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文字说明：

T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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文献类型

189 篇 专利

馆藏范围

189 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

机构

23 篇 中芯国际集成电路...
20 篇 上海华力微电子有...
11 篇 安集微电子有限公...
10 篇 上海华虹宏力半导...
5 篇 安集微电子科技有...
4 篇 中科见微智能装备...
4 篇 长鑫存储技术有限...
4 篇 上海华力集成电路...
3 篇 苏州能讯高能半导...
3 篇 华虹半导体有限公...
3 篇 中国科学院微电子...
3 篇 安集微电子科技股...
3 篇 长江存储科技有限...
3 篇 三洋电机株式会社
2 篇 和舰科技有限公司
2 篇 华进半导体封装先...
2 篇 杰华特微电子股份...
2 篇 深圳市日欣工业设...
2 篇 株洲南车时代电气...
2 篇 无锡中微晶园电子...

作者

17 篇 荆建芬
16 篇 蔡鑫元
13 篇 姚颖
11 篇 徐强
8 篇 潘依君
7 篇 宋凯
6 篇 邱腾飞
6 篇 张建
5 篇 李恒
4 篇 葛薇薇
4 篇 刘智勇
4 篇 高嫄
3 篇 卞鹏程
3 篇 冈田喜久雄
3 篇 刘焕新
3 篇 袁俊
3 篇 青野勉
3 篇 杨俊雅
2 篇 佟大明
2 篇 俞柳江

语言

189 篇 中文

检索条件"主题词=半导体器件表面"

共 189 条记录，以下是1-10 订阅

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排序：

半导体器件表面薄膜折射率的测量方法

半导体器件表面薄膜折射率的测量方法

引用

作者：彭时秋陈全胜王涛肖步文 214000 江苏省无锡市新吴区信息产业科技园A座二层203室

本发明涉及一种测量方法，尤其是一种半导体器件表面薄膜折射率的测量方法。按照本发明提供的技术方案，一种半导体器件表面薄膜折射率的测量方法，所述测量方法包括如下步骤：步骤1、利用膜厚仪测量得到待测量薄膜厚度h1，其中，所述... 详细信息

标准号: CN113539876B

本发明涉及一种测量方法，尤其是一种半导体器件表面薄膜折射率的测量方法。按照本发明提供的技术方案，一种半导体器件表面薄膜折射率的测量方法，所述测量方法包括如下步骤：步骤1、利用膜厚仪测量得到待测量薄膜厚度h1，其中，所述膜厚仪内所选测量模型的模型折射率为n1；步骤2、对薄膜层进行实际厚度测量，以能得到所述薄膜层的实际厚度h2；步骤3、根据上述厚度h1、实际厚度h2以及模型折射率n1，能得到薄膜层的折射率n2，其中，n2＝n1*h1/h2。本发明能有效实现对薄膜折射率的测量，提高测量的效率，降低测量成本。

关键词：测量薄膜折射率薄膜层折射率半导体器件表面膜厚仪测量薄膜测量成本测量模型厚度测量有效实现

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半导体器件表面瑕疵异物检测处理方法及其系统

半导体器件表面瑕疵异物检测处理方法及其系统

引用

作者：刘智勇季耀辉 215600 江苏省苏州市张家港市塘桥镇东城科技创业园B幢2楼

本发明公开了一种半导体器件表面瑕疵异物检测处理方法及其系统，该方法包括：获取每一半导体器件的表面图像，半导体器件的表面图像和检测基准图像比对，获取半导体器件上的每一瑕疵异物的位置参数以及瑕疵异物图像；拾取除尘载体后根... 详细信息

