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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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文献类型

189 篇 专利

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189 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

机构

23 篇 中芯国际集成电路...
20 篇 上海华力微电子有...
11 篇 安集微电子有限公...
10 篇 上海华虹宏力半导...
5 篇 安集微电子科技有...
4 篇 中科见微智能装备...
4 篇 长鑫存储技术有限...
4 篇 上海华力集成电路...
3 篇 苏州能讯高能半导...
3 篇 华虹半导体有限公...
3 篇 中国科学院微电子...
3 篇 安集微电子科技股...
3 篇 长江存储科技有限...
3 篇 三洋电机株式会社
2 篇 和舰科技有限公司
2 篇 华进半导体封装先...
2 篇 杰华特微电子股份...
2 篇 深圳市日欣工业设...
2 篇 株洲南车时代电气...
2 篇 无锡中微晶园电子...

作者

17 篇 荆建芬
16 篇 蔡鑫元
13 篇 姚颖
11 篇 徐强
8 篇 潘依君
7 篇 宋凯
6 篇 邱腾飞
6 篇 张建
5 篇 李恒
4 篇 葛薇薇
4 篇 刘智勇
4 篇 高嫄
3 篇 卞鹏程
3 篇 冈田喜久雄
3 篇 刘焕新
3 篇 袁俊
3 篇 青野勉
3 篇 杨俊雅
2 篇 佟大明
2 篇 俞柳江

语言

189 篇 中文

检索条件"主题词=半导体器件表面"

共 189 条记录，以下是91-100 订阅

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排序：

一种半导体器件金属薄膜结构及其制作方法

一种半导体器件金属薄膜结构及其制作方法

引用

作者：刘国友张鸿鑫罗海辉谭灿健贺洪露张大华 412001 湖南省株洲市石峰区时代路169号

本发明公开了一种半导体器件金属薄膜结构及其制作方法，包括：形成于芯片的衬底上的导电缓冲层，用于芯片的导电和封装引线键合的缓冲；形成于导电缓冲层上的支撑缓冲层，对整个金属薄膜结构进行支撑和缓冲、保护；形成于支撑缓冲层上... 详细信息

标准号: CN106898582B

本发明公开了一种半导体器件金属薄膜结构及其制作方法，包括：形成于芯片的衬底上的导电缓冲层，用于芯片的导电和封装引线键合的缓冲；形成于导电缓冲层上的支撑缓冲层，对整个金属薄膜结构进行支撑和缓冲、保护；形成于支撑缓冲层上的防腐蚀抗老化层，对金属薄膜结构进行防腐蚀和抗老化保护；形成于防腐蚀抗老化层上的增强层，用于增加防腐蚀抗老化层的硬度和强度，同时改善金属薄膜结构的接触特性。其中，导电缓冲层和支撑缓冲层的位置可以互换。本发明能够解决现有半导体器件表面金属层结构使用寿命低、可靠性差的技术问题，同时本发明金属薄膜结构简单且应力较小，与铝工艺具有较强的兼容性，制造工艺简单，可使用铜引线进行封装，成本较低。

关键词：金属薄膜防腐蚀导电缓冲层抗老化层缓冲层支撑缓冲芯片半导体器件表面半导体器件金属金属层结构薄膜结构封装引线接触特性使用寿命制造工艺兼容性抗老化铝工艺铜引线增强层衬底导电键合封装互换制作

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消除半导体器件表面缺陷的方法及半导体器件

消除半导体器件表面缺陷的方法及半导体器件

引用

作者：韩秋华杜珊珊黄怡赵林林 201203 上海市浦东新区张江路18号

一种消除半导体器件表面缺陷的方法及半导体器件，其中所述消除半导体器件表面缺陷的方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有掺杂的多晶硅层，所述多晶硅层的表面附着有杂质；在所述多晶硅层上形成氧化物牺牲层，所述氧化... 详细信息

