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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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文献类型

837 篇 专利

馆藏范围

837 篇 电子文献
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日期分布

机构

189 篇 台湾积体电路制造...
110 篇 中芯国际集成电路...
29 篇 长鑫存储技术有限...
27 篇 中国科学院微电子...
22 篇 上海华虹宏力半导...
17 篇 芯恩集成电路有限...
15 篇 北京超弦存储器研...
13 篇 国际商业机器公司
11 篇 华虹半导体有限公...
11 篇 上海华虹nec电子有...
10 篇 半导体元件工业有...
10 篇 长江存储科技有限...
9 篇 上海集成电路研发...
8 篇 asm ip控股有限公...
7 篇 上海新微技术研发...
7 篇 睿力集成电路有限...
7 篇 英诺赛科半导体有...
7 篇 上海芯元基半导体...
7 篇 飞思卡尔半导体公...
6 篇 上海华力微电子有...

作者

28 篇 张哲诚
18 篇 钟汇才
18 篇 梁擎擎
18 篇 赵超
16 篇 王桂磊
14 篇 陈威廷
14 篇 王祥升
12 篇 林以唐
12 篇 刘又诚
11 篇 肖德元
11 篇 刘金华
10 篇 肖胜安
10 篇 韩秋华
10 篇 赵杰
10 篇 万幸仁
9 篇 张海洋
9 篇 黄海涛
9 篇 林志翰
9 篇 王志豪
8 篇 吕祯祥

语言

837 篇 中文

检索条件"主题词=半导体器件结构"

共 837 条记录，以下是31-40 订阅

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半导体器件结构、显示面板及半导体器件结构的制备方法

半导体器件结构、显示面板及半导体器件结构的制备方法

引用

作者：晏国文徐琳丁力栋王德坚孙晓琦李俊峰 230000 安徽省合肥市新站区新蚌埠路5555号

本申请实施例提供的一种半导体器件结构、显示面板及半导体器件结构的制备方法，涉及显示设备技术领域，所述半导体器件结构包括衬底、绝缘柱、两个第一开关器件。所述绝缘柱位于所述衬底的一侧；在第一方向上，两个所述第一开关器件位... 详细信息

标准号: CN116936581A

本申请实施例提供的一种半导体器件结构、显示面板及半导体器件结构的制备方法，涉及显示设备技术领域，所述半导体器件结构包括衬底、绝缘柱、两个第一开关器件。所述绝缘柱位于所述衬底的一侧；在第一方向上，两个所述第一开关器件位于所述绝缘柱相对的两侧，所述第一开关器件包括层叠设置的第一半导体层、第一绝缘层和栅极层，所述第一方向平行于所述衬底；其中，两个所述第一开关器件的第一半导体层、第一绝缘层和栅极层从靠近所述衬底的位置沿所述绝缘柱的侧壁延伸至所述绝缘柱远离所述衬底的一侧。本申请可以形成两个第一开关器件，因此在不增加半导体器件结构在衬底上的正投影面积的情况下，可以提高半导体器件结构的输出电流。

关键词：半导体器件结构衬底第一开关绝缘柱绝缘层半导体层栅极层侧壁延伸层叠设置方向平行输出电流显示面板显示设备正投影制备申请

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半导体器件结构及其形成方法

半导体器件结构及其形成方法

引用

作者：杨皓麟王子睿徐伟诚王铨中杨敦年黄冠杰中国台湾新竹

根据本公开的半导体器件结构可以包括具有第一衬底和第一互连结构的第一管芯、具有第二衬底和第二互连结构的第二管芯以及具有第三互连结构和第三衬底的第三管芯。第一互连结构经由第一多个接合层接合到第二衬底。第二互连结构经由第二... 详细信息

标准号: CN117393573A

根据本公开的半导体器件结构可以包括具有第一衬底和第一互连结构的第一管芯、具有第二衬底和第二互连结构的第二管芯以及具有第三互连结构和第三衬底的第三管芯。第一互连结构经由第一多个接合层接合到第二衬底。第二互连结构经由第二多个接合层接合到第三互连结构。第三衬底包括多个光电二极管和第一晶体管。第二管芯包括第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管，第二晶体管的源极与第一晶体管的漏极连接，第三晶体管的栅极与第一晶体管漏极和第二晶体管源极连接。本公开还提供了形成半导体器件结构的方法。

关键词：晶体管互连结构衬底半导体器件结构接合第二管接合层管芯光电二极管晶体管漏极晶体管源极漏极源极

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半导体器件结构及其形成方法

半导体器件结构及其形成方法

引用

作者：罗伊辰中国台湾新竹

本公开的各种实施例提供了一种半导体器件结构及其形成方法。在一个实施例中，半导体器件结构包括垂直堆叠在衬底上的多个半导体层、与多个半导体中的每个接触的源极/漏极部件、设置在两个相邻半导体层之间的内部间隔件、围绕多个半导... 详细信息

