检索结果-内蒙古大学图书馆

作者：徐吉程潘群华 312000 浙江省绍兴市越城区皋埠街道银桥路326号3幢212-A室

本发明涉及一种半导体器件结构及其制备方法。该垂直功率金属氧化物半导体场效应晶体管包括：第一导电类型的衬底；第一导电类型的外延层；栅极结构；第二导电类型的阱区；第一导电类型的源极区；第一肖特基接触层，位于栅极结构远离第... 详细信息

标准号: CN114005824A

本发明涉及一种半导体器件结构及其制备方法。该垂直功率金属氧化物半导体场效应晶体管包括：第一导电类型的衬底；第一导电类型的外延层；栅极结构；第二导电类型的阱区；第一导电类型的源极区；第一肖特基接触层，位于栅极结构远离第二导电类型的阱区的一侧，且位于第一导电类型的外延层远离第一导电类型的衬底的表面或位于第一导电类型的外延层内；源极金属层以及漏极金属层。该半导体器件结构具有优异的效率和稳定性，同时，原料成本低，制备工艺简便。

关键词：第一导电类型外延层半导体器件结构导电类型栅极结构衬底阱区金属氧化物半导体场效应晶体管肖特基接触层漏极金属层源极金属层垂直功率原料成本制备工艺源极区制备

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作者：刘佳吴建忠易汉威高毅王猛卢峰 430074 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号

本发明提供一种半导体器件结构及其制备方法，制备包括：提供半导体结构，包括若干个器件沟道孔、虚拟沟道孔及第一底部外延层，虚拟沟道孔的特征尺寸大于器件沟道孔的特征尺寸，器件沟道孔的内壁上形成有第一功能层，虚拟沟道孔的内壁... 详细信息

标准号: CN111430364B

本发明提供一种半导体器件结构及其制备方法，制备包括：提供半导体结构，包括若干个器件沟道孔、虚拟沟道孔及第一底部外延层，虚拟沟道孔的特征尺寸大于器件沟道孔的特征尺寸，器件沟道孔的内壁上形成有第一功能层，虚拟沟道孔的内壁上形成有第二功能层；形成掩膜层；填充介质阻挡层；去除掩膜层及器件沟道孔底部的第一功能层以显露第一底部外延层。本发明在虚拟沟道孔中填充介质阻挡层进行保护，可以防止在器件沟道孔进行第一功能层底部打开时对虚拟沟道孔中的结构造成损害，如防止对第二底部外延层在上述过程中进行刻穿，还可以防止对虚拟沟道孔的内部连接处造成破坏，从而有利于防止上述情况所造成的器件的漏电，有利于提高器件性能。

关键词：沟道器件沟道虚拟功能层外延层介质阻挡层掩膜层内壁制备填充半导体器件结构半导体结构漏电内部连接器件性能刻穿去除显露损害

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半导体器件结构及其形成方法

半导体器件结构及其形成方法

作者：张荣宏林志昌陈仕承姚茜甯庄宗翰庄凯麟江国诚王志豪中国台湾新竹

提供了用于形成半导体器件结构的方法。半导体器件结构包括多个第一纳米结构，其沿着垂直方向堆叠在衬底上方。半导体器件结构还包括：第一底层，其形成为邻接第一纳米结构；以及第一介电衬垫层，其形成在第一底层上方，并且邻接第一纳... 详细信息

标准号: CN115842037A

提供了用于形成半导体器件结构的方法。半导体器件结构包括多个第一纳米结构，其沿着垂直方向堆叠在衬底上方。半导体器件结构还包括：第一底层，其形成为邻接第一纳米结构；以及第一介电衬垫层，其形成在第一底层上方，并且邻接第一纳米结构。半导体器件结构还包括第一源极/漏极(S/D)结构，其形成在介电衬垫层上方，并且第一S/D结构通过第一介电衬垫层与第一底层隔离。

关键词：半导体器件结构纳米结构介电衬垫层邻接源极/漏极电衬垫衬底堆叠隔离

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半导体器件结构及制备方法

半导体器件结构及制备方法

作者：于有权孙正庆吴公一 230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号

本发明公开了一种半导体器件结构及制备方法，半导体器件结构的制备方法包括：于衬底上形成若干个平行间隔排布的初始位线，初始位线沿第一方向延伸；初始位线包括位元线及初始位线隔离结构；于衬底上形成若干个图形单元，图形单元沿第... 详细信息