标准号: CN101740379B

一种消除半导体器件表面缺陷的方法及半导体器件，其中所述消除半导体器件表面缺陷的方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有掺杂的多晶硅层，所述多晶硅层的表面附着有杂质；在所述多晶硅层上形成氧化物牺牲层，所述氧化物牺牲层将所述杂质溶于其间；去除所述溶有杂质的氧化物牺牲层。使得半导体元件表面原先附着的杂质得以去除，可减少对后续工艺的污染，相对提高产品的良率。

关键词：多晶硅牺牲层氧化物半导体器件表面半导体衬底半导体元件表面半导体器件良率掺杂污染

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防裂聚硅氧烷介电平坦化组合物、方法和膜

防裂聚硅氧烷介电平坦化组合物、方法和膜

引用

作者：海伦·晓·徐黄红敏美国新泽西州

本公开涉及一种用于使半导体器件表面平坦化的组合物，所述组合物包含催化剂、至少一种溶剂以及至少一种聚硅氧烷树脂，所述至少一种聚硅氧烷树脂包含聚倍半硅氧烷嵌段和聚二硅氧烷嵌段。聚二硅氧烷嵌段包括选自以下的至少一种：具有取... 详细信息

标准号: CN111615542A

本公开涉及一种用于使半导体器件表面平坦化的组合物，所述组合物包含催化剂、至少一种溶剂以及至少一种聚硅氧烷树脂，所述至少一种聚硅氧烷树脂包含聚倍半硅氧烷嵌段和聚二硅氧烷嵌段。聚二硅氧烷嵌段包括选自以下的至少一种：具有取代或未取代的碳的芳基基团或烷基基团。

关键词：嵌段聚硅氧烷树脂聚二硅氧烷半导体器件表面聚倍半硅氧烷芳基基团烷基基团平坦化溶剂催化剂

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一种化学机械抛光液

一种化学机械抛光液

引用

作者：姚颖荆建芬黄悦锐李恒蔡鑫元卞鹏程 201203 上海市浦东新区张江高科技园区碧波路889号1幢E座第1至第2层以及第3层的部分区域

本发明公开了一种化学机械抛光液，所述抛光液包含研磨颗粒、金属缓蚀剂、络合剂、氧化剂，磷酸酯类表面活性剂和水。本发明的抛光液解决了在抛光过程中超低介电常数材料(ULK)去除速率选择比不易控制的问题，并满足阻挡层抛光工艺中对... 详细信息

标准号: CN111378367A

本发明公开了一种化学机械抛光液，所述抛光液包含研磨颗粒、金属缓蚀剂、络合剂、氧化剂，磷酸酯类表面活性剂和水。本发明的抛光液解决了在抛光过程中超低介电常数材料(ULK)去除速率选择比不易控制的问题，并满足阻挡层抛光工艺中对钽、二氧化硅(TEOS)、铜和超低介电常数材料(ULK)的去除速率及去除速率选择比的要求，且对半导体器件表面的形貌有很强的矫正能力，快速实现平坦化，提高工作效率，降低生产成本。

关键词：去除超低介电常数材料速率选择抛光液磷酸酯类表面活性剂半导体器件表面化学机械抛光液形貌氧化剂金属缓蚀剂二氧化硅工作效率抛光工艺抛光过程研磨颗粒络合剂平坦化阻挡层矫正

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一种化学机械抛光液及其应用

一种化学机械抛光液及其应用

引用

作者：宋凯姚颖荆建芬蔡鑫元汪国豪李恒 201203 上海市浦东新区张江高科技园区碧波路889号1幢E座第1至第2层以及第3层的部分区域

本发明公开了一种化学机械抛光液，所述抛光液包含研磨颗粒、金属缓蚀剂、络合剂、氧化剂，阴离子型氟碳表面活性剂和水。本发明的抛光液具有高的阻挡层和二氧化硅(TEOS)的去除速率，并能很好的控制超低介电常数材料(ULK)的去除速率，... 详细信息

标准号: CN111378382A

本发明公开了一种化学机械抛光液，所述抛光液包含研磨颗粒、金属缓蚀剂、络合剂、氧化剂，阴离子型氟碳表面活性剂和水。本发明的抛光液具有高的阻挡层和二氧化硅(TEOS)的去除速率，并能很好的控制超低介电常数材料(ULK)的去除速率，同时对半导体器件表面的形貌有很强的矫正能力，快速实现平坦化，提高工作效率，降低生产成本。

