检索结果-内蒙古大学图书馆

作者：朱红波张哲高向阳 510700 广东省广州市黄埔区凤凰五路28号

本发明提供一种半导体器件制备方法，包括步骤：制备得到半导体结构，所述半导体结构包括半导体材料的基底及位于基底内，且显露于基底表面的有源区，以及位于基底上表面或基底内的栅极；于有源区表面和栅极表面涂布金属前驱物以形成金... 详细信息

标准号: CN116936475B

本发明提供一种半导体器件制备方法，包括步骤：制备得到半导体结构，所述半导体结构包括半导体材料的基底及位于基底内，且显露于基底表面的有源区，以及位于基底上表面或基底内的栅极；于有源区表面和栅极表面涂布金属前驱物以形成金属前驱物材料层；进行预设时长的热烘，以于有源区和金属前驱物材料层的界面处以及栅极和金属前驱物材料层的界面处形成初始欧姆接触层；去除未反应的金属前驱物材料；进行热退火，以使初始欧姆接触层成为低阻值欧姆接触层。相较于现有技术，本发明不仅流程极大简化，可以显著降低生产成本，而且热处理温度显著降低，有助于减少乃至避免器件损伤及减少金属的横向扩散，从而提高生产良率。

关键词：金属前驱物欧姆接触层材料层基底源区半导体结构界面处半导体器件制备半导体材料基底上表面热处理横向扩散基底表面器件损伤涂布金属预设时长栅极表面前驱物热退火良率去除制备显露金属生产

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作者：丁瑜邢超王伟焦圣杰范桂林 266246 山东省青岛市黄岛区红石崖街道山王河路1088号

本申请公开了一种半导体器件制备方法，其方法包括提供半导体衬底，在半导体衬底形成阱区和栅极区，在靠近栅极区两侧的阱区表面形成局部掺杂区，刻蚀阱区，在栅极区两侧形成凹槽，并在凹槽内形成嵌入式外延层。通过优化嵌入式外延层的... 详细信息

标准号: CN117080248A

本申请公开了一种半导体器件制备方法，其方法包括提供半导体衬底，在半导体衬底形成阱区和栅极区，在靠近栅极区两侧的阱区表面形成局部掺杂区，刻蚀阱区，在栅极区两侧形成凹槽，并在凹槽内形成嵌入式外延层。通过优化嵌入式外延层的生长工艺，在形成沟槽之前，对栅极区两侧的阱区表面进行掺杂离子注入形成局部掺杂区，局部掺杂区可以减少嵌入式外延层生长时对于沟槽上部开口位置的侧面刻蚀，进而提高半导体器件的性能。

关键词：栅极区局部掺杂区嵌入式外延层阱区表面衬底刻蚀阱区半导体半导体器件制备上部开口位置半导体器件掺杂离子生长侧面申请优化

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半导体器件制备方法及半导体器件

半导体器件制备方法及半导体器件

作者：孙驰 519085 广东省珠海市高新区金园二路39号

本申请涉及半导体技术领域，提供一种半导体器件制备方法及半导体器件。所述方法包括：在衬底上形成阻隔层，并在所述阻隔层上形成外延层；或在衬底上形成外延层，并将所述外延层转移至其他衬底上；所述阻隔层用于阻隔外延层中的杂质向... 详细信息

标准号: CN116895519A

本申请涉及半导体技术领域，提供一种半导体器件制备方法及半导体器件。所述方法包括：在衬底上形成阻隔层，并在所述阻隔层上形成外延层；或在衬底上形成外延层，并将所述外延层转移至其他衬底上；所述阻隔层用于阻隔外延层中的杂质向所述衬底扩散。本申请实施例提供的半导体器件制备方法及半导体器件可以通过在衬底和外延层之间形成阻隔，或是将完成生长的外延层进行转移，避免外延层中的杂质向衬底扩散，进而避免寄生导电沟道的形成，防止因此造成的衬底损耗，提升半导体器件的效率和增益。