标准号: CN117399366A

本发明公开了一种半导体器件表面瑕疵异物检测处理方法及其系统，该方法包括：获取每一半导体器件的表面图像，半导体器件的表面图像和检测基准图像比对，获取半导体器件上的每一瑕疵异物的位置参数以及瑕疵异物图像；拾取除尘载体后根瑕疵异物图像进行蘸取吸附溶液，根据瑕疵异物的位置参数，将蘸取吸附溶液后的除尘载体与所述瑕疵异物进行接触；当所述瑕疵异物被所述吸附溶液融合或者溶解后，驱动除尘载体复位并更换新的除尘载体，重复蘸取吸附溶液对瑕疵异物进行融合或者溶解，直至所有瑕疵异物被清除。本申请采用吸附溶解的方式，溶解后利用溶解液内部分子的张力将异物带走，既能清除物品表面异物，还能避免物品表面损伤或二次污染。

关键词：瑕疵异物吸附除尘半导体器件溶解蘸取表面图像位置参数物品表面异物图像半导体器件表面异物检测处理二次污染基准图像融合溶解液比对复位拾取损伤驱动检测重复申请

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半导体器件表面瑕疵异物检测处理设备

半导体器件表面瑕疵异物检测处理设备

引用

作者：刘智勇季耀辉 215600 江苏省苏州市张家港市塘桥镇东城科技创业园B幢2楼

本实用新型公开了一种半导体器件表面瑕疵异物检测处理设备，包括平台底座、设置在所述平台底座上的产品放置台、载体放置台以及容器，对应所述产品放置台设置有CCD图像识别模组，所述CCD图像识别模组用于移动到所述产品放置台上获取每... 详细信息

标准号: CN220738851U

本实用新型公开了一种半导体器件表面瑕疵异物检测处理设备，包括平台底座、设置在所述平台底座上的产品放置台、载体放置台以及容器，对应所述产品放置台设置有CCD图像识别模组，所述CCD图像识别模组用于移动到所述产品放置台上获取每一半导体器件的表面图像；所述平台底座上方还设置有载体自动拾取模组，用于从所述载体放置台上拾取除尘载体后在容器内蘸取吸附溶液，将蘸取吸附溶液后的除尘载体与所述半导体器件表面的瑕疵异物进行接触；当所述瑕疵异物被所述吸附溶液融合或者溶解后，驱动所述除尘载体复位并更换新的除尘载体。本申请采用图像识别和吸附溶解方式，溶解后利用溶解液内部分子的张力将异物带走，既能清除物品表面异物，还能避免物品表面损伤或二次污染。

关键词：除尘异物吸附平台底座模组瑕疵半导体器件表面溶解产品放置台物品表面拾取蘸取异物检测处理半导体器件本实用新型表面图像产品放置二次污染图像识别放置台溶解液复位损伤驱动融合移动申请

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一种半导体器件表面微导流散热结构及其制备方法

一种半导体器件表面微导流散热结构及其制备方法

引用

作者：姜涛 200080 上海市虹口区海宁路137号7层E座735G室

本发明公开了一种半导体器件表面微导流散热结构及其制备方法，该微导流散热结构包括设置于半导体表面的至少一层微导流导热通道，每层微导流导热通道均包括若干导热结构；上述导热结构为利用半导体工艺逐步沉积金属并最终在顶部合拢形... 详细信息

标准号: CN117650109A

本发明公开了一种半导体器件表面微导流散热结构及其制备方法，该微导流散热结构包括设置于半导体表面的至少一层微导流导热通道，每层微导流导热通道均包括若干导热结构；上述导热结构为利用半导体工艺逐步沉积金属并最终在顶部合拢形成的带有空腔的管状金属结构。本发明实现了在器件的功能层远离衬底的一面形成微导流散热通道，提供了对器件的功能层中产生的热量有效导出的通道，特别对于HEMT器件，器件表面的微导流散热结构更靠近器件发热区，因此可以实现最直接的热量导出效果；且该结构的制备过程与芯片制作过程兼容，工艺简单，成本较低，便于推广应用。

关键词：导流散热结构导热结构导热通道功能层导出导流半导体器件表面导流散热通道管状金属结构芯片制作过程半导体表面半导体工艺合拢沉积金属器件表面制备过程发热区衬底制备兼容

