检索结果-内蒙古大学图书馆

作者：季锋闻永祥刘琛孙伟 310012 浙江省杭州市黄姑山路4号

本实用新型提供了一种半导体器件结构，包括：N型掺杂的硅衬底；形成于所述硅衬底正面内的空腔；形成于所述硅衬底正面上的单晶硅层；形成于所述单晶硅层中并暴露所述空腔的通孔。本实用新型使用单一的N型掺杂的硅衬底形成空腔结构，工... 详细信息

标准号: CN205231035U

本实用新型提供了一种半导体器件结构，包括：N型掺杂的硅衬底；形成于所述硅衬底正面内的空腔；形成于所述硅衬底正面上的单晶硅层；形成于所述单晶硅层中并暴露所述空腔的通孔。本实用新型使用单一的N型掺杂的硅衬底形成空腔结构，工艺简单，成本较低。

关键词：硅衬底单晶硅层空腔半导体器件结构空腔结构实用通孔一种暴露

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作者：毛焜雷天飞 201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张衡路666弄2号5层504-511室

本实用新型提供一种半导体器件结构，包括：第一掺杂类型的衬底；场氧化层，位于第一掺杂类型的衬底的上表面；多晶硅栅极，位于部分场氧化层的上表面；栅氧化层，位于多晶硅栅极的上表面及部分场氧化层的上表面；第二掺杂类型的衬底材... 详细信息

标准号: CN208904024U

本实用新型提供一种半导体器件结构，包括：第一掺杂类型的衬底；场氧化层，位于第一掺杂类型的衬底的上表面；多晶硅栅极，位于部分场氧化层的上表面；栅氧化层，位于多晶硅栅极的上表面及部分场氧化层的上表面；第二掺杂类型的衬底材料层，位于栅氧化层的上表面；第二掺杂类型的第一阱区，位于第二掺杂类型的衬底材料层内；阳极区域，位于第二掺杂类型的衬底材料层内；阴极区域，位于第二掺杂类型的衬底材料层内；第一掺杂类型的体区，位于第二掺杂类型的衬底材料层内。本实用新型的半导体器件结构不会出现栓锁效应，器件更容易关断，且不会影响其他器件的集成；同时，本实用新型的半导体器件结构具有成本低，制备工艺简单等优点。

关键词：掺杂类型衬底材料层上表面半导体器件结构本实用新型场氧化层多晶硅栅极栅氧化层衬底栓锁效应阳极区域阴极区域制备工艺关断体区阱区

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作者：不公告发明人 230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630

本实用新型提供一种半导体器件结构，包括：半导体衬底，内形成有若干个有源区及隔离结构，每一有源区包括第一接触区及第二接触区，且有源区底内形成有若干个栅沟槽结构，以分离第一接触区与第二接触区，栅沟槽结构包括沟槽主体及连接... 详细信息

标准号: CN209029381U

本实用新型提供一种半导体器件结构，包括：半导体衬底，内形成有若干个有源区及隔离结构，每一有源区包括第一接触区及第二接触区，且有源区底内形成有若干个栅沟槽结构，以分离第一接触区与第二接触区，栅沟槽结构包括沟槽主体及连接于下方的微沟结构，且栅沟槽结构的深度小于隔离结构的深度；以及埋入式栅极字线结构，填充于栅沟槽结构中，埋入式栅极字线包括形成于栅沟槽结构内表面的栅介质层，以及填充于栅沟槽结构内栅电极层。本实用新型通过不同材料间的刻蚀选择比的不同形成特殊的微沟结构，简化制备工艺，提高制备精度，在保持原有器件尺寸的基础上，使沟道面积得以增加，可进一步增加传输通道的宽度，提高场效应晶体管的器件性能。

关键词：栅沟槽接触区源区本实用新型埋入式栅极隔离结构微沟填充半导体器件结构场效应晶体管简化制备工艺结构内表面刻蚀选择比传输通道内栅电极器件性能栅介质层字线结构衬底沟道字线制备半导体

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作者：庄家铭梁发权邱德恒 530000 广西壮族自治区南宁市高新区高新三路46号南宁生态产业园B1栋厂房一层

本实用新型公开一种半导体器件结构，包括衬底以及设于衬底上的第一半导体层、沟道层以及第二半导体层，第一半导体层上设有源极结构以及漏极结构，第二半导体层上设有栅极结构；源极结构包括与第一半导体层连接的第一电极以及与第一电... 详细信息