标准号: CN113540091A

本发明公开了一种半导体器件结构及制备方法，半导体器件结构的制备方法包括：于衬底上形成若干个平行间隔排布的初始位线，初始位线沿第一方向延伸；初始位线包括位元线及初始位线隔离结构；于衬底上形成若干个图形单元，图形单元沿第二方向延伸，第一方向与第二方向相交，以于相邻图形单元之间及相邻初始位线之间形成电容接触孔；于电容接触孔内形成电容接触结构，电容接触结构的上表面低于图形结构的上表面及初始位线的上表面；于初始位线隔离结构内形成第一空气隔离层，以得到位线隔离结构，并于图形单元高于电容接触结构的部分形成图形单元隔离结构，图形单元隔离结构内形成有第二空气隔离层；位线隔离结构与位元线共同构成位线。

关键词：初始位隔离结构图形单元电容接触结构上表面位线半导体器件结构空气隔离层方向延伸接触孔位元线衬底制备平行间隔排布图形结构相邻图形相交

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作者：不公告发明人 230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室

提供一种半导体器件结构，包括衬底；器件区域，位于所述衬底上，包含若干晶体管器件，所述晶体管器件具有栅极；栅极环结构，位于所述器件区域外围，且从内到外依次套设第一栅极环、第二栅极环和第三栅极环中的一个或多个栅极环。还提... 详细信息

标准号: CN111106112A

提供一种半导体器件结构，包括衬底；器件区域，位于所述衬底上，包含若干晶体管器件，所述晶体管器件具有栅极；栅极环结构，位于所述器件区域外围，且从内到外依次套设第一栅极环、第二栅极环和第三栅极环中的一个或多个栅极环。还提供该半导体器件的制备方法。本发明通过在器件区域外围套设栅极环，使得半导体器件在制备过程的平坦化工艺中可以具备优良的平坦化性能，并降低光刻工艺中邻近效应的影响，有利于形成稳定的栅极沟道。

关键词：栅极环器件区域半导体器件晶体管器件衬底外围半导体器件结构平坦化性能光刻工艺邻近效应栅极沟道制备过程平坦化制备

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半导体器件结构

半导体器件结构

作者：涂文琼沈香谷萧远洋萧琮介黄镇球陈殿豪中国台湾新竹

根据本发明的半导体器件结构包括金属‑绝缘体‑金属(MIM)堆叠件，该MIM堆叠件包括与多个绝缘体层交错的多个导体板层。MIM堆叠件包括第一区域和第二区域，并且第一区域和第二区域在第三区域中重叠。MIM堆叠件还包括：第一通孔，穿过第一... 详细信息

标准号: CN115863305A

根据本发明的半导体器件结构包括金属‑绝缘体‑金属(MIM)堆叠件，该MIM堆叠件包括与多个绝缘体层交错的多个导体板层。MIM堆叠件包括第一区域和第二区域，并且第一区域和第二区域在第三区域中重叠。MIM堆叠件还包括：第一通孔，穿过第一区域并且电耦接至多个导体板层的第一子集；第二通孔，穿过第二区域并且电耦接至多个导体板层的第二子集；以及接地通孔，穿过第三区域并且电耦接至多个导体板层的第三子集。多个导体板层的第三子集的至少一个与多个导体板层的第一子集的至少一个和多个导体板层的第二子集的至少一个垂直地重叠。

关键词：导体板子集堆叠件第二区域第一区域电耦穿过通孔绝缘体半导体器件结构金属接地通孔绝缘体层垂直地交错

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作者：李杰张曌刘玮魏国栋 518116 广东省深圳市龙岗区宝龙工业城宝龙七路3号

本发明公开了一种半导体器件结构及其制备方法，半导体器件结构的制备方法包括：形成外延层；于所述外延层内形成沟槽；于所述沟槽内形成栅极结构，所述栅极结构包括有效栅结构及分裂栅结构，所述有效栅结构位于所述分裂栅结构的上表面... 详细信息

标准号: CN114420637B

本发明公开了一种半导体器件结构及其制备方法，半导体器件结构的制备方法包括：形成外延层；于所述外延层内形成沟槽；于所述沟槽内形成栅极结构，所述栅极结构包括有效栅结构及分裂栅结构，所述有效栅结构位于所述分裂栅结构的上表面；于所述外延层内形成阱区；于所述阱区内形成源区，所述源区位于所述栅极结构相对的两侧；于所述外延层的上表面形成源极金属层，所述源极金属层与所述源区及所述分裂栅结构相接触。替代传统在相邻沟槽之间设置接触孔的方式，舍去接触孔与沟槽之间的间距，将半导体器件结构的尺寸相较于原具有接触孔的器件尺寸缩小了30％‑50％。

