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  • 189 篇 专利

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  • 189 篇 电子文献
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作者

  • 17 篇 荆建芬
  • 16 篇 蔡鑫元
  • 13 篇 姚颖
  • 11 篇 徐强
  • 8 篇 潘依君
  • 7 篇 宋凯
  • 6 篇 邱腾飞
  • 6 篇 张建
  • 5 篇 李恒
  • 4 篇 葛薇薇
  • 4 篇 刘智勇
  • 4 篇 高嫄
  • 3 篇 卞鹏程
  • 3 篇 冈田喜久雄
  • 3 篇 刘焕新
  • 3 篇 袁俊
  • 3 篇 青野勉
  • 3 篇 杨俊雅
  • 2 篇 佟大明
  • 2 篇 俞柳江

语言

  • 189 篇 中文
检索条件"主题词=半导体器件表面"
189 条 记 录,以下是101-110 订阅
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电子束检测样品及检测方法
电子束检测样品及检测方法
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作者: 李丰阳 黄仁德 方桂芹 223302 江苏省淮安市淮阴区长江东路599号
一种电子束检测样品及检测方法,检测方法包括提供晶圆,所述晶圆表面形成有半导体器件;在所述半导体器件表面覆盖氧化层;电子束照射所述半导体器件,利用逸出的二次电子来反应被检测的所述半导体器件表面的形貌特征,在所述半导体器... 详细信息
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一种防止铜氧化扩散的方法
一种防止铜氧化扩散的方法
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作者: 殷原梓 201203 上海市浦东新区张江路18号
本发明提供一种防止铜氧化扩散的方法,所述方法包括步骤:首先,提供半导体器件,所述半导体器件至少包括衬底和制作在所述衬底表面的铜金属层,清洗所述半导体器件表面;然后在所述半导体器件表面滴加丙酮,并在丙酮表面平铺多晶硅... 详细信息
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一种化学机械抛光液
一种化学机械抛光液
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作者: 姚颖 荆建芬 卞鹏程 潘依君 李恒 宋凯 杨俊雅 马健 201203 上海市浦东新区张江高科技园区碧波路889号1幢E座第1至第2层 以及第3层的部分区域
本发明公开了一种化学机械抛光液及其在阻挡层平坦化中的应用,所述抛光液包含研磨颗粒、唑类化合物、络合剂、一种非离子表面活性剂和氧化剂。本发明的化学机械抛光液可以满足阻挡层抛光过程中对各种材料的抛光速率和选择比要求,对半... 详细信息
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间隙填充介电材料
间隙填充介电材料
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作者: 雅米妮·潘迪 海伦·晓·徐 约瑟夫·T·肯尼迪 美国新泽西州
本发明公开了一种用于使半导体器件表面平面化的组合物,该组合物包含聚(甲基倍半硅氧烷)树脂;季铵盐和氨基丙基三乙氧基硅烷盐中的至少一者;以及至少一种溶剂。聚(甲基倍半硅氧烷)树脂在该组合物的1重量%至40重量%的范围内。聚(甲... 详细信息
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一种半导体器件及其制作方法
一种半导体器件及其制作方法
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作者: 蒙韬 陈彦伯 荣楠 吴承欢 201203 上海市浦东新区张江路18号
本发明提供一种半导体器件及其制作方法,所述方法包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底的源漏区形成有凹槽;在所述凹槽的底部和侧壁上形成内衬层;在所述内衬层的表面形成种子层。根据本发明提供的半导体器件的制作方法,首先在所述... 详细信息
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半导体器件及其制造方法
半导体器件及其制造方法
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作者: 裴轶 刘飞航 215300 江苏省苏州市昆山市高新区晨丰路18号
本发明提供了一种半导体器件及其制造方法,涉及半导体技术领域。根据一个实施方式的半导体器件包括:衬底;位于所述衬底一侧的半导体层;位于所述半导体层远离所述衬底一侧的源极、漏极及位于所述源极和漏极之间的栅极;设置在所述半... 详细信息
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一种化学机械抛光液
一种化学机械抛光液
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作者: 姚颖 卞鹏程 潘依君 荆建芬 李恒 张建 蔡鑫元 马健 201203 上海市浦东新区张江高科技园区碧波路889号1幢E座第1至第2层 以及第3层的部分区域
本发明公开了一种用于阻挡层平坦化的化学机械抛光液及其使用方法,该抛光液包含研磨颗粒、唑类化合物、络合剂、聚乙烯吡咯烷酮和氧化剂。本发明的化学机械抛光液可以满足阻挡层抛光过程中对各种材料的抛光速率和选择比要求,对半导体... 详细信息
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去除光刻胶的后处理方法及互连层结构的制作方法
去除光刻胶的后处理方法及互连层结构的制作方法
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作者: 刘焕新 201203 上海市浦东新区张江路18号
本申请提供了一种去除光刻胶的后处理方法及互连层结构的制作方法。其中,去除光刻胶的后处理方法中,光刻胶是采用NMP溶液刻蚀去除,该后处理方法包括:采用臭氧水对去除光刻胶后的半导体器件进行第一次清洗;采用去离子水对第一次清... 详细信息
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一种用于阻挡层平坦化的化学机械抛光液
一种用于阻挡层平坦化的化学机械抛光液
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作者: 蔡鑫元 姚颖 荆建芬 潘依君 杜玲曦 宋凯 张建 杨俊雅 王雨春 201201 上海市浦东新区华东路5001号金桥出口加工区(南区)T6-9幢底层
本发明公开了一种用于阻挡层平坦化的化学机械抛光液及其应用,该抛光液包含二氧化硅颗粒、唑类化合物、络合剂、硅氧烷类表面活性剂和氧化剂。本发明的化学机械抛光液可以满足阻挡层抛光过程中对各种材料的抛光速率和选择比要求,对半... 详细信息
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一种用于阻挡层平坦化的化学机械抛光液
一种用于阻挡层平坦化的化学机械抛光液
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作者: 高嫄 荆建芬 潘依君 蔡鑫元 201201 上海市浦东新区华东路5001号金桥出口加工区(南区)T6-9幢底层
本发明涉及一种用于阻挡层平坦化的化学机械抛光液,包含研磨颗粒、唑类化合物、有机/无机酸、氧化剂和水,还包含含硅有机化合物及聚酰胺胺超支化聚合物PAMAM。本发明提供的抛光液实现了在酸性抛光环境下,阻挡层抛光过程中,可以满足... 详细信息
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