关键词：抛光液去除超低介电常数材料半导体器件表面氟碳表面活性剂化学机械抛光液形貌氧化剂金属缓蚀剂二氧化硅工作效率研磨颗粒阴离子型络合剂平坦化阻挡层矫正

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α粒子有效通量的分析方法、装置及计算机存储介质

α粒子有效通量的分析方法、装置及计算机存储介质

引用

作者：张战刚雷志锋黄云彭超何玉娟肖庆中路国光恩云飞 511300 广东省广州市增城区朱村街朱村大道西78号

本发明涉及一种α粒子有效通量的分析方法、装置及计算机存储介质，分析方法包括：根据放射源辐照试验平台构建分析仿真模型，分析仿真模型包括放射源和半导体器件，放射源位于半导体器件上方；进行仿真试验，以使放射源发射α粒子，并... 详细信息

标准号: CN111709120A

本发明涉及一种α粒子有效通量的分析方法、装置及计算机存储介质，分析方法包括：根据放射源辐照试验平台构建分析仿真模型，分析仿真模型包括放射源和半导体器件，放射源位于半导体器件上方；进行仿真试验，以使放射源发射α粒子，并记录到达半导体器件表面的有效α粒子数量；根据有效α粒子数量和放射源发射的α粒子数量获取有效因子；根据有效因子和放射源的α粒子发射率获取到达半导体器件表面的α粒子有效通量。由于所获得的α粒子有效通量是根据有效因子确定，而该有效因子考虑了放射源与半导体之间的空间几何效应和气体层的屏蔽效应，因而可以保证所获得的α粒子有效通量的准确度，大大减小了半导体器件α粒子软错误率试验的误差。

关键词：粒子放射源有效通量有效因子半导体器件半导体器件表面分析仿真计算机存储介质放射源辐照仿真试验屏蔽效应软错误率试验平台数量获取准确度发射率气体层发射构建减小半导体分析记录试验保证

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位姿检测方法及系统

位姿检测方法及系统

引用

作者：彭明杨延竹柳俊先刘春燕于波张华尹程斌 518000 广东省深圳市南山区粤海街道海德三道168号航天科技广场B座1902室

本发明公开了一种位姿检测方法及系统。其中，位姿检测方法，包括：测待检测元件并生成检测信号；通过所述检测信号触发二维检测器件并对所述待检测元件的位置信息、姿态信息进行检测；测所述待检测元件的立体信息；据所述姿态信息、所... 详细信息

标准号: CN111906043A

本发明公开了一种位姿检测方法及系统。其中，位姿检测方法，包括：测待检测元件并生成检测信号；通过所述检测信号触发二维检测器件并对所述待检测元件的位置信息、姿态信息进行检测；测所述待检测元件的立体信息；据所述姿态信息、所述立体信息判断所述待检测元件是否为不良元件，并生成不良元件的位置信息；根据所述不良元件的位置信息对所述不良元件进行剔除。上述位姿检测方法通过检测半导体器件表面的参数，从而有效地检测半导体器件是否符合标准。

关键词：不良元件检测位姿检测检测信号立体信息姿态信息半导体器件表面半导体器件二维检测有效地触发剔除

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一种推阱工艺

一种推阱工艺

引用

作者：陈敏徐远欧新华袁琼符志岗刘宗金 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路2277弄7号楼

本发明涉及二极管的优化领域，尤其涉及一种应用于TVS二极管的推阱工艺，于一反应炉管内进行，包括：第一升温阶段，通入惰性气体至所述反应炉管，以使放置于所述反应炉管内的半导体器件被所述惰性气体包围；第二升温阶段，通入氧气至... 详细信息

