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文字说明：

T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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文献类型

189 篇 专利

馆藏范围

189 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

机构

23 篇 中芯国际集成电路...
20 篇 上海华力微电子有...
11 篇 安集微电子有限公...
10 篇 上海华虹宏力半导...
5 篇 安集微电子科技有...
4 篇 中科见微智能装备...
4 篇 长鑫存储技术有限...
4 篇 上海华力集成电路...
3 篇 苏州能讯高能半导...
3 篇 华虹半导体有限公...
3 篇 中国科学院微电子...
3 篇 安集微电子科技股...
3 篇 长江存储科技有限...
3 篇 三洋电机株式会社
2 篇 和舰科技有限公司
2 篇 华进半导体封装先...
2 篇 杰华特微电子股份...
2 篇 深圳市日欣工业设...
2 篇 株洲南车时代电气...
2 篇 无锡中微晶园电子...

作者

17 篇 荆建芬
16 篇 蔡鑫元
13 篇 姚颖
11 篇 徐强
8 篇 潘依君
7 篇 宋凯
6 篇 邱腾飞
6 篇 张建
5 篇 李恒
4 篇 葛薇薇
4 篇 刘智勇
4 篇 高嫄
3 篇 卞鹏程
3 篇 冈田喜久雄
3 篇 刘焕新
3 篇 袁俊
3 篇 青野勉
3 篇 杨俊雅
2 篇 佟大明
2 篇 俞柳江

语言

189 篇 中文

检索条件"主题词=半导体器件表面"

共 189 条记录，以下是151-160 订阅

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详细简洁

排序：

喷墨可印刷的蚀刻油墨及相关方法

喷墨可印刷的蚀刻油墨及相关方法

引用

作者： O·多尔 E·普鲁默 M·詹姆斯 I·科勒 L·南森德国达姆施塔特

本发明涉及将新的蚀刻组合物无接触地沉积到半导体器件表面上的方法，以及涉及随后的对位于这些半导体器件顶部的功能层进行蚀刻的方法。所述功能层可以作为表面钝化层和/或抗反射涂层(ARC)。

标准号: CN102498188B

关键词：功能层半导体器件表面蚀刻半导体器件蚀刻组合物钝化层抗反射无接触沉积顶部

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推测缺陷部判断设备、推测缺陷部判断方法、半导体器件的制造方法和程序

推测缺陷部判断设备、推测缺陷部判断方法、半导体器件的制造方法...

引用

作者：出羽恭子平田达司郎涩木俊一日本东京

本发明公开了一种推测缺陷部判断设备、推测缺陷部判断方法、半导体器件的制造方法和程序，所述推测缺陷部判断设备包括：计算操作部，其用于将表示半导体器件表面上的级差分布的级差数据中所包括的级差沿所述级差的深度方向分割为两个... 详细信息

标准号: CN103227122A

本发明公开了一种推测缺陷部判断设备、推测缺陷部判断方法、半导体器件的制造方法和程序，所述推测缺陷部判断设备包括：计算操作部，其用于将表示半导体器件表面上的级差分布的级差数据中所包括的级差沿所述级差的深度方向分割为两个以上单位级差，并确定在通过所述分割获得的每个所述单位级差的上表面的级差位置处的等高线的高度和由所述等高线围绕的开口的面积之间的关系，以判断存在或不存在推测缺陷部。通过本发明，不仅考虑级差值，而且考虑级差的形状来进行推测缺陷部的判断。如果使用判断结果而采取合适的措施，则在研磨之后可制造出高度平坦的半导体器件，进而可预期半导体器件的质量改善。

关键词：级差缺陷部推测半导体器件等高线半导体器件表面计算操作深度方向质量改善研磨上表面分割开口平坦

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制作半导体器件的方法

制作半导体器件的方法

引用

作者：蒋莉黎铭琦朱普磊曹均助 201203 上海市浦东新区张江路18号

本发明公开了一种制作半导体器件的方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有伪栅极和用于形成金属栅极的填充开口，所述半导体衬底上还形成有包围所述伪栅极和所述填充开口的层间介电层；在所述伪栅极和所述层间介电层上以... 详细信息

标准号: CN103094210A

本发明公开了一种制作半导体器件的方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有伪栅极和用于形成金属栅极的填充开口，所述半导体衬底上还形成有包围所述伪栅极和所述填充开口的层间介电层；在所述伪栅极和所述层间介电层上以及所述填充开口内形成金属层；执行化学机械研磨工艺去除所述填充开口以外的所述金属层，以形成所述金属栅极；以及使用有机碱性溶液执行清洗工艺以去除所述伪栅极表面的研磨残留物。通过在执行化学机械研磨工艺以形成金属栅极之后，采用有机碱性溶液对半导体器件表面进行清洗可以有效去除粘附在伪栅极表面的研磨残留物，进而避免这些研磨残留物成为后续工艺的缺陷源，并避免阻碍后续工艺去除伪栅极。

