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一种静电卡盘固定结构
一种静电卡盘固定结构
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作者： 姜东勋 周娜 王佳 李琳 李俊杰 100029 北京市朝阳区北土城西路3号
本发明涉及一种静电卡盘固定结构，涉及半导体制造技术领域，用于解决聚焦环可能会发生物理性偏移的问题。该静电卡盘固定结构由聚焦环和基底组成；所述基底工作侧上设置有第一连接部；所述聚焦环的环平面上设置第二连接部；所述聚焦环... 详细信息
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超结半导体的自对准接触槽形成方法及超结半导体结构
超结半导体的自对准接触槽形成方法及超结半导体结构
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作者： 田俊 付振 张泉 肖超 尹强 张文敏 王悦 100192 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园A区3号楼
本公开涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种超结半导体的自对准接触槽形成方法及超结半导体结构，所述方法包括：在第一内介质层、栅极层、栅极氧化层与体区对应的位置形成沟槽；在所述体区中形成源区；形成第二内介质层，所述第二内... 详细信息
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炉门状态检测装置和炉门开合装置
炉门状态检测装置和炉门开合装置
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作者： 龙占勇 李东林 张健宁 510700 广东省广州市黄埔区瑞泰路2号
本公开涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种炉门状态检测装置和炉门开合装置，解决了相关技术检测炉门闭合状态时操作繁杂和成本高的问题。炉门驱动装置包括相互连接的支撑组件和活动组件，支撑组件被配置为支撑活动组件，活动组件与... 详细信息
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一种提升MOS器件栅控能力的方法
一种提升MOS器件栅控能力的方法
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作者： 黄胜男 罗清威 李赟 430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号
本发明提供一种提升MOS器件栅控能力的方法，属于半导体制造技术领域，包括：提供一衬底位于元胞区的衬底的上表面设有浮栅结构，沉积一第一多晶硅层；沉积一二氧化硅层；刻蚀去除位于元胞区的二氧化硅层；沉积一第二多晶硅层覆盖位于... 详细信息
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密封阀门及半导体检测设备
密封阀门及半导体检测设备
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作者： 张立杰 李帅辰 100176 北京市大兴区北京经济技术开发区经海四路156号院12号楼
本申请属于半导体制造技术领域，尤其是涉及一种密封阀门及半导体检测设备。该密封阀门包括密封板、转接板、切换板以及展收机构；密封板、转接板以及切换板沿第二方向依次堆叠设置，展收机构设置于密封板与切换板之间；展收机构设置为... 详细信息
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硅片表面金属离子的采集装置及方法
硅片表面金属离子的采集装置及方法
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作者： 严涛 710000 陕西省西安市高新区西沣南路1888号1-3-029室
本发明提供了一种硅片表面金属离子的采集装置及方法，属于半导体制造技术领域。硅片表面金属离子的采集装置包括：进样管道，所述进样管道的一端设置有吸嘴，所述吸嘴能够吸取设定体积的扫描液并将所述扫描液悬挂于所述吸嘴处以收集硅... 详细信息
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分离式栅闪存结构
分离式栅闪存结构
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作者： 安西琳 周俊 李赟 430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号
本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种分离式栅闪存结构，通过设置部分位于L形字线栅的水平部分之上的控制栅的下表面低于浮栅的上表面使得控制栅与浮栅具有部分纵向交叠区域，以增加控制栅和浮栅的耦合面积，从而提高了控制栅... 详细信息
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一种构造垂直互连封装结构的方法及相应结构
一种构造垂直互连封装结构的方法及相应结构
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作者： 孙鹏 皇前进 徐成 214111 江苏省无锡市新吴区景贤路2号华进半导体2期
本发明涉及半导体制造技术领域，提出一种构造垂直互连封装结构的方法及相应结构。该方法包括：在载板上布置第一芯片以及第二芯片；在第一芯片以及第二芯片上布置硅桥芯片；对载板进行塑封以形成塑封层，并且在所述塑封层上构造垂直互... 详细信息
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废气处理反应装置及半导体废气处理系统
废气处理反应装置及半导体废气处理系统
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作者： 张坤 100176 北京市大兴区北京经济技术开发区凉水河二街8号院14楼A座
本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种废气处理反应装置及半导体废气处理系统，废气处理反应装置包括壳体和冷却器，壳体的内部设有贯通的反应腔，冷却器设有多条用于冷却液流通的流道和与各流道连通的溢流口，多条流道围绕壳体... 详细信息
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半导体工艺炉
半导体工艺炉
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作者： 史哲 李建国 王旸 赵佳彬 100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道8号
本发明公开一种半导体工艺炉，涉及半导体制造技术领域。该半导体工艺炉包括包括炉体、炉门组件、第一进气组件和排气管，其中，炉体竖直设置，炉体具有工艺腔，炉体的底部具有开口，开口与工艺腔连通；炉门组件设置于炉体的底部，且炉... 详细信息
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