标准号: CN221379373U

本实用新型公开一种半导体器件结构，包括衬底以及设于衬底上的第一半导体层、沟道层以及第二半导体层，第一半导体层上设有源极结构以及漏极结构，第二半导体层上设有栅极结构；源极结构包括与第一半导体层连接的第一电极以及与第一电极连接的沿远离栅极结构设置的至少一个第一弧状延伸部，第一弧状延伸部上还连接有源极焊盘；漏极结构包括与第一半导体层连接的第二电极以及与第二电极连接的沿远离栅极结构设置的至少一个第二弧状延伸部，第二弧状延伸部上还连接有漏极焊盘。本实用新型将源极结构和漏极结构分别设计为包含第一弧状延伸部和第二弧状延伸部，使得源极结构和漏极结构的线路距离可以更长，减少散电流以增大耐压性能。

关键词：弧状延伸部半导体层漏极结构源极结构栅极结构本实用新型第二电极第一电极衬底半导体器件结构漏极焊盘耐压性能线路距离源极焊盘沟道层

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作者：徐大朋薛忠营罗杰馨柴展 201800 上海市嘉定区城北路235号1号楼

本实用新型提供一种半导体器件结构，包括：第一导电类型的第一基底，与第一基底相键合的第一导电类型的第二基底，第二导电类型的第一柱结构及第二柱结构，形成于第一基底中，第二柱结构与第一柱结构构成联合柱结构。本实用新型在第一... 详细信息

标准号: CN211238262U

本实用新型提供一种半导体器件结构，包括：第一导电类型的第一基底，与第一基底相键合的第一导电类型的第二基底，第二导电类型的第一柱结构及第二柱结构，形成于第一基底中，第二柱结构与第一柱结构构成联合柱结构。本实用新型在第一沟槽及第一柱结构的制备的同时，引入了第二基底及第二沟槽，并形成第二柱结构，得到联合柱结构，从而可以第二沟槽改变第一沟槽的形貌，从而可以得到需要形状的联合柱结构，以适应器件的需求，可以解决由于第一沟槽的形貌的限制所带来的器件结构中电荷不平衡的问题，改善了电场的重新分布，提高了器件的耐压水平，提高器件性能。

关键词：柱结构基底形貌第一导电类型本实用新型半导体器件结构导电类型耐压水平器件结构器件性能适应器件重新分布电场电荷联合键合制备引入

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作者：李晓锋黄富强 317600 浙江省台州市玉环市芦浦镇漩门工业区

一种半导体器件结构，包括金属环腔、位于金属环腔内的芯片，以及连接片，连接片为导电金属，其一端与第一金属电极固定连接，另一端与金属环腔固定连接。通过金属环腔和连接片使得将芯片的电极从一面引到另一面，即第二金属电极和金属... 详细信息

标准号: CN213212147U

一种半导体器件结构，包括金属环腔、位于金属环腔内的芯片，以及连接片，连接片为导电金属，其一端与第一金属电极固定连接，另一端与金属环腔固定连接。通过金属环腔和连接片使得将芯片的电极从一面引到另一面，即第二金属电极和金属环腔底部的金属底座外露，便于两个电极贴装在PCB板上，也就是使得芯片的两个电极在同一面上，结构紧凑，更便于直接贴装在PCB板上，能够提高加工效率，另外，通过类似于桶装结构包封住芯片，使得器件的整体类似一个纽扣电池的形状，芯片的外围全部被金属包绕，金属导热性能良好，外部的导热面积大，提高芯片的导热性能，特别是针对一些较大功率的半导体器件，其能够满足快速封装和散热性能良好的双重功能。

关键词：金属环芯片连接片导热性能金属电极电极半导体器件结构散热性能良好导热金属半导体器件导电金属加工效率金属底座纽扣电池双重功能外露电极贴包封包绕腔内贴装桶装封装外围外部

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作者： J·C·J·杰森斯美国亚利桑那

本实用新型涉及半导体器件结构。在一个实施方案中，一种半导体器件包括块状半导体衬底，所述衬底包括上边界为第二导电类型掺杂区并且下边界为另一种第二导电性半导体区的第一导电类型浮动掩埋掺杂区。电介质隔离区延伸通过所述第二导... 详细信息