关键词：填充开口半导体衬底研磨残留物金属栅极化学机械研磨工艺有机碱性溶液层间介电层栅极表面金属层半导体器件表面半导体器件清洗工艺缺陷源粘附

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半导体器件制造方法

半导体器件制造方法

引用

作者：陈振兴叶彬 201203 上海市浦东新区张江路18号

本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括：提供半导体器件衬底，在所述衬底上形成有栅极结构；在所述半导体器件表面沉积至少1层结构的薄膜，所述薄膜厚度为1～6nm；对所述半导体器件进行HALO、LDD注入或者SD注入。本发明省去了回刻... 详细信息

标准号: CN103178010A

本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括：提供半导体器件衬底，在所述衬底上形成有栅极结构；在所述半导体器件表面沉积至少1层结构的薄膜，所述薄膜厚度为1～6nm；对所述半导体器件进行HALO、LDD注入或者SD注入。本发明省去了回刻过程，避免了回刻过程对衬底的侵蚀而导致衬底材料流失和/或衬底掺杂成分的流失，或者对底层薄膜厚度均匀性以及掺杂成分分布均匀性的影响，提高了半导体器件性能。在半导体器件表面沉积的至少1层结构的薄膜厚度为1～6nm，可以保证在之后进行的HALO、LDD注入或者SD注入过程中，注入离子轻易穿透该至少1层结构的薄膜，保证HALO、LDD注入或者SD注入的有效性。本发明同时简化了半导体器件制造前段工艺过程，降低了产品制造成本。

关键词：半导体器件衬底层结构半导体器件表面薄膜厚度沉积薄膜掺杂半导体器件性能产品制造成本厚度均匀性衬底材料成分分布底层薄膜前段工艺栅极结构均匀性离子穿透侵蚀

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半导体器件的保护电路

半导体器件的保护电路

引用

作者：周华阳宋永梁 201203 上海市浦东新区张江路18号

本发明提供一种半导体器件的保护电路，所述半导体器件包括MOSFET，该保护电路包括一PNP晶体管或NPN晶体管，且PNP晶体管的一个P型半导体或NPN晶体管的一个N型半导体接地。半导体器件中的保护电路既能确保半导体器件能避免等离子体造成... 详细信息

标准号: CN103187411A

本发明提供一种半导体器件的保护电路，所述半导体器件包括MOSFET，该保护电路包括一PNP晶体管或NPN晶体管，且PNP晶体管的一个P型半导体或NPN晶体管的一个N型半导体接地。半导体器件中的保护电路既能确保半导体器件能避免等离子体造成的损伤，又能确保半导体器件能进行TDDB、Charge Pumping、AC NBTI等可靠性测试，进而能全面、正确评估半导体器件的可靠性。并且，半导体器件进行等离子体加工时，该保护电路能确保半导体器件表面的电荷被完全导走，避免累积电荷对半导体器件造成损伤，提高了半导体器件的性能。

关键词：半导体器件晶体管电路电荷半导体损伤半导体器件表面等离子体加工等离子体可靠性测试正确评估接地累积全面

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一种碱性化学机械抛光液

一种碱性化学机械抛光液

引用

作者：何华锋王晨 201203 上海市浦东新区张江高科技园区龙东大道3000号5号楼602室

本发明涉及一种碱性化学机械抛光液，含有：研磨颗粒，唑类化合物，C1～C4季铵碱的一种或者多种，氧化剂，水和pH调节剂，所述抛光液的pH值为8～12。该抛光液实现在碱性抛光环境下，可以满足阻挡层抛光过程中对各种材料的抛光速率和选... 详细信息

标准号: CN103205205A

本发明涉及一种碱性化学机械抛光液，含有：研磨颗粒，唑类化合物，C₁～C₄季铵碱的一种或者多种，氧化剂，水和pH调节剂，所述抛光液的pH值为8～12。该抛光液实现在碱性抛光环境下，可以满足阻挡层抛光过程中对各种材料的抛光速率和选择比要求，对半导体器件表面的缺陷有很强的矫正能力，快速实现平坦化，提高工作效率，降低生产成本。

关键词：抛光液半导体器件表面氧化剂工作效率碱性化学碱性抛光矫正能力快速实现抛光过程抛光速率研磨颗粒调节剂阻挡层化合物唑类铵碱生产成本平坦

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处理背照式光电二极管的系统和方法

处理背照式光电二极管的系统和方法

引用

作者：张简旭珂陈科维郑志成洪敏皓中国台湾新竹

本发明涉及处理半导体器件表面从而减小暗电流和白像素异常的系统和方法。一个实施例包括一种应用于半导体或光电二极管器件表面的方法，该光电二极管器件表面与感光区域相邻并且与用于该器件的具有电路结构的面相对。可以在衬底的表面... 详细信息

