检索结果-内蒙古大学图书馆

半导体光电探测器在科研、生产及其它相关领域有着广泛的应用,其工作性能对温度变化非常敏感,而有些光电探测器则需要在强光辐照的状态下工作,此时光热效应能引起明显的温升。因而计算半导体光电探测器的温度场分布是了解其工作性能的一个重要手段,对于改进器件的抗激光性能具有重要的理论价值。基于这一背景,本文对强光辐照下半导体光电探测器的温度场作了模拟计算,取得的成果如下: 首先,将一维空间的温度场计算模型推广到二维空间,建立了二维空间的温度场方程。在以往的工作中,对强光辐照下半导体光电探测器的温度场计算,多集中在一维空间中进行,其工作前提是假设了强光均匀辐照光电探测器表面,但实际上其光照并不均匀,因而建立二维空间的温度场计算模型更能反映物理规律,适用性更广泛、更普遍。本文建立的温度场计算模型,可推广到一切二维轴对称情形,具有普遍适用性。其次,对于变系数二维抛物型温度场方程,采用了一种既能达到无条件稳定又能用追赶法求解的交替方向隐差分格式,较好地解决了方程的数值解问题。一般情况下,对于一维抛物型方程,隐格式绝对稳定,用消元法求解的计算量也不大,但对高维抛物型方程,隐格式虽然绝对稳定,但计算量增加很多;显格式计算简单,但稳定性条件十分苛刻。因此实际应用中需要寻找一种既稳定计算量又小的差分格式,而交替方向隐式方法就是满足这种要求的一种差分格式。它既是一种有效的分数步长算法,又是一种计算速度快,存储量小,无条件稳定和应用范围广的有限差分法。最后,针对由差分格式导出的大型三对角方程组,通过编制程序进行了求解,并对计算结果作了分析。虽然三对角方程组的求解有固定的模式,但对于高维抛物型方程引出的三对角方程组,其计算量仍然很大,相应的程序实现也有一定的难度。本文采用了分层计算法,通过设置数组、利用循环等程序设计技术编制了相应的程序,达到了解决问题的目的,同时可实现通过输入不同的物理参数及时间和空间步长而得到不同的解,以方便对物理现象进行分析。

关键词：强光辐照半导体光电探测器温度场数值模拟二维轴对称交替方向

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半导体光电探测器和辐射检测装置

半导体光电探测器和辐射检测装置

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作者：山中辰己佐原正哲藤原秀纪日本静冈县

一种光电二极管阵列PD1，包括：n型半导体基板，其一面为被检测光的入射面；在与半导体基板的入射面相反的检测面侧形成的作为光电二极管的多个pn结型光敏区域(3)；以及在半导体基板的检测面侧、在多个光敏区域(3)中的邻近的光敏区域(3... 详细信息

标准号: CN102446945B

一种光电二极管阵列PD1，包括：n型半导体基板，其一面为被检测光的入射面；在与半导体基板的入射面相反的检测面侧形成的作为光电二极管的多个pn结型光敏区域(3)；以及在半导体基板的检测面侧、在多个光敏区域(3)中的邻近的光敏区域(3)之间形成的载流子捕获部(12)。载流子捕获部(12)具有间隔排列的分别包括pn结的一个或多个载流子捕获区域(13)。由此可实现能够降低串扰的半导体光电探测器和辐射检测装置。

关键词：载流子半导体基板光敏区域捕获半导体光电探测器光电二极管阵列辐射检测装置光电二极管间隔排列被检测检测串扰

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半导体光电探测器和辐射检测装置

半导体光电探测器和辐射检测装置

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作者：山中辰己佐原正哲藤原秀纪日本静冈县

标准号: CN102446945A

关键词：载流子半导体基板光敏区域捕获半导体光电探测器光电二极管阵列辐射检测装置光电二极管间隔排列被检测检测串扰

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半导体光电探测器元件和半导体装置

半导体光电探测器元件和半导体装置

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作者：夏秋和弘日本大阪府

本发明提供一种半导体光电探测器元件和半导体装置，该半导体光电探测器元件的制造成本被降低且精度被提高。该半导体光电探测器元件包括：第一光电二极管，形成在P型硅基板中；第二光电二极管，形成在P型硅基板中并且具有与第一光电二... 详细信息

标准号: CN101997054B

本发明提供一种半导体光电探测器元件和半导体装置，该半导体光电探测器元件的制造成本被降低且精度被提高。该半导体光电探测器元件包括：第一光电二极管，形成在P型硅基板中；第二光电二极管，形成在P型硅基板中并且具有与第一光电二极管相同的结构；由绿色滤色器形成在第一光电二极管上方的滤色器层；由黑色滤色器形成在第二光电二极管上方的滤色器层；以及运算电路部，将第二光电二极管的检测信号从第一光电二极管的检测信号减去。

