检索结果-内蒙古大学图书馆

作者：刘弋波北京大学

学位级别：硕士

该文引入了适用于异质结器件模拟的流体动力学模型,并在三角网络上完成离散.引入了各种半导体材料的物理模型和参数,并给出了如何根据锗的摩尔比X来计算合金材料应变Ge<,x>Si<,1-x>中的相关参数.该文对原... 详细信息

该文引入了适用于异质结器件模拟的流体动力学模型,并在三角网络上完成离散.引入了各种半导体材料的物理模型和参数,并给出了如何根据锗的摩尔比X来计算合金材料应变Ge<,x>Si<,1-x>中的相关参数.该文对原来的数值方法进行了优化,提出一种新的猜值方法,解决了大偏压下模拟的收敛问题,并减少了迭代次数和计算时间,另外为减少迭代过程中的振荡现象对迭代算法进行了改进.通过N-N锗硅异质结器件验证了该文中流体动力学模拟的准确性,并对Si/应变Ge<,x>Si<,1-x>二极管、应变Ge<,x>Si<,1-x>HBT、P型应变Ge<,x>Si<,1-x>MOSFET进行了模拟.另外提出并模拟了一种新器件结构—锗沟MOSFET,它具有电流大、速度快的优点,可能有良好的发展前景.

关键词：异质结器件流体动力学物理模型应变GeSi 半导体器件模拟

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一种双栅极场效应晶体管电容的测试方法

一种双栅极场效应晶体管电容的测试方法

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作者：李建成徐顺强李聪尚靖李文晓吴建飞曾祥华郑黎明 410073 湖南省长沙市开福区德雅路109号

本发明属于半导体技术领域的半导体器件模拟与测试技术，公开了一种双栅极场效应晶体管电容的测试方法，包括：步骤1：采用单栅极场效应晶体管电容的测试方法，将源极、漏极、第二栅极接地，在第一栅极上加偏置和交流信号，测出第一栅... 详细信息

标准号: CN104407229A

本发明属于半导体技术领域的半导体器件模拟与测试技术，公开了一种双栅极场效应晶体管电容的测试方法，包括：步骤1：采用单栅极场效应晶体管电容的测试方法，将源极、漏极、第二栅极接地，在第一栅极上加偏置和交流信号，测出第一栅极对第一栅极的电容C_{g1_g1}，第一栅极对第二栅极的电容C_{g1_g2}；步骤2：将源极、漏极、第一栅极接地，在第二栅极上加偏置和交流小信号，测出第二栅极对第二栅极的电容C_{g2_g2}，第二栅极对第一栅极的电容C_{g2_g1}；步骤3：计算双栅极场效应晶体管结构的总的栅电容C_g，C_g＝C_{g1_g1}+C_{g1_g2}+C_{g2_g2}+C_{g2_g1}。

关键词：第一栅极电容栅极场效应晶体管电容测试方法接地漏极偏置源极半导体技术领域半导体器件模拟交流小信号晶体管结构测试技术交流信号

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半导体技术

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中国无线电电子学文摘 1998年第1期14卷 43-54页

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基于MATLAB的PN结形成过程蒙特卡罗程序研发

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辽宁大学学报（自然科学版） 2024年第2期51卷 179-183页

作者：龚丽赵宇王春龙徐攀峰刘雯李一杰梁友君许媛媛朱江康晓民康晓珅辽宁大学物理学院辽宁沈阳110036 南开大学物理科学学院天津300071 南华大学机械工程学院湖南衡阳421001

本文基于蒙特卡罗随机行走的思想,用概率和随机抽样模拟PN结形成过程中载流子的运动以及动态分布,解决平衡态PN结电势所满足的泊松方程过于复杂、难以计算以及模拟的问题.利用MATLAB软件将演化过程中的载流子的运动过程可视化,并且将平... 详细信息

本文基于蒙特卡罗随机行走的思想,用概率和随机抽样模拟PN结形成过程中载流子的运动以及动态分布,解决平衡态PN结电势所满足的泊松方程过于复杂、难以计算以及模拟的问题.利用MATLAB软件将演化过程中的载流子的运动过程可视化,并且将平衡态PN结的电势分布可视化.该方法可通过模拟载流子的运动规律及分布了解PN结的形成过程,进而及时对物理模型进行修正.该程序实现手段简便,物理图像清晰,可以用于半导体物理等相关课程的课堂教学.

关键词：蒙特卡罗方法 PN结随机抽样半导体器件模拟

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基于简单流体动力学模型的pn结模拟与分析

基于简单流体动力学模型的pn结模拟与分析

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第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

作者：刘其贵吴金大学微电子中心(南京)

该文知简单介绍了简单流体动力学模型的基础上，对零偏、反偏及正偏条件下的ｐｎ结进行了数值模拟，着重对ｐｎ结在不同偏置下的温度特性进行了分析。

关键词：半导体器件模拟流体动力学模型 pn结热载流子效应

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对在有本征薄层的异质结结构太阳电池中的由缺陷态密度引起的载流子缺陷效应的研究

对在有本征薄层的异质结结构太阳电池中的由缺陷态密度引起的载流...