标准号: CN103456834A

本发明涉及处理半导体器件表面从而减小暗电流和白像素异常的系统和方法。一个实施例包括一种应用于半导体或光电二极管器件表面的方法，该光电二极管器件表面与感光区域相邻并且与用于该器件的具有电路结构的面相对。可以在衬底的表面之下任选地生成深度小于大约10纳米的掺杂层并且该掺杂层可以掺杂大约1E13和1E16之间的硼浓度。可以使用足以将表面粗糙度降低到预设的粗糙度阈值以下的温度，任选地在大约300℃和500℃之间的温度下，在衬底上生成氧化物并且其厚度约在1纳米和10纳米之间。然后，可以在该氧化物上形成电介质，该电介质具有大于预设折射阈值的折射率，任选地至少约为2.0。本发明提供处理背照式光电二极管的系统和方法。

关键词：电介质光电二极管器件掺杂氧化物衬底半导体器件表面表面粗糙度光电二极管电路结构感光区域粗糙度折射率像素电流半导体小于大于

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改善表面结合力的方法

改善表面结合力的方法

引用

作者：章国伟佟大明何智清李兵刘瑛 201203 上海市浦东新区张江路18号

一种改善表面结合力的方法，包括：提供半导体器件；采用单乙基醚丙二醇和丙二醇单甲醚乙酸酯的混合溶液清洗所述半导体器件的表面；在所述半导体器件的表面形成低温固化介电材料。本发明在不影响半导体器件性能的前提下，可以提高低温... 详细信息

标准号: CN103367107A

一种改善表面结合力的方法，包括：提供半导体器件；采用单乙基醚丙二醇和丙二醇单甲醚乙酸酯的混合溶液清洗所述半导体器件的表面；在所述半导体器件的表面形成低温固化介电材料。本发明在不影响半导体器件性能的前提下，可以提高低温固化介电材料在半导体器件表面上的结合力，防止低温固化介电材料脱落。

关键词：半导体器件低温固化介电材料结合力半导体器件表面影响半导体器件混合溶液甲醚乙酸丙二醇单乙基醚脱落

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一种太阳能电池正面电极用导电浆料

一种太阳能电池正面电极用导电浆料

引用

作者：李春生 102609 北京市大兴区北臧村天荣街32号

本发明属于对辐射能转换为电能的半导体器件表面浆料领域，具体涉及一种太阳能电池正面电极用导电浆料及其制备方法，该导电浆料的原料中含有导电粉、有机载体、玻璃粉、功能添加剂。本发明在银粉、玻璃粉和有机载体的成分基础上，根据... 详细信息

标准号: CN103077764A

本发明属于对辐射能转换为电能的半导体器件表面浆料领域，具体涉及一种太阳能电池正面电极用导电浆料及其制备方法，该导电浆料的原料中含有导电粉、有机载体、玻璃粉、功能添加剂。本发明在银粉、玻璃粉和有机载体的成分基础上，根据半导体和太阳能电池生产的特点，加入分散剂、触变剂、提高电接触性的添加剂等各种功能添加剂，能够增加太阳能电池导电性能，可提高电池转换效率；本发明原料中的导电粉、有机载体、玻璃粉、功能添加剂的选择和配比适宜，所以各个原料协同作用，共同大幅度提高电池转换效率。

关键词：功能添加剂太阳能电池有机载体电池转换效率导电浆料导电粉玻璃辐射能半导体器件表面导电性能发明原料正面电极制备方法触变剂电接触分散剂浆料配比银粉添加剂半导体转换

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一种制备自对准镍硅化物的方法

一种制备自对准镍硅化物的方法

引用

作者：孔祥涛韩晓刚张旭升陈建维 201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号

本发明提供一种制备自对准镍硅化物的方法，首先，在包含源/漏裸露的半导体器件表面依次沉积第一含Pt镍薄膜层、第二含Pt镍薄膜层；其次，对器件进行第一次高温退火，并刻蚀除去高温退火后的器件中未反应的含Pt镍薄膜层；最后，对器件... 详细信息

标准号: CN102723268A

本发明提供一种制备自对准镍硅化物的方法，首先，在包含源/漏裸露的半导体器件表面依次沉积第一含Pt镍薄膜层、第二含Pt镍薄膜层；其次，对器件进行第一次高温退火，并刻蚀除去高温退火后的器件中未反应的含Pt镍薄膜层；最后，对器件进行第二次高温退火形成均匀的低电阻硅化物，其中第一含Pt镍薄膜层中的铂量不低于第二铂镍薄膜层种的含量。本发明提供的方法中，先沉积的镍薄膜中Pt与硅反应形成硅化物以后，形成一道壁垒，可以抑止后续镍向硅的急速扩散，阻止NiSi转变为NiSi₂。相对于传统的一次沉积高含量Pt的镍薄膜工艺，可显著降低生产成本。

关键词：薄膜层高温退火沉积对器件半导体器件表面反应形成硅化物薄膜工艺镍硅化物低电阻高含量硅化物自对准铂量刻蚀薄膜生产成本壁垒扩散转变

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