标准号: CN106206266B

本发明涉及二极管的优化领域，尤其涉及一种应用于TVS二极管的推阱工艺，于一反应炉管内进行，包括：第一升温阶段，通入惰性气体至所述反应炉管，以使放置于所述反应炉管内的半导体器件被所述惰性气体包围；第二升温阶段，通入氧气至所述反应炉管，以在所述半导体器件的表面生成薄氧化层；恒温阶段及降温阶段，继续通入所述惰性气体至所述反应炉管，以使所述半导体器件在所述惰性气体的氛围下继续所述推阱工艺；其中，在所述第二升温阶段，还通入二氯乙烯气体至所述反应炉管，以吸附所述反应炉管内部以及所述半导体器件表面的钠离子杂质。

关键词：反应炉管惰性气体半导体器件升温阶段半导体器件表面钠离子杂质二极管薄氧化层二氯乙烯恒温阶段降温阶段吸附氧气包围应用优化

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一种用于阻挡层平坦化的化学机械抛光液及其使用方法

一种用于阻挡层平坦化的化学机械抛光液及其使用方法

引用

作者：姚颖荆建芬邱腾飞蔡鑫元张建 201203 上海市浦东新区张江高科技园区龙东大道3000号5号楼602室

本发明公开了一种用于阻挡层平坦化的化学机械抛光液，该抛光液含有研磨颗粒、腐蚀抑制剂、铜表面保护剂、络合剂、聚乙烯吡咯烷酮，氧化剂和水。本发明的化学机械抛光液可以满足阻挡层抛光过程中对各种材料的抛光速率和选择比要求，对... 详细信息

标准号: CN104745088B

本发明公开了一种用于阻挡层平坦化的化学机械抛光液，该抛光液含有研磨颗粒、腐蚀抑制剂、铜表面保护剂、络合剂、聚乙烯吡咯烷酮，氧化剂和水。本发明的化学机械抛光液可以满足阻挡层抛光过程中对各种材料的抛光速率和选择比要求，对半导体器件表面的缺陷有很强的矫正能力，快速实现平坦化，且可防止金属抛光过程中产生的局部和整体腐蚀，提高工作效率，降低生产成本。

关键词：化学机械抛光液平坦化阻挡层半导体器件表面聚乙烯吡咯烷酮铜表面保护剂氧化剂腐蚀抑制剂工作效率金属抛光抛光过程研磨颗粒整体腐蚀络合剂抛光液速率和选择比抛光矫正

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一种半导体器件刻蚀方法

一种半导体器件刻蚀方法

引用

作者：肖培 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

本发明揭示了一种半导体器件的刻蚀方法，在半导体衬底上依次沉积导电层、隔离层、氧化层、底部消反射涂层以及光刻胶层，将光刻胶层图案化，刻蚀露出的消反射涂层以及部分氧化层，然后使用无氧气的刻蚀气体继续刻蚀，使得半导体器件所... 详细信息

标准号: CN104733306B

本发明揭示了一种半导体器件的刻蚀方法，在半导体衬底上依次沉积导电层、隔离层、氧化层、底部消反射涂层以及光刻胶层，将光刻胶层图案化，刻蚀露出的消反射涂层以及部分氧化层，然后使用无氧气的刻蚀气体继续刻蚀，使得半导体器件所有部位表面沉积聚合物，用氧气清洗掉凹槽或凹孔底部表面的聚合物，按照方法需求继续刻蚀。本发明通过在氧化层蚀刻出凹孔或者凹槽后，在孔底或者槽底预留一层氧化层，然后使用无氧气的刻蚀气体进行轰击，当氧化层以及孔底部分物质被刻蚀后，孔底或者槽底以及半导体器件表面产生保护性地聚合物，可以保护防止刻蚀气体刻穿孔底或者槽底，也防止表面的氧化层产生腐蚀，达到有效地保护半导体器件的表面以及蚀刻孔底或者槽底物质层的目的。

关键词：氧化层刻蚀半导体器件刻蚀气体氧气消反射涂层光刻胶层聚合物凹孔半导体器件表面沉积导电层沉积聚合物氧化层蚀刻部位表面底部表面隔离层蚀刻孔图案化物质层有效地穿孔衬底轰击半导体预留清洗腐蚀

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