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第八届中国太阳级硅及光伏发电研讨会

作者：华夏李正平沈文忠熊光涌王栩生章灵军上海交通大学太阳能研究所上海苏州阿特斯阳光电力科技有限公司苏州

通过异质结数值计算软件AFORS-HET 模拟n 型单晶硅衬底上的带有本征薄层的异质结结构(HIT)太阳电池，着重研究了在富氢非晶硅材料的p 型发射层和本征层中缺陷态密度(DOS)带来的影响。基于精确的态密度分布物理模型，得到缺陷态中陷入的... 详细信息

通过异质结数值计算软件AFORS-HET 模拟n 型单晶硅衬底上的带有本征薄层的异质结结构(HIT)太阳电池，着重研究了在富氢非晶硅材料的p 型发射层和本征层中缺陷态密度(DOS)带来的影响。基于精确的态密度分布物理模型，得到缺陷态中陷入的载流子浓度，从而揭示其中载流子缺陷效应。本文清晰的呈现了缺陷效应的物理图像并讨论了效率高于20％的HIT 结构太阳电池所要求的DOS 的范围。

关键词：非晶半导体材料掺杂光伏器件半导体器件模拟半导体杂质太阳能

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集成电路可制造性设计中器件参数的提取

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微纳电子技术 2005年第12期42卷 578-582页

作者：霍林郭琦李惠军山东大学孟尧微电子研发中心济南250100

分别采用流体力学模型和漂移扩散模型对不同沟道长度的NMOSFET进行衬底电流的提取,并以NMOSFET沟道长度和LDD注入峰值综合对器件特性的影响为研究内容,介绍了集成电路可制造性设计中器件参数的优化与提取。

关键词：超大规模集成电路超深亚微米可制造性设计半导体器件模拟

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半导体器件

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电子科技文摘 2000年第5期 26-26页

Y99-61799-365 0007491场发射阵列的技术与材料=Field emitter arrays tech-nologies and materials[会,英]/Kleps,I.& Banoiu,G.//Proceedings of 1998 International SemiconductorConference,Vol.2.—365～368(UG)利用不同的微加工技术已加工出具有各种图形特点的硅发射阵列。其发射极的几何形状能利用变化其技术参数(腐蚀率,选择性和表面形貌)进行修正。为改进其场发射特性,还能用各种材料对硅发射极进行包敷。

关键词：半导体器件模拟场发射阵列微加工技术技术参数表面形貌场发射特性硅发射极腐蚀率几何形状选择性

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太阳电池或组件的IV特性模拟测试方法

太阳电池或组件的IV特性模拟测试方法

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作者：沈辉杨阳 510006 广东省广州市中山大学大学城工学楼C栋501

本发明涉及一种太阳电池或组件的IV特性模拟测试方法，具有如下步骤：(1)光学模拟：计算得到光生载流子速率，(2)半导体器件模拟：构建太阳电池或组件的微单元，得到微单元的J-V特性；(3)电路模拟：微单元作为电压控制电流源G，电阻Rf... 详细信息

标准号: CN102183719A

本发明涉及一种太阳电池或组件的IV特性模拟测试方法，具有如下步骤：(1)光学模拟：计算得到光生载流子速率，(2)半导体器件模拟：构建太阳电池或组件的微单元，得到微单元的J-V特性；(3)电路模拟：微单元作为电压控制电流源G，电阻Rf、电阻Rb将多个电压控制电流源G串联起来形成整片太阳电池或整个组件的模拟电路，在模拟电路的主栅测试点和背电极间进行电压扫描并跟踪记录电流，得到整片太阳电池或整个组件的I-V特性。本发明有效解决太阳电池或组件特性IV特性模拟的复杂性，太阳电池或组件的IV特性测试简单快捷。

关键词：太阳电池微单元电压控制电流源模拟电路特性模拟电阻半导体器件模拟光生载流子测试方法电路模拟电压扫描跟踪记录光学模拟特性测试组件特性电极测试点电流串联

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太阳电池或太阳电池组件的IV特性模拟测试方法

太阳电池或太阳电池组件的IV特性模拟测试方法

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作者：沈辉杨阳 510006 广东省广州市中山大学大学城工学楼C栋501

本发明涉及一种太阳电池或太阳电池组件的IV特性模拟测试方法，具有如下步骤：（1）光学模拟：计算得到光生载流子速率，（2）半导体器件模拟：构建太阳电池或太阳电池组件的微单元，得到微单元的J-V特性；（3）电路模拟：微单元作为电... 详细信息

标准号: CN102183719B

本发明涉及一种太阳电池或太阳电池组件的IV特性模拟测试方法，具有如下步骤：（1）光学模拟：计算得到光生载流子速率，（2）半导体器件模拟：构建太阳电池或太阳电池组件的微单元，得到微单元的J-V特性；（3）电路模拟：微单元作为电压控制电流源G，电阻Rf、电阻Rb将多个电压控制电流源G串联起来形成整片太阳电池或整个太阳电池组件的模拟电路，在模拟电路的主栅测试点和背电极间进行电压扫描并跟踪记录电流，得到整片太阳电池或整个太阳电池组件的I-V特性。本发明有效解决太阳电池或太阳电池组件特性IV特性模拟的复杂性，太阳电池或太阳电池组件的IV特性测试简单快捷。

关键词：太阳电池组件太阳电池微单元电压控制电流源模拟电路特性模拟电阻半导体器件模拟光生载流子测试方法电路模拟电压扫描跟踪记录光学模拟特性测试测试点电极电流串联

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