标准号: CN117276277A

本公开的各种实施例提供了一种半导体器件结构及其形成方法。在一个实施例中，半导体器件结构包括垂直堆叠在衬底上的多个半导体层、与多个半导体中的每个接触的源极/漏极部件、设置在两个相邻半导体层之间的内部间隔件、围绕多个半导体的每一层的部分的栅电极层、其包括半导体层、设置在半导体层和栅电极层之间的栅极介电层、与栅极介电层的部分接触的栅极间隔件。所述半导体器件结构还包括第一盖层，所述第一盖层包括设置在所述源极/漏极部件和所述栅极间隔件之间并与其接触的第一部分，以及设置在栅极间隔件和所述内部间隔件之间且与其接触的第二部分。

关键词：半导体器件结构半导体层栅极间隔栅极介电层源极/漏极栅电极层间隔件盖层半导体相邻半导体垂直堆叠衬底

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半导体器件结构

半导体器件结构

引用

作者：刘锋 518063 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区高新南一道008号创维大厦A1206

本申请实施例涉及半导体器件制造技术领域，公开了一种半导体器件结构。半导体器件结构包括呈阵列分布的器件区、多个第一划片道区及多个第二划片道区；每个第一划片道区沿第一方向延伸，并与器件区间隔设置；每个第二划片道区沿垂直于... 详细信息

标准号: CN117525038A

本申请实施例涉及半导体器件制造技术领域，公开了一种半导体器件结构。半导体器件结构包括呈阵列分布的器件区、多个第一划片道区及多个第二划片道区；每个第一划片道区沿第一方向延伸，并与器件区间隔设置；每个第二划片道区沿垂直于第一方向的方向延伸，并与器件区间隔设置；每个第一划片道区与每个第二划片道区均设置有凹陷结构。本申请实施例提供的半导体器件结构，能够降低半导体器件制造时所受到的应力影响。

关键词：划片道区半导体器件结构器件区半导体器件制造方向延伸间隔设置凹陷结构应力影响阵列分布申请垂直

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半导体器件结构及其加工方法

半导体器件结构及其加工方法

引用

作者：胡永刚胡永强 214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号

本发明涉及一种半导体器件结构及其加工方法，所述方法包括：获取基底；在基底表面形成图案化的第一刻蚀阻挡层，所述第一刻蚀阻挡层具有沟槽窗口；刻蚀所述基底至第一预定深度，形成沟槽；去除所述第一刻蚀阻挡层并在所述沟槽中填充牺... 详细信息

标准号: CN117550545A

本发明涉及一种半导体器件结构及其加工方法，所述方法包括：获取基底；在基底表面形成图案化的第一刻蚀阻挡层，所述第一刻蚀阻挡层具有沟槽窗口；刻蚀所述基底至第一预定深度，形成沟槽；去除所述第一刻蚀阻挡层并在所述沟槽中填充牺牲层材料；在所述基底表面形成图案化的第二刻蚀阻挡层，所述第二刻蚀阻挡层具有腔体窗口；刻蚀所述基底至第二预定深度，形成腔体，所述牺牲层材料和第二刻蚀阻挡层作为刻蚀的阻挡层；所述第二预定深度小于所述第一预定深度，从而使所述沟槽的底部低于所述腔体的底部；去除所述牺牲层材料。本发明的牺牲层材料在第二次刻蚀时对腔体底部与沟槽形成的台阶起保护作用，因此该台阶能够保持较好的台阶形貌。

关键词：刻蚀阻挡层刻蚀腔体牺牲层材料基底基底表面图案化去除半导体器件结构填充牺牲层材料形貌沟槽形成阻挡层加工

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半导体器件结构及其制备方法

半导体器件结构及其制备方法

引用

作者：卢越野刘轶群 201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号

本发明提供了一种半导体器件结构及其制备方法，其中所述半导体器件结构的制备方法包括以下步骤：提供晶体管基底以及器件单元，器件单元包括位于晶体管基底的NMOS区域的NMOS器件单元和位于晶体管基底的PMOS区域的PMOS器件单元，NMOS器... 详细信息

标准号: CN116417407A

本发明提供了一种半导体器件结构及其制备方法，其中所述半导体器件结构的制备方法包括以下步骤：提供晶体管基底以及器件单元，器件单元包括位于晶体管基底的NMOS区域的NMOS器件单元和位于晶体管基底的PMOS区域的PMOS器件单元，NMOS器件单元和PMOS器件单元分别包括多个相互间隔的纳米层，所述纳米层的表面生长有功函数层；依次形成牺牲层和抗反射层于所述器件单元上，所述牺牲层还填充部分所述纳米层之间的间隔；光刻并刻蚀所述NMOS区域的抗反射层和牺牲层，以裸露出所述NMOS器件单元中的所述纳米层的功函数层；去除所述NMOS器件单元中的所述纳米层的功函数层。本发明的半导体器件结构的制备方法能够解决纳米层之间的间隔中抗反射层残留的问题。

