检索结果-内蒙古大学图书馆

本公开涉及半导体功率器件及其制造方法。本公开涉及一种功率器件，其具有沟道区、形成在沟道区旁边用于控制沟道形成的栅极区、垂直形成在沟道区下方的漂移区、形成在垂直延伸到漂移区中的场电极沟槽中的场电极，其中，场电极包括第一和第二场电极结构，第一场电极结构电容地耦合到漂移区的第一区段，并且第二场电极结构电容地耦合到漂移区的垂直布置在第一区段上方的第二区段，第一和第二场电极结构形成有垂直重叠并且适于平衡第一和第二场电极结构之间以及场电极和漂移区之间的电容耦合。

关键词：场电极结构漂移区场电极沟道区电容耦合到半导体功率器件垂直布置垂直重叠电容耦合功率器件栅极区沟道垂直平衡制造

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半导体功率器件散热系统的设计

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电子工艺技术 1984年第12期 33-36页

作者：路尚修山东淄博无线电三厂

本文分析了功率器件散热系统的设计方法,对比了叉指式与肋式散热器的优缺点,讨论了计算中遇到的具体问题;和散热器的选用要点及散热系统的结构工艺问题。

关键词：散热系统冷却系统接触热阻半导体功率器件

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半导体功率器件

半导体功率器件

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作者：刘磊刘伟袁愿林王睿 215123 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区20栋515室

本发明实施例提供的一种半导体功率器件，包括：n型漏区以及位于所述n型漏区之上的n型漂移区；若干个p型柱，所述p型柱与相邻的所述n型漂移区形成pn结结构；所述p型柱顶部设有第一p型体区，所述第一p型体区内设有第一n型源区；介于相邻... 详细信息

标准号: CN115966590A

本发明实施例提供的一种半导体功率器件，包括：n型漏区以及位于所述n型漏区之上的n型漂移区；若干个p型柱，所述p型柱与相邻的所述n型漂移区形成pn结结构；所述p型柱顶部设有第一p型体区，所述第一p型体区内设有第一n型源区；介于相邻两个所述第一p型体区之间的两个栅极结构，所述栅极结构包括栅沟槽以及位于所述栅沟槽内的栅介质层和栅极，所述栅沟槽内设有栅介质层和栅极；介于所述两个栅极结构之间的导电层，所述导电层与所述n型漂移区接触形成肖特基二极管。本发明能够提高半导体功率器件的反向恢复速度，并降低半导体功率器件反偏时的漏电流。

关键词：半导体功率器件栅极结构栅沟槽栅介质层导电层肖特基二极管反向恢复漏电流反偏

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半导体功率器件和电器设备

半导体功率器件和电器设备

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作者：冯宇翔周海佳 528311 广东省佛山市顺德区北滘镇工业大道美的全球创新中心4栋

本申请公开了一种半导体功率器件和电器设备。该半导体功率器件包括：第一半导体层，具有第一导电类型，且被划分成元胞区和环绕元胞区外围设置的终端区，终端区内设有环绕元胞区的耐压槽；第二半导体层，沿耐压槽的槽壁设置且具有第二... 详细信息

标准号: CN112038395A

本申请公开了一种半导体功率器件和电器设备。该半导体功率器件包括：第一半导体层，具有第一导电类型，且被划分成元胞区和环绕元胞区外围设置的终端区，终端区内设有环绕元胞区的耐压槽；第二半导体层，沿耐压槽的槽壁设置且具有第二导电类型；第一绝缘层，覆盖于第二半导体层背离第一半导体层的一侧；第一导体层，填充在耐压槽内且通过第一绝缘层与第二半导体层绝缘隔离，第一导体层进一步延伸到耐压槽的外部，并与第一半导体层导电接触；其中，第一导电类型和第二导电类型对应于不同的掺杂类型。通过在终端区设置耐压槽、第二半导体层、第一绝缘层和第一导体层，本申请提供的半导体功率器件能够相对增强耐压能力。

关键词：半导体层耐压槽绝缘层半导体功率器件第一导体层元胞区第一导电类型导电类型终端区环绕掺杂类型导电接触电器设备绝缘隔离耐压能力槽壁填充申请背离外围终端外部延伸覆盖

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半导体功率器件

半导体功率器件

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作者：马强 215123 江苏省苏州市工业园区华云路1号东坊产业园5号楼2楼

本发明公开了一种半导体功率器件，包括半导体本体，半导体本体包括最下层的半导体衬底区、设于半导体衬底区上的半导体外延层以及最上层的半导体介质层，半导体介质层内设有源、漏、栅以及从栅向漏漂移区的水平方向上依次设置的至少一... 详细信息

