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半导体二极管、电子元件、电压耦合变换器和控制方法
半导体二极管、电子元件、电压耦合变换器和控制方法
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作者： 马克-马赛厄斯·巴克兰 汉斯-冈特尔·埃克尔 德国慕尼黑
本发明涉及一种半导体二极管、电子元件以及电压耦合变换器。按照本发明，具有至少一个p-n结的半导体二极管(9)可以在第一状态和第二状态之间进行转换，所述pn结位于p掺杂的区域(6)和n掺杂的区域(7)之间，其中，第二状态与第一状态相比... 详细信息
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半导体二极管
半导体二极管
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作者： W·克勒 德国慕尼黑
本发明涉及一种半导体二极管，有两个形成阴极(20)和阳极(10)的电极。该二极管的特征在于，至少有一个电极是弯曲的，另一个电极的表面面积最大为另一个电极的宽度与弯曲电极内边长度的乘积的20%。本发明还涉及一种电路，在其结构中包... 详细信息
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一种用于半导体二极管的封胶设备
一种用于半导体二极管的封胶设备
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作者： 江俊 213200 江苏省常州市金坛区长丰路18号
本发明涉及半导体二极管加工技术领域，具体为一种用于半导体二极管的封胶设备，包括承载机构、安装在承载机构上的注胶抛光机构以及安装在注胶抛光机构上的夹持机构。直至封胶物料固化在二极管内两个极柱的端头上，直至极柱上胶头固化... 详细信息
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包括半导体二极管的晶体管单元阵列
包括半导体二极管的晶体管单元阵列
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作者： P.内勒 M.聪德尔 德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1-12号
包括半导体二极管的晶体管单元阵列。半导体装置的一个实施例包括密集沟槽晶体管单元阵列。密集沟槽晶体管单元阵列包括在半导体本体中的多个晶体管单元。多个晶体管单元中的每个的晶体管台面区域的宽度w3和多个晶体管单元的每个的第一... 详细信息
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III-V族半导体二极管
III-V族半导体二极管
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作者： V·杜德克 德国德累斯顿
堆叠状的III‑V族半导体二极管(10)具有：掺杂剂浓度为5*1018‑5*1020N/cm3、层厚度(Ds)为50‑500μm并且包括GaAs化合物的p+衬底(12)；掺杂剂浓度为1014‑1016N/cm3、层厚度(D1)为10‑300μm并且包括GaAs化合物的n‑层(16)；掺杂剂浓度至少为... 详细信息
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一种半导体二极管高效生产制造设备
一种半导体二极管高效生产制造设备
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作者： 童杨杨 226300 江苏省南通市通州区青年东路1555号
本发明公开了一种半导体二极管高效生产制造设备，包括操作台，所述操作台的底部固定连接有多根支撑脚，所述操作台的两端各竖直焊接有一块支撑板，两块所述支撑板的顶部固定连接有水平的放置台，所述放置台上等间距开设有多个放置槽，... 详细信息
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一种用于半导体二极管的封胶装置
一种用于半导体二极管的封胶装置
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作者： 叶惠东 344400 江西省抚州市宜黄县丰厚工业园区
本发明公开了一种用于半导体二极管的封胶装置，属于半导体制造领域，一种用于半导体二极管的封胶装置，包括底座，所述底座的顶部固定连接有两个电动推杆，所述底座的顶部固定连接有封胶槽体，两个所述电动推杆的外侧套设有与其滑动连... 详细信息
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堆叠状的III-V族半导体二极管
堆叠状的III-V族半导体二极管
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作者： J·科瓦尔斯基 R·博贾尼 V·杜德克 德国德累斯顿
一种包括或由GaAs组成的堆叠状的III‑V族半导体二极管，其具有高n掺杂的阴极层、高p掺杂的阳极层和布置在阴极层和阳极层之间的漂移区，所述漂移区具有最高为8·1015cm‑3的掺杂剂浓度，漂移区具有低n掺杂的漂移层以及布置在n掺杂的... 详细信息
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堆叠状的III-V族半导体二极管
堆叠状的III-V族半导体二极管
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作者： V·杜德克 德国德累斯顿
本发明涉及一种堆叠状的III‑V族半导体二极管(10)，其具有：n‑层(14)，所述n‑层具有第一表面(14.1)、与所述第一表面对置的第二表面(14.2)、1012‑1017N/cm3的掺杂物浓度(K2)和50‑1000μm的层厚度(D2)；与所述第一表面(14.1)材料锁合地... 详细信息
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浅槽金属氧化物半导体二极管
浅槽金属氧化物半导体二极管
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作者： 李泽宏 唐文雄 518052 广东省深圳市南山区麒麟路1号南山科技创业服务中心612-613室
本发明公开了一种浅槽金属氧化物半导体二极管，要解决的技术问题是降低二极管的正向导通压降，提高反向击穿电压并且减小泄漏电流。本发明从底层往上依次是金属化阴极、N型重掺杂单晶硅衬底区、N-外延层、位于两侧的两个深P体区、位于... 详细信息
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