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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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文献类型

837 篇 专利

馆藏范围

837 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

机构

189 篇 台湾积体电路制造...
110 篇 中芯国际集成电路...
29 篇 长鑫存储技术有限...
27 篇 中国科学院微电子...
22 篇 上海华虹宏力半导...
17 篇 芯恩集成电路有限...
15 篇 北京超弦存储器研...
13 篇 国际商业机器公司
11 篇 华虹半导体有限公...
11 篇 上海华虹nec电子有...
10 篇 半导体元件工业有...
10 篇 长江存储科技有限...
9 篇 上海集成电路研发...
8 篇 asm ip控股有限公...
7 篇 上海新微技术研发...
7 篇 睿力集成电路有限...
7 篇 英诺赛科半导体有...
7 篇 上海芯元基半导体...
7 篇 飞思卡尔半导体公...
6 篇 上海华力微电子有...

作者

28 篇 张哲诚
18 篇 钟汇才
18 篇 梁擎擎
18 篇 赵超
16 篇 王桂磊
14 篇 陈威廷
14 篇 王祥升
12 篇 林以唐
12 篇 刘又诚
11 篇 肖德元
11 篇 刘金华
10 篇 肖胜安
10 篇 韩秋华
10 篇 赵杰
10 篇 万幸仁
9 篇 张海洋
9 篇 黄海涛
9 篇 林志翰
9 篇 王志豪
8 篇 吕祯祥

语言

837 篇 中文

检索条件"主题词=半导体器件结构"

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排序：

半导体器件结构及形成方法

半导体器件结构及形成方法

引用

作者：郑志昌苏柏智柳瑞兴雷明达中国台湾新竹市

本申请公开了半导体器件结构及形成方法。本公开涉及集成芯片结构。集成芯片结构包括第一小芯片，第一小芯片占主导性地具有耦合到在第一衬底之上的第一多个互连的第一多个集成芯片器件。第一多个集成芯片器件是第一类型集成芯片器件。... 详细信息

标准号: CN115440663A

本申请公开了半导体器件结构及形成方法。本公开涉及集成芯片结构。集成芯片结构包括第一小芯片，第一小芯片占主导性地具有耦合到在第一衬底之上的第一多个互连的第一多个集成芯片器件。第一多个集成芯片器件是第一类型集成芯片器件。集成芯片结构还包括第二小芯片，第二小芯片占主导性地具有耦合到在第二衬底之上的第二多个互连的第二多个集成芯片器件。第二多个集成芯片器件是与第一类型集成芯片器件不同的第二类型集成芯片器件。一个或多个小芯片间连接器位于第一小芯片和第二小芯片之间，并且被配置为电耦合第一小芯片和第二小芯片。

关键词：小芯片集成芯片器件集成芯片耦合到互连衬底半导体器件结构连接器电耦合主导配置申请

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半导体器件结构形成方法、感光组件、传感器、电子设备

半导体器件结构形成方法、感光组件、传感器、电子设备

引用

作者：黄海波李伟江陈飞祥杨俊胡丹丹桑田 100176 北京市经济技术开发区景园北街2号56幢8层801(北京自贸试验区高端产业片区亦庄组团)

本公开涉及半导体器件结构形成方法、感光组件、传感器、电子设备，所述方法包括：在衬底上形成注入掩膜；在所述注入掩膜的一侧进行一次第一离子注入、K次第二离子、K次第三离子注入，形成一个具有第一深度的P+型掺杂区域、及堆叠的K... 详细信息

标准号: CN115513242A

本公开涉及半导体器件结构形成方法、感光组件、传感器、电子设备，所述方法包括：在衬底上形成注入掩膜；在所述注入掩膜的一侧进行一次第一离子注入、K次第二离子、K次第三离子注入，形成一个具有第一深度的P+型掺杂区域、及堆叠的K个掺杂区域组，每个掺杂区域组均包括第一N型掺杂区域、及P型掺杂区域；在所述注入掩膜的另一侧进行第四离子注入，形成第二N型掺杂区域；去除所述注入掩膜，并在所述注入掩膜的位置形成电极层，得到半导体器件结构，进而得到光传感组件，从而实现多种频段的光能量进行采集及分离，通过与拜尔滤色镜配合，可以实现以较高的分辨率对多种频段的光能量进行采集及分离。

