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覆有BST膜的半导体功率器件结终端研究
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电子元件与材料 2012年 第12期31卷 46-48页
作者: 葛微微 张国俊 钟志亲 王姝娅 戴丽萍 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 四川成都610054
通过一系列的工艺步骤,在半导体功率器件含有场限环(FLR)的结终端上覆盖了一层300 nm厚、介电常数高的钛酸锶钡(BST)膜。对该新型结终端和无BST膜的传统FLR结终端的结构与性能进行了研究比较。结果表明,在覆盖BST膜后,FRL结终端的结构... 详细信息
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半导体功率器件的加速寿命试验研究
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质量与可靠性 2017年 第2期 19-22页
作者: 冒媛媛 徐进 郎秀兰 中国电子科技集团公司第十四研究所 江苏南京210039 中国电子科技集团公司第五十五研究所 江苏南京210038 中国电子科技集团公司第十三研究所 河北石家庄050051
长寿命、高可靠的半导体功率器件难以采用正常应力下的长期寿命试验进行寿命评估。从阿伦尼乌斯方程出发,研究了半导体功率器件加速寿命试验的基本原理和试验方法,并采用155℃高温应力加速研究某型脉冲功率管在85℃条件下的基本失效率... 详细信息
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半导体功率器件动态结温的实时在线预测算法
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中文科技期刊数据库(全文版)工程技术 2022年 第1期 66-69页
作者: 姚瑱 南京埃斯顿软件技术有限公司 江苏南京210000
半导体功率器件的结温是决定其能否安全工作,以及功率循环寿命长短的关键参数。目前获取结温的方法主要分为直接测量、热敏电参数换算、功耗热阻计算三大类,但都存在一定弊端。在此背景下,提出基于离散拟合热阻的半导体功率器件动态结... 详细信息
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半导体功率器件超声波焊接结构
半导体功率器件超声波焊接结构
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作者: 李永华 518125 广东省深圳市宝安区新桥街道新二社区庄村二路1号厂房B三层
本实用新型涉及超声波焊接的技术领域,公开了半导体功率器件超声波焊接结构,包括与换能器连接且由换能器驱动高频振动的连接段,连接段上连接有焊接头,连接段与焊接头的中部固定连接,焊接头的两端分别形成有抵压在半导体功率器件上... 详细信息
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半导体功率器件
半导体功率器件
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作者: 龚轶 刘磊 刘伟 袁愿林 215123 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区20栋515室
本实用新型属于半导体功率器件技术领域,具体公开了一种半导体功率器件,包括封装在同一个封装体内的超级结MOSFET功率器件芯片和IGBT功率器件芯片,其中:所述超级结MOSFET功率器件芯片的漏极与所述IGBT功率器件芯片的集电极均电性连... 详细信息
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半导体功率器件
半导体功率器件
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作者: 何洪运 郝艳霞 朱建平 215153 江苏省苏州市新区通安经济开发区通锡路31号
本实用新型公开一种半导体功率器件,包括:包覆于环氧封装体内的第一芯片基板、第二芯片基板和一端自环氧封装体中伸出的第一引脚、第二引脚,所述第一芯片基板包括用于与至少两颗芯片连接的第一支撑区和垂直于第一支撑区一端的第一引... 详细信息
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半导体功率器件
半导体功率器件
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作者: S·卡西诺 A·瓜尔内拉 M·G·萨吉奥 意大利阿格拉布里安扎
本公开的实施例涉及半导体功率器件。一种半导体功率器件,包括:第一传导端子和第二传导端子;半导体主体,包含碳化硅并具有第一导电类型;多个主体阱,具有第二导电类型,所述多个主体阱在所述半导体主体中并且彼此隔开主体距离;所... 详细信息
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半导体功率器件的元胞结构及半导体功率器件
半导体功率器件的元胞结构及半导体功率器件
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作者: 赵心愿 秦博 吴海平 518000 广东省深圳市大鹏新区葵涌街道延安路1号
本实用新型公开了一种半导体功率器件的元胞结构及半导体功率器件。所述元胞结构包括:第一导电类型的漂移区,其具有相对设置的第一表面和第二表面;第二导电类型的第一掺杂区,其形成在漂移区的第一表面上;第一导电类型的源区,其形... 详细信息
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半导体功率器件、印刷电路板和电源
半导体功率器件、印刷电路板和电源
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作者: 朱建新 依志强 132013 吉林省吉林市高新区深圳街99号
本实用新型提供了一种半导体功率器件、印刷电路板和电源,属于电气元件技术领域。该半导体功率器件包括塑封外壳和多个管脚,多个管脚的第一端均与塑封外壳连接,多个管脚的第二端均悬空。塑封外壳的侧边上位于相邻两个管脚之间的位置... 详细信息
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基于量热法的半导体功率器件开关损耗测量
基于量热法的半导体功率器件开关损耗测量
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作者: 李克宇 山西大学
学位级别:硕士
实现碳达峰,达到碳中和,是我国在解决资源环境问题、实现民族伟大复兴,长效高效发展的必由之路,事关百姓民生福祉,社会长治久安,人类命运共同体理念的实现。在电力电子领域,各种新兴场效应管的应用正逐渐渗透到多个领域,而在场效应管的... 详细信息
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