关键词：光电二极管半导体光电探测器滤色器检测信号硅基板半导体装置绿色滤色器运算电路

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半导体光电探测器和辐射检测装置

半导体光电探测器和辐射检测装置

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作者：山中辰己佐原正哲藤原秀纪日本静冈县

标准号: CN101563779B

关键词：载流子半导体基板光敏区域捕获半导体光电探测器光电二极管阵列辐射检测装置光电二极管间隔排列被检测检测串扰

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半导体光电探测器元件和半导体装置

半导体光电探测器元件和半导体装置

引用

作者：夏秋和弘日本大阪府

标准号: CN101997054A

关键词：光电二极管半导体光电探测器滤色器检测信号硅基板半导体装置绿色滤色器运算电路

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一种多波段半导体光电探测器

一种多波段半导体光电探测器

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作者：周东陆海 212400 江苏省镇江市句容市宝华镇仙林东路16号

本发明公开了一种多波段半导体光电探测器，将两个以上不同波段的半导体光电探测器芯片集成在同一个芯片支架中。本发明多波段半导体光电探测器的集成方法，解决了当前半导体光电传感器响应波长范围无法覆盖宽波段的缺点，将不同波段的... 详细信息

标准号: CN110010592A

本发明公开了一种多波段半导体光电探测器，将两个以上不同波段的半导体光电探测器芯片集成在同一个芯片支架中。本发明多波段半导体光电探测器的集成方法，解决了当前半导体光电传感器响应波长范围无法覆盖宽波段的缺点，将不同波段的半导体光电探测器芯片封装集成，并且保持各自独立的功能，缩小了探测器的系统体积，在有效降低水质检测系统复杂性的同时，简化光学结构设计，提升了监测系统的一致性、精确性和长期稳定性，保证了检测的快速性和灵敏性，有效降低了水质检测系统的成本、难度和差异性。

关键词：半导体光电探测器水质检测系统多波段波段半导体光电传感器光学结构设计长期稳定性监测系统芯片封装芯片集成芯片支架差异性快速性宽波段灵敏性波长探测器检测响应覆盖保证

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一种基于Bayes方法的半导体光电探测器可靠度评估方法

一种基于Bayes方法的半导体光电探测器可靠度评估方法

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作者：梁晨宇周小燕 610041 四川省成都市武侯区人民南路四段七号

本发明属于半导体光电探测器领域，具体涉及一种基于Bayes方法的半导体光电探测器可靠性评估方法，将半导体光电探测器的结构分解成n个组成部分，收集n个组成部分的地面试验数据；将n个组成部分中的连续型数据转换为成败型数据，得到先... 详细信息

标准号: CN109816208A

本发明属于半导体光电探测器领域，具体涉及一种基于Bayes方法的半导体光电探测器可靠性评估方法，将半导体光电探测器的结构分解成n个组成部分，收集n个组成部分的地面试验数据；将n个组成部分中的连续型数据转换为成败型数据，得到先验数据；对完整的半导体光电探测器进行试验，得到试验数据；对半导体光电探测器进行可靠性评估。本发明可靠性评估方法基于半导体光电探测器结构特点，对其进行拆分，大量的应用半导体光电探测器的地面试验数据，大大减少半导体光电探测器的飞行试验样本量，有效降低可靠性评估的成本。

关键词：半导体光电探测器可靠性评估地面试验光电探测器连续型数据应用半导体飞行试验结构分解试验数据先验数据样本量试验转换

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一种半导体光电探测器及其制备方法

一种半导体光电探测器及其制备方法

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作者：牟震孟鸿李炜高源鸿闫朝一龙马张非 100193 北京市海淀区东北旺西路8号5号楼二层259室

本发明提供一种半导体光电探测器及其制备方法，其中半导体光电探测器包括：栅极结构层；位于所述栅极结构层的一侧表面的有机半导体沟道层；位于部分所述有机半导体沟道层背向所述栅极结构层一侧表面的有机半导体光敏层；位于部分所述... 详细信息

标准号: CN116367561A

本发明提供一种半导体光电探测器及其制备方法，其中半导体光电探测器包括：栅极结构层；位于所述栅极结构层的一侧表面的有机半导体沟道层；位于部分所述有机半导体沟道层背向所述栅极结构层一侧表面的有机半导体光敏层；位于部分所述有机半导体沟道层背向所述栅极结构层一侧表面的源极层和漏极层，所述源极层和漏极层分别位于所述有机半导体光敏层的两侧；位于所述有机半导体光敏层、源极层和漏极层背离所述有机半导体沟道层一侧的有机半导体滤光层；所述有机半导体滤光层的吸收边波长比所述有机半导体沟道层的吸收边波长短。所述半导体光电探测器的结构简单。

关键词：有机半导体沟道有机半导体栅极结构半导体光电探测器光敏层漏极层源极层滤光层吸收边波长吸收边制备背离

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