关键词：注入掩膜离子掺杂区域半导体器件结构光能量频段采集光传感组件电子设备感光组件电极层滤色镜传感器分辨率衬底堆叠去除配合

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半导体器件结构和制造方法

半导体器件结构和制造方法

引用

作者：马丁·罗弗森克·哈贝尼希特斯特凡·伯格伦德裴晟佑荷兰奈梅亨

本公开涉及半导体器件结构和制造半导体器件的方法。半导体器件结构包括半导体衬底，该半导体衬底具有与器件区横向分离的边缘区、布置在半导体衬底上的边缘终端结构，其中该边缘终端结构包括：第一氧化物层，其布置在衬底上以从有源区... 详细信息

标准号: CN109841670A

本公开涉及半导体器件结构和制造半导体器件的方法。半导体器件结构包括半导体衬底，该半导体衬底具有与器件区横向分离的边缘区、布置在半导体衬底上的边缘终端结构，其中该边缘终端结构包括：第一氧化物层，其布置在衬底上以从有源区延伸到边缘区；隔离层，其布置在该第一氧化物层上方；以及金属层，其布置为至少部分地覆盖隔离层，并且其中该金属层还布置为从隔离层延伸以接触边缘区。

关键词：衬底半导体半导体器件结构边缘终端结构氧化物层边缘区隔离层金属层半导体器件覆盖隔离横向分离接触边缘器件区延伸源区制造

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半导体器件结构及其制备方法

半导体器件结构及其制备方法

引用

作者：毛焜雷天飞 201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张衡路666弄2号5层504-511室

本发明提供一种半导体器件结构及其制备方法，包括：第一掺杂类型的衬底；场氧化层，位于第一掺杂类型的衬底的上表面；多晶硅栅极，位于部分场氧化层的上表面；栅氧化层，位于多晶硅栅极的上表面及部分场氧化层的上表面；第二掺杂类型... 详细信息

标准号: CN111146281A

本发明提供一种半导体器件结构及其制备方法，包括：第一掺杂类型的衬底；场氧化层，位于第一掺杂类型的衬底的上表面；多晶硅栅极，位于部分场氧化层的上表面；栅氧化层，位于多晶硅栅极的上表面及部分场氧化层的上表面；第二掺杂类型的衬底材料层，位于栅氧化层的上表面；第二掺杂类型的第一阱区，位于第二掺杂类型的衬底材料层内；阳极区域，位于第二掺杂类型的衬底材料层内；阴极区域，位于第二掺杂类型的衬底材料层内；第一掺杂类型的体区，位于第二掺杂类型的衬底材料层内。本发明的半导体器件结构不会出现栓锁效应，器件更容易关断，且不会影响其他器件的集成；同时，本发明的半导体器件结构具有成本低，制备工艺简单等优点。

关键词：掺杂类型衬底材料层上表面半导体器件结构场氧化层多晶硅栅极栅氧化层衬底栓锁效应阳极区域阴极区域制备工艺关断体区制备阱区

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半导体器件结构及其形成方法

半导体器件结构及其形成方法

引用

作者：庄宗翰林志昌陈仕承张荣宏姚茜甯庄凯麟江国诚王志豪中国台湾新竹

提供了形成半导体器件结构的方法。半导体器件结构包括在垂直方向上堆叠在衬底上方的多个第一纳米结构。半导体器件结构包括邻近第一纳米结构形成的第一底层，以及形成在第一底层上方的第一绝缘层。半导体器件结构包括形成在第一绝缘层... 详细信息

标准号: CN115881770A

提供了形成半导体器件结构的方法。半导体器件结构包括在垂直方向上堆叠在衬底上方的多个第一纳米结构。半导体器件结构包括邻近第一纳米结构形成的第一底层，以及形成在第一底层上方的第一绝缘层。半导体器件结构包括形成在第一绝缘层上方的第一源极/漏极(S/D)结构，并且第一绝缘层与第一纳米结构中的一个直接接触。本申请的实施例还涉及半导体器件结构。

关键词：半导体器件结构绝缘层纳米结构源极/漏极衬底堆叠邻近申请

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半导体器件结构及其形成方法

半导体器件结构及其形成方法

引用

作者：林建智潘韵如杨思齐颜智洋林士豪吴中书宇德安陈世强中国台湾新竹

提供了一种半导体器件结构。半导体器件结构包括衬底，衬底包括基部和在基部上方的鳍结构。鳍结构包括纳米结构。半导体器件结构包括在基底上方并环绕纳米结构缠绕的栅极堆叠件。栅极堆叠件具有上部和侧壁部分，上部在纳米结构上方，侧... 详细信息