关键词：外延层半导体器件结构栅极结构分裂栅接触孔源区源极金属层上表面栅结构制备尺寸缩小相邻沟槽阱区替代

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半导体器件结构及其制造方法

半导体器件结构及其制造方法

作者：张冠张李蕾郑斐王泽文 518055 广东省深圳市南山区西丽街道深圳大学城北大园区H栋208室

一种半导体器件结构及其制造方法，在其结构中，在基底中形成有凹槽，并且将器件中比较重要的结构部分例如第一电极层设置在凹槽内，再在凹槽的上方形成其他器件结构部件例如第二电极层，形成嵌入式的结构，嵌入式技术运用了削弱电子器... 详细信息

标准号: CN116314342A

一种半导体器件结构及其制造方法，在其结构中，在基底中形成有凹槽，并且将器件中比较重要的结构部分例如第一电极层设置在凹槽内，再在凹槽的上方形成其他器件结构部件例如第二电极层，形成嵌入式的结构，嵌入式技术运用了削弱电子器件内部结构中的寄生效应、规整化整体器件的堆叠结构、改善对于光电信号的响应程度等原理，旨在对现有存在的各类电子器件进行结构与性能上的双重优化，通过研究其能够进行改善的出发点改善其透光率、工作电压区间、开关速度、能源利用率等等重要指标，综合传统的工艺简单的优点以及自对准顶栅结构，使得保障器件的尺寸微缩优点，同时能够提升器件的载流子迁移率、开关速度以及开态电流等性能。

关键词：电子器件半导体器件结构工作电压区间载流子迁移率能源利用率嵌入式技术第二电极第一电极顶栅结构堆叠结构光电信号寄生效应开态电流器件结构双重优化提升器件整体器件重要指标规整传统的嵌入式透光率自对准基底微缩削弱出发点响应制造研究

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半导体器件结构、肖特基二极管及其制备方法

半导体器件结构、肖特基二极管及其制备方法

作者：郝茂盛袁根如张楠陈朋马艳红 201209 上海市浦东新区川沙路151号3幢T1046室

本发明提供一种半导体器件结构、肖特基二极管及其制备方法，肖特基二极管的制备方法包括：提供具有凹槽结构的生长基底，生长第一N型氮化镓层及第二N型氮化镓层，剥离生长衬底，形成阴极金属层及阳极金属层。本发明在生长基底上进行侧... 详细信息

标准号: CN111430237A

本发明提供一种半导体器件结构、肖特基二极管及其制备方法，肖特基二极管的制备方法包括：提供具有凹槽结构的生长基底，生长第一N型氮化镓层及第二N型氮化镓层，剥离生长衬底，形成阴极金属层及阳极金属层。本发明在生长基底上进行侧向外延生长形成第一N型氮化镓层，可以提高氮化镓晶体质量，提高表面平整度，减少晶体缺陷，制作垂直结构的肖特基二极管，有利于承受较大的电流及电压，另外，设置阴阳电极上下平行错开，有利于避免两电极直接对冲击穿芯片，提高氮化镓肖特基二极管的耐压特性与降低其漏电流。

关键词：肖特基二极管生长基制备半导体器件结构侧向外延生长表面平整度氮化镓晶体阳极金属层阴极金属层凹槽结构垂直结构晶体缺陷上下平行阴阳电极生长氮化镓漏电流错开电极衬底对冲击穿耐压剥离芯片制作

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半导体器件结构及制备方法

半导体器件结构及制备方法

作者：元大中 230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号

本发明公开了一种半导体器件结构及制备方法，半导体器件结构的制备方法包括：提供衬底，所述衬底包括第一区域及与所述第一区域相邻接的第二区域；于所述衬底内形成字线沟槽，所述字线沟槽贯穿所述第一区域及所述第二区域；于所述字线... 详细信息

标准号: CN113517232B

本发明公开了一种半导体器件结构及制备方法，半导体器件结构的制备方法包括：提供衬底，所述衬底包括第一区域及与所述第一区域相邻接的第二区域；于所述衬底内形成字线沟槽，所述字线沟槽贯穿所述第一区域及所述第二区域；于所述字线沟槽内形成埋入式栅极字线，所述栅极字线包括字线导电层，所述字线导电层贯穿所述第一区域及所述第二区域，且位于所述第二区域的所述字线导电层的厚度大于位于第一区域的所述字线导电层的厚度，以形成台阶状的字线导电层，在完成制备埋入式栅极字线后可以确保形成在第二区域的第一互连孔能够暴露出字线导电层，从而确保埋入式栅极字线可以顺利电引出，为DRAM提供导电通路的同时，也保留了减少栅极泄露的优势。

关键词：字线导电层第二区域第一区域字线埋入式栅极字线沟槽衬底制备半导体器件结构导电通路互连孔台阶状贯穿泄露保留暴露