关键词：纳米层半导体器件结构抗反射层器件单元牺牲层晶体管基底制备功函数层表面生长光刻刻蚀去除填充有功残留

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半导体器件结构、显示面板及半导体器件结构的制备方法

半导体器件结构、显示面板及半导体器件结构的制备方法

引用

作者：晏国文徐琳丁力栋王德坚孙晓琦李俊峰 230000 安徽省合肥市新站区新蚌埠路5555号

标准号: CN116936581B

关键词：半导体器件结构衬底第一开关绝缘柱绝缘层半导体层栅极层侧壁延伸层叠设置方向平行输出电流显示面板显示设备正投影制备申请

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半导体器件结构及无侧墙自对准多重曝光方法

半导体器件结构及无侧墙自对准多重曝光方法

引用

作者：尹晓明周俊韩宝东 102600 北京市大兴区亦庄经济技术开发区科创十街京东贝科技园11号楼4层

本发明提供了一种半导体器件结构及无侧墙自对准多重曝光方法，器件结构包括基板；设置于基板上的位线，在垂直于第一方向的第二方向上延伸；存储单元组包括设置于基板上的多个晶体管和/或电容器，存储单元组为六边形，至少有两个相邻... 详细信息

标准号: CN116193848A

本发明提供了一种半导体器件结构及无侧墙自对准多重曝光方法，器件结构包括基板；设置于基板上的位线，在垂直于第一方向的第二方向上延伸；存储单元组包括设置于基板上的多个晶体管和/或电容器，存储单元组为六边形，至少有两个相邻的所述晶体管和/或电容器单元在第二方向通过同一条位线连接。该结构通过无侧墙自对准多重曝光方法制作：根据上述结构的图形设计，以每两条位线为一组设置光阻或者掩膜层；进行第一次硬掩膜层刻蚀，将图形同步转移到金属掩膜层和介质掩膜层；对介质掩膜层进行缩微；进行有机膜层旋涂，然后回刻使得介质掩膜层暴露于有机膜层表面；进行第二次硬掩膜层刻蚀，去除各组中的两条位线间隔部的介质掩膜层和金属掩膜层。

关键词：介质掩膜位线基板存储单元组金属掩膜层多重曝光硬掩膜层有机膜层自对准晶体管侧墙刻蚀电容器半导体器件结构电容器单元六边形器件结构图形设计间隔部掩膜层组设置光阻回刻旋涂去除垂直暴露延伸制作

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半导体器件结构

半导体器件结构

引用

作者：萧琮介沈香谷萧远洋黄镇球陈殿豪中国台湾新竹

根据本公开的半导体器件结构包括钝化层、设置在钝化层上的第一导体板层、设置在第一导体层上的第二导体板层、设置在第二导体层上的第三导体板层以及设置在第三导体层上的第四导体板层。第二导体板层包围第一导体板层，第四导体板层包... 详细信息

标准号: CN115867125A

根据本公开的半导体器件结构包括钝化层、设置在钝化层上的第一导体板层、设置在第一导体层上的第二导体板层、设置在第二导体层上的第三导体板层以及设置在第三导体层上的第四导体板层。第二导体板层包围第一导体板层，第四导体板层包围第三导体板层。该器件结构在用于后段制程无源器件时，减少因角部放电效应引起的泄漏和击穿。

关键词：导体板钝化层半导体器件结构第二导体层第一导体层包围放电效应后段制程器件结构无源器件导体层击穿角部泄漏

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半导体器件结构及其制备方法

半导体器件结构及其制备方法

引用

作者：张志成漆文龙周岐区树雄张建华张富强蔡学江 518000 广东省深圳市龙岗区横岗街道红棉社区深峰路2号振业城风荷坊2栋1B

本申请涉及一种半导体器件结构及其制备方法。该半导体器件结构包括：第一导电类型的衬底，第一导电类型的漂移区，JFET区，多个第二导电类型的阱区，多个第一导电类型的源区，多个沟道区以及栅极结构，栅极结构包括：栅介质层及多个栅... 详细信息

标准号: CN117352539A

本申请涉及一种半导体器件结构及其制备方法。该半导体器件结构包括：第一导电类型的衬底，第一导电类型的漂移区，JFET区，多个第二导电类型的阱区，多个第一导电类型的源区，多个沟道区以及栅极结构，栅极结构包括：栅介质层及多个栅极。多个栅极与所述沟道区一一对应设置。本申请提高了电子的迁移率；减小了热点效应，避免了半导体器件结构局部热量积累和损坏器件；有助于更均匀地控制沟道中的电子或空穴，从而提高了电流的传输效率；减小了漏电流，提高了半导体器件结构的静态功耗特性；提高了电流传输效率，从而提高了半导体器件结构的开关速度；减小了失效风险，提高了可靠性、延长了器件的寿命以及提高了器件的一致性。

关键词：半导体器件结构第一导电类型减小栅极结构沟道区电流传输效率一一对应设置空穴传输效率导电类型静态功耗局部热量热点效应栅介质层漏电流漂移区迁移率衬底沟道源区阱区制备申请积累

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