标准号: CN115881766A

提供了一种半导体器件结构。半导体器件结构包括衬底，衬底包括基部和在基部上方的鳍结构。鳍结构包括纳米结构。半导体器件结构包括在基底上方并环绕纳米结构缠绕的栅极堆叠件。栅极堆叠件具有上部和侧壁部分，上部在纳米结构上方，侧壁部分在纳米结构的第一侧壁上方。半导体器件结构包括在侧壁部分的相对侧上的第一内间隔件和第二内间隔件。第一内间隔件的第一宽度和第二内间隔件的第二宽度之和大于侧壁部分的沿鳍结构的纵向轴线测量的第三宽度。本申请的实施例提供了半导体器件结构及其形成方法。

关键词：半导体器件结构纳米结构内间隔件侧壁鳍结构栅极堆叠衬底基部第一侧壁纵向轴线基底缠绕测量环绕申请

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半导体器件结构和制造方法

半导体器件结构和制造方法

引用

作者：马丁·罗弗森克·哈贝尼希特斯特凡·伯格伦德裴晟佑荷兰奈梅亨

标准号: CN109841670B

关键词：衬底半导体半导体器件结构边缘终端结构氧化物层边缘区隔离层金属层半导体器件覆盖隔离横向分离接触边缘器件区延伸源区制造

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半导体器件结构

半导体器件结构

引用

作者：岳盛楠刘张李 201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区祖冲之路1399号

本发明提供了一种半导体器件结构，包括：位于前列的第一类多叉指MOS管结构，其余为第二类多叉指MOS管结构；第一氧化层，位于多叉指MOS管结构上；第一金属层，位于第一氧化层上，第一金属层包括多个间隔的金属线，每个多叉指MOS管结构... 详细信息

标准号: CN117976668A

本发明提供了一种半导体器件结构，包括：位于前列的第一类多叉指MOS管结构，其余为第二类多叉指MOS管结构；第一氧化层，位于多叉指MOS管结构上；第一金属层，位于第一氧化层上，第一金属层包括多个间隔的金属线，每个多叉指MOS管结构均对应两根金属线，源极和漏极通过接触孔和金属线连通；第一类多叉指MOS管结构中，每个多叉指MOS管结构对应的两个接触孔的横截面均为长方形，每个多叉指MOS管结构对应的两个接触孔沿着栅极的径向对称设置，第二类多叉指MOS管结构中，每个多叉指MOS管结构对应的两个接触孔的横截面均为正方形，每个多叉指MOS管结构对应的两个接触孔沿着栅极的径向非对称设置。

关键词：叉指接触孔金属线第一金属层氧化层半导体器件结构非对称设置径向对称漏极源极连通

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半导体器件结构及其形成方法

半导体器件结构及其形成方法

引用

作者：梁仁荣王敬许军 100084 北京市100084-82信箱

本发明提出一种半导体器件结构及其形成方法。半导体器件结构包括：衬底层；形成在所述衬底层之上的硅碳层；形成在所述硅碳层之上的碳基材料层；形成在所述碳基材料层之上的栅堆叠；形成在所述碳基材料层之中的源极和漏极；和形成在所... 详细信息

标准号: CN101834206B

本发明提出一种半导体器件结构及其形成方法。半导体器件结构包括：衬底层；形成在所述衬底层之上的硅碳层；形成在所述硅碳层之上的碳基材料层；形成在所述碳基材料层之上的栅堆叠；形成在所述碳基材料层之中的源极和漏极；和形成在所述源极和漏极之上的金属硅化物层。本发明采用碳基材料层，例如石墨烯，作为沟道层，从而可以大大地提高器件的速度。

关键词：碳基材料半导体器件结构硅碳漏极源极金属硅化物层沟道层石墨烯堆叠

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半导体器件结构及其制造方法

半导体器件结构及其制造方法

引用

作者：马俊辉张玉龙张铭宏 215211 江苏省苏州市吴江区汾湖高新开发区新黎路98号

本揭露提供了半导体器件结构和制造所述半导体器件结构的方法。所述半导体器件结构包含衬底、第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、第一介电层和第二介电层。所述第一氮化物半导体层安置在所述衬底上。所述第二氮化物半导体层安置... 详细信息

标准号: CN112740419A

本揭露提供了半导体器件结构和制造所述半导体器件结构的方法。所述半导体器件结构包含衬底、第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、第一介电层和第二介电层。所述第一氮化物半导体层安置在所述衬底上。所述第二氮化物半导体层安置在所述第一氮化物半导体层上，且具有比所述第一氮化物半导体层的带隙更大的带隙。所述第一介电层安置在所述第二氮化物半导体层上。所述第二介电层安置在所述第一介电层上。所述第二介电层包含第一部分和通过沟槽与所述第一部分分离的第二部分，其中所述沟槽终止在所述第一介电层的上表面处。

关键词：氮化物半导体层介电层半导体器件结构安置衬底带隙上表面制造

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