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一种半导体器件表面加工预氧化处理装置

一种半导体器件表面加工预氧化处理装置

引用

作者：段国林段国辉胡晴南 518000 广东省深圳市宝安区燕罗街道燕川社区燕朝路9号厂房201

本发明涉及电气元件加工技术领域，具体涉及一种半导体器件表面加工预氧化处理装置，包括有用于半导体器件循环移动的半导体器件循环定轨机构；半导体器件循环定轨机构呈环形等距离安装有若干个半导体器件翻转定位机构，半导体器件翻转... 详细信息

标准号: CN118248599B

本发明涉及电气元件加工技术领域，具体涉及一种半导体器件表面加工预氧化处理装置，包括有用于半导体器件循环移动的半导体器件循环定轨机构；半导体器件循环定轨机构呈环形等距离安装有若干个半导体器件翻转定位机构，半导体器件翻转定位机构用于对需要预氧化处理的半导体器件呈环形全方位转动。本发明，半导体器件通过半导体器件翻转定位机构放置在半导体器件循环定轨机构上，对供给管道连接供给高压双氧水溶液流通的泵体启闭，或者对风机和电阻加热环启闭，放置在半导体器件翻转定位机构上的半导体器件进行循环移动通过喷淋的预氧化双氧水溶液喷淋箱或者出风的预氧化内出风筒，便于半导体器件进行依次进行预氧化加工。

关键词：半导体器件翻转定位机构预氧化定轨双氧水溶液循环移动启闭半导体器件表面预氧化处理装置加工技术领域环形等距离全方位转动预氧化处理电气元件电阻加热供给管道出风筒喷淋箱风机泵体出风喷淋加工流通

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一种去除半导体器件表面钨残留的方法

一种去除半导体器件表面钨残留的方法

引用

作者：陶友飞陆金吴正泉 200233 上海市徐汇区虹漕路385号

本发明公开了一种去除半导体器件表面钨残留的方法。该方法包括下述步骤：(1)将钨淀积后的半导体器件经钨回刻工艺，得半导体器件A；其中：所述钨淀积后的半导体器件的表面钨层厚度为A，所述钨回刻工艺去除的钨层厚度为B，所述B为所述A... 详细信息

标准号: CN113327851B

本发明公开了一种去除半导体器件表面钨残留的方法。该方法包括下述步骤：(1)将钨淀积后的半导体器件经钨回刻工艺，得半导体器件A；其中：所述钨淀积后的半导体器件的表面钨层厚度为A，所述钨回刻工艺去除的钨层厚度为B，所述B为所述A的40‑60％；(2)将步骤(1)中所述半导体器件A经化学机械抛光处理，去除所述半导体器件表面剩余的钨，即可。本发明的方法可以减少钨在晶圆上的余量，降低器件表面钨残留风险；大大提高钨化学机械抛光的效率，降低抛光时间，提高工艺稳定性，降低耗材成本。

关键词：半导体器件去除半导体器件表面淀积回刻钨层化学机械抛光处理残留工艺稳定性耗材成本机械抛光降低器件钨化学抛光晶圆

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一种半导体器件表面加工预氧化处理装置

一种半导体器件表面加工预氧化处理装置

引用

作者：段国林段国辉胡晴南 518000 广东省深圳市宝安区燕罗街道燕川社区燕朝路9号厂房201

标准号: CN118248599A

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一种半导体器件表面清洗烘干一体机

一种半导体器件表面清洗烘干一体机

引用

作者：贾培培 231521 安徽省合肥市庐江县金牛镇山南村天星金属工艺公司内第10幢厂房

本发明涉及半导体器件处理技术领域，且公开了一种半导体器件表面清洗烘干一体机，包括安装架，所述安装架内转动连接有两个安装轴，两个所述安装轴的外表面均固定套接有传动轮，两个所述传动轮之间传动连接有传动皮带，该一种半导体器... 详细信息