关键词：外延层衬底半导体器件阻隔层半导体器件制备阻隔半导体技术领域扩散导电沟道寄生申请生长

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半导体器件制备过程中的杂质扩散工艺

半导体器件制备过程中的杂质扩散工艺

作者：吴会利刘旸 110032 辽宁省沈阳市皇姑区陵园街20号

本发明公开了一种半导体器件制备过程中的杂质扩散工艺，属于半导体器件制备技术领域。该工艺先进行杂质预淀积过程，然后将扩散炉在氮气和氧气的混合气氛下以5℃/min的速率升温至再扩散温度T2；进行杂质再扩散，最后将扩散炉在5slm氮... 详细信息

标准号: CN109671620A

本发明公开了一种半导体器件制备过程中的杂质扩散工艺，属于半导体器件制备技术领域。该工艺先进行杂质预淀积过程，然后将扩散炉在氮气和氧气的混合气氛下以5℃/min的速率升温至再扩散温度T2；进行杂质再扩散，最后将扩散炉在5slm氮气气氛下以3℃/min的速率降温至600℃以下，取出硅片后自然降温。本发明将杂质预淀积和扩散工艺在炉内一次完成，避免重复升降温对产品参数及性能的影响，同时缩短大量的工艺时间。

关键词：半导体器件制备扩散炉淀积氮气扩散产品参数混合气氛扩散工艺一次完成杂质扩散自然降温硅片炉内氧气升降取出重复

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半导体器件制备信息追踪方法

半导体器件制备信息追踪方法

作者：梁栋鞠冬生徐朋 242000 安徽省宣城市飞彩办事处清流路99号

本发明涉及半导体器件制备技术领域，提供一种半导体器件制备信息追踪方法，包括以下步骤：在衬底上确定信息标识的预设位置，不同衬底上信息标识的预设位置不同；根据预设位置在衬底上形成信息标识；在衬底上进行功能层的制备，并在每... 详细信息

标准号: CN116631910A

本发明涉及半导体器件制备技术领域，提供一种半导体器件制备信息追踪方法，包括以下步骤：在衬底上确定信息标识的预设位置，不同衬底上信息标识的预设位置不同；根据预设位置在衬底上形成信息标识；在衬底上进行功能层的制备，并在每一层功能层的制备过程中获取功能层的制备信息以及信息标识的实际位置；根据信息标识的实际位置将衬底上全部功能层的制备信息与信息标识的预设位置进行关联；在半导体器件的全部功能层制备完成后，获取信息标识的实际位置；将信息标识的实际位置与预设位置进行比对，以获取半导体器件的全部制备信息。上述方法提高了半导体器件制备信息追踪的准确性，同时适用于大批量半导体器件的制备信息追踪，适用于工业化生产。

关键词：信息标识制备预设位置功能层衬底实际位置半导体器件制备半导体器件信息追踪获取信息制备过程比对关联

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作者：李娜 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

本发明提供一种半导体器件制备方法，所述半导体器件制备方法包括：提供一衬底，所述衬底上形成有场氧化层。在所述场氧化层中形成一开口，并暴露部分所述衬底。在所述衬底中形成一浅沟槽，所述开口和所述浅沟槽相连通，且所述浅沟槽为... 详细信息

标准号: CN111883430B

本发明提供一种半导体器件制备方法，所述半导体器件制备方法包括：提供一衬底，所述衬底上形成有场氧化层。在所述场氧化层中形成一开口，并暴露部分所述衬底。在所述衬底中形成一浅沟槽，所述开口和所述浅沟槽相连通，且所述浅沟槽为光刻工艺的对准标记。本发明利用所述浅沟槽作为后续光刻工艺中的对准标记，避免了零层光刻对准标记制备。在保证半导体器件性能的前提下，不仅精简工艺流程，提高制备效率，还降低生产成本。

关键词：浅沟槽衬底半导体器件制备场氧化层对准标记光刻工艺制备开口半导体器件性能光刻对准标记工艺流程暴露保证

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半导体器件制备过程中的杂质扩散工艺

半导体器件制备过程中的杂质扩散工艺

作者：吴会利刘旸 110032 辽宁省沈阳市皇姑区陵园街20号

标准号: CN109671620B

关键词：半导体器件制备扩散炉淀积氮气扩散产品参数混合气氛扩散工艺一次完成杂质扩散自然降温硅片炉内氧气升降取出重复

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