标准号: CN206451708U

本实用新型涉及半导体器件结构。在一个实施方案中，一种半导体器件包括块状半导体衬底，所述衬底包括上边界为第二导电类型掺杂区并且下边界为另一种第二导电性半导体区的第一导电类型浮动掩埋掺杂区。电介质隔离区延伸通过所述第二导电性掺杂区和所述第一导电性浮动掩埋掺杂区进入所述半导体区中。功能器件设置在所述第二导电类型掺杂区内。所述第一导电类型浮动掩埋掺杂区被构造为在相邻电介质隔离区之间侧向延伸的自偏置区域。

关键词：掺杂区掩埋第一导电类型导电性浮动导电类型隔离区衬底电介质半导体器件结构导电性半导体半导体器件本实用新型块状半导体相邻电介质半导体区侧向延伸功能器件上边界下边界自偏置掺杂延伸

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作者：王鹏徐大朋罗杰馨柴展 201800 上海市嘉定区城北路235号1号楼

本实用新型提供一种半导体器件结构，半导体器件结构包括：第一导电类型的半导体衬底；第一导电类型的外延结构，外延结构包括至少两层外延单元层，且至少两层具有不同的掺杂浓度；沟槽结构以及形成于沟槽结构中的第二导电类型的柱结构... 详细信息

标准号: CN211578758U

本实用新型提供一种半导体器件结构，半导体器件结构包括：第一导电类型的半导体衬底；第一导电类型的外延结构，外延结构包括至少两层外延单元层，且至少两层具有不同的掺杂浓度；沟槽结构以及形成于沟槽结构中的第二导电类型的柱结构。本实用新型在制备外延结构的过程中，制备出包括少两层外延单元层的外延结构，且外延单元层中的至少两层具有不同的掺杂浓度，可以基于上述材料层的设置改变形成在外延结构中的沟槽结构的侧壁的形貌，从而可以使得在沟槽结构中形成的柱结构的形貌依据实际需求进行改进，可以改变沟槽结构侧壁与底部之间的倾斜情况，即改变柱结构侧壁与底部之间的倾斜情况，进而可以改善由其引起的电容急剧变化的问题。

关键词：沟槽结构外延结构两层外延单元柱结构侧壁半导体器件结构形貌第一导电类型本实用新型制备掺杂导电类型急剧变化实际需求材料层电容衬底半导体改进

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作者：毛焜雷天飞 201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张衡路666弄2号5层504-511室

本实用新型提供一种半导体器件结构，包括：第一掺杂类型的衬底、第二掺杂类型的第一阱区、第一漏极、第一源极、第一栅氧化层、多晶硅栅极、第二栅氧化层、第二掺杂类型的衬底材料层、第二掺杂类型的第二阱区、第二漏极、第二源极及第... 详细信息

标准号: CN209487516U

本实用新型提供一种半导体器件结构，包括：第一掺杂类型的衬底、第二掺杂类型的第一阱区、第一漏极、第一源极、第一栅氧化层、多晶硅栅极、第二栅氧化层、第二掺杂类型的衬底材料层、第二掺杂类型的第二阱区、第二漏极、第二源极及第一掺杂类型的体区。本实用新型的半导体器件结构在获得高耐压的前提下，可以有效降低比导通电阻，打破了现有的硅极限。

关键词：掺杂类型半导体器件结构本实用新型栅氧化层漏极源极阱区比导通电阻衬底材料层多晶硅栅极高耐压衬底体区

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作者：穆罕默德·T·库杜斯 M·马德浩克卡美国亚利桑那州

本实用新型题为“半导体器件结构”。半导体器件结构包括具有有源区域和终端区域的半导体材料区域。有源结构设置在所述有源区域中，并且终端结构设置在所述终端区域中。在一个实施方案中，所述终端结构包括终端沟槽和在所述终端沟槽内... 详细信息

标准号: CN211045446U

本实用新型题为“半导体器件结构”。半导体器件结构包括具有有源区域和终端区域的半导体材料区域。有源结构设置在所述有源区域中，并且终端结构设置在所述终端区域中。在一个实施方案中，所述终端结构包括终端沟槽和在所述终端沟槽内的导电结构，并且通过电介质结构与所述半导体材料区域电隔离。电介质层设置成与所述终端沟槽重叠，以提供所述终端结构作为浮动结构。肖特基接触区域设置在所述有源区域内。导电层电连接到所述肖特基接触区域，并且所述第一导电层延伸到所述电介质层的表面上并与所述终端沟槽的至少一部分横向重叠。

关键词：终端沟槽终端结构源区域半导体材料区域半导体器件结构肖特基接触电介质层终端区域本实用新型第一导电层电介质结构导电层电导电结构浮动结构区域设置电隔离源结构延伸