标准号: CN118218293A

本发明涉及半导体器件处理技术领域，且公开了一种半导体器件表面清洗烘干一体机，包括安装架，所述安装架内转动连接有两个安装轴，两个所述安装轴的外表面均固定套接有传动轮，两个所述传动轮之间传动连接有传动皮带，该一种半导体器件表面清洗烘干一体机，通过将需要清洗的半导体器件挨个放入到器件放置机构中，随后通过传动皮带带动器件放置机构进行移动，移动的同时器件放置机构进行转动，再通过清洗烘干机构的配合，对移动和转动过程中的半导体器件进行全面的清洗和烘干，从而实现对半导体器件单个的全面清洗烘干一体化加工，大大提高了对半导体器件的清洗效率，同时也降低了清洗时对半导体器件表面的损伤。

关键词：半导体器件半导体器件表面器件放置清洗烘干一体机清洗传动皮带安装架安装轴传动轮烘干移动清洗烘干机构一体化加工传动连接清洗效率全面清洗转动过程转动连接固定套放入转动损伤配合

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基于视觉检测的半导体器件表面除尘方法及其系统

基于视觉检测的半导体器件表面除尘方法及其系统

引用

作者：刘智勇周毓涛 215000 江苏省苏州市张家港市塘桥镇东城科技创业园B幢2楼

本发明公开了一种基于视觉检测的半导体器件表面除尘方法及其系统，该方法包括：采集半导体器件的实时图像，将实时图像与预设基准图像匹配对比，从而得到半导体器件表面上灰尘异物的位置信息以及灰尘异物图像；根据灰尘异物图像的面积... 详细信息

标准号: CN117470104A

本发明公开了一种基于视觉检测的半导体器件表面除尘方法及其系统，该方法包括：采集半导体器件的实时图像，将实时图像与预设基准图像匹配对比，从而得到半导体器件表面上灰尘异物的位置信息以及灰尘异物图像；根据灰尘异物图像的面积大小拾取对应规格的除尘棒，并根据灰尘异物的位置信息，驱动除尘棒与灰尘异物进行接触并粘除。采用图像识别方式，快速识别半导体器件表面的灰尘异物，根据实时获取的灰尘异物图像选择最匹配的除尘棒接触并粘除，这样可以做到快速地完成除尘工作，同时除尘棒消耗最少，且由于半导体器件在除尘时与除尘棒接触次数最小化，快速清除器件表面异物，也最大限度地避免了器件表面损伤或二次污染。

关键词：灰尘异物除尘棒半导体器件表面除尘半导体器件器件表面实时图像匹配图像二次污染基准图像快速清除快速识别实时获取视觉检测图像识别图像选择最小化异物拾取预设损伤采集驱动消耗

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用于半导体器件表面的涂层及其制造方法和半导体器件

用于半导体器件表面的涂层及其制造方法和半导体器件

引用

作者：郭丰铭郭光宇郭蕙瑜 523875 广东省东莞市长安镇厦岗福海路52号11号楼201室

本申请提供了一种用于半导体器件表面的涂层及其制造方法和半导体器件，该涂层包括金属结合层、过渡层、加硬层和防腐功能层。金属结合层具有相对设置的第一表面和第二表面，第一表面被配置为使涂层连接于半导体器件中半导体衬底的表面... 详细信息

标准号: CN117810094A

本申请提供了一种用于半导体器件表面的涂层及其制造方法和半导体器件，该涂层包括金属结合层、过渡层、加硬层和防腐功能层。金属结合层具有相对设置的第一表面和第二表面，第一表面被配置为使涂层连接于半导体器件中半导体衬底的表面。过渡层设置于金属结合层的第二表面。加硬层设置于过渡层的远离金属结合层的表面。防腐功能层设置于加硬层的远离过渡层的表面。通过依次设置金属结合层、过渡层、加硬层和防腐功能层的多层结构，能够提供涂层的硬度、抗腐蚀性和导电性，进而有助于提升半导体器件的硬度、抗腐蚀性和导电性，以使半导体器件电性能的稳定性和可靠性得到进一步提升，从而满足其应用于电子产品中的高要求。

关键词：金属结合层过渡层半导体器件加硬层防腐功能导电性第二表面第一表面半导体器件表面多层结构相对设置依次设置电性能衬底电子产品半导体配置申请应用制造

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