细信息

标准号: CN110846695A

本发明公开了一种局部区域表面处理装置及其表面处理方法，局部区域表面处理装置包括：电镀槽，内限定有容纳腔，电镀槽的两个侧部分别设有安装孔以穿过待处理样品；至少一组电镀模具，每组电镀模具分别包括：两个电镀模具本体，沿水平方向间隔开分布且形成为通道，待处理样品的两个待处理面分别与两个电镀模具本体相对设置，每个电镀模具本体内限定有腔室，每个电镀模具本体设有与腔室连通的进液通孔，每个电镀模具本体与另一电镀模具本体相对设置的一端设有出液通孔，出液通孔沿上下方向的高度大于进液通孔的高度，电镀液能够依次穿过进液通孔、出液通孔与待处理面接触。该局部区域表面处理装置能够实现双面处理，提高产品质量。

关键词：电镀模具出液通孔处理装置进液通孔局部区域表面相对设置处理面电镀槽腔室水平方向间隔穿过区域表面上下方向双面处理安装孔电镀液容纳腔连通体内

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