标准号: CN106972060B

本发明公开了一种半导体功率器件，包括半导体本体，半导体本体包括最下层的半导体衬底区、设于半导体衬底区上的半导体外延层以及最上层的半导体介质层，半导体介质层内设有源、漏、栅以及从栅向漏漂移区的水平方向上依次设置的至少一个漏极场板，与栅相邻的第一漏极场板设置有一肩部，所述肩部在漏漂移区上向栅方向延伸与栅重叠，所述肩部与栅重叠长度不大于0.2um，所述栅和肩部上方设置有栅极场板，所述栅极场板接地。缓解了栅漏电容Cgd与寄生电容Cgs和Cds之间的矛盾，改善了放大器器件的性能。

关键词：肩部半导体介质层半导体本体漏漂移区栅极场板衬底区漏极场栅重叠半导体半导体功率器件半导体外延层放大器器件方向延伸寄生电容依次设置栅漏电容接地板设置最上层最下层从栅缓解矛盾

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半导体功率器件及其控制方法

半导体功率器件及其控制方法

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作者：龚轶毛振东徐真逸刘伟 215123 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区20栋515室

本发明公开了一种半导体功率器件及其控制方法，包括：位于半导体衬底内的若干个栅沟槽；位于栅沟槽的上部内的第一栅极，第一栅极外接第一栅电极；位于栅沟槽的下部内的第二栅极，第二栅极外接第二栅电极。本发明的半导体功率器件在开... 详细信息

标准号: CN115621313A

本发明公开了一种半导体功率器件及其控制方法，包括：位于半导体衬底内的若干个栅沟槽；位于栅沟槽的上部内的第一栅极，第一栅极外接第一栅电极；位于栅沟槽的下部内的第二栅极，第二栅极外接第二栅电极。本发明的半导体功率器件在开启时，对第一栅电极施加第一栅电压，在p型体区内形成第一电流沟道；对第二栅电极施加第二栅电压，在台面区的下部内形成第二电流沟道。本发明可以降低半导体功率器件的导通电阻。

关键词：栅电极半导体功率器件栅沟槽电流沟道栅电压外接施加导通电阻台面区衬底半导体

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半导体功率器件

半导体功率器件

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作者：龚轶刘伟毛振东徐真逸 215123 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区20栋405-406

本发明属于半导体功率器件技术领域，具体公开了一种半导体功率器件，包括：n型衬底；位于所述n型衬底之上的n型外延层；凹陷在所述n型外延层内的至少三个沟槽；位于相邻的所述沟槽之间的n型外延层部分为台面结构，所述台面结构的上部设... 详细信息

标准号: CN114068526A

本发明属于半导体功率器件技术领域，具体公开了一种半导体功率器件，包括：n型衬底；位于所述n型衬底之上的n型外延层；凹陷在所述n型外延层内的至少三个沟槽；位于相邻的所述沟槽之间的n型外延层部分为台面结构，所述台面结构的上部设有p型体区，所述p型体区内设有n型源区；所述台面结构中，包括至少一个下部宽度为第一宽度的台面结构和至少一个下部宽度为第二宽度的台面结构，所述第二宽度大于所述第一宽度。本发明的半导体功率器件具有缓变的电容，可以降低半导体功率器件在开关时的电压震荡。

关键词：台面结构半导体功率器件衬底凹陷电容缓变震荡

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任意横向掺杂半导体功率器件的虚拟仿真实验教学

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实验技术与管理 2022年第4期39卷 104-110页

作者：李曼杨可萌郭宇锋顾世浦姚佳飞张珺张茂林南京邮电大学集成电路科学与工程学院信息电子技术国家级虚拟仿真实验教学中心电子科学与技术国家级实验教学中心江苏南京210023

为了突破传统理论、数值模拟和实验教学的局限性,进一步提升教学质量,培养专业领域创新人才,建设了任意横向掺杂半导体功率器件的虚拟仿真实验教学资源。基于自主研发的任意横向掺杂设计工具miniVLD,对半导体工艺仿真软件、器件模拟软... 详细信息

为了突破传统理论、数值模拟和实验教学的局限性,进一步提升教学质量,培养专业领域创新人才,建设了任意横向掺杂半导体功率器件的虚拟仿真实验教学资源。基于自主研发的任意横向掺杂设计工具miniVLD,对半导体工艺仿真软件、器件模拟软件和版图设计软件进行二次开发,包含掩模板设计、虚拟制造、虚拟测试、版图设计4部分。该虚拟仿真实验具备自主开发、理念先进、综合性、创新性和工程性强等优点,为复杂理论实践教学提供了典型案例。

关键词：任意横向掺杂半导体功率器件掩模版设计虚拟制造虚拟测试版图设计

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