检索结果-内蒙古大学图书馆

您好，读者！请登录

内蒙古大学图书馆

首页
概况
党建
资源
服务
科研支持
- 论文收录引用证明
- 科技查新
知识产权
档案馆
帮助

咨询与建议

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

您的常用邮箱：*

您的手机号码：*

问题描述：

当前已输入0个字，您还可以输入200个字

全部搜索
期刊论文
图书
学位论文
标准
纸本馆藏
外文资源发现
数据库导航
超星发现

高级检索

时间限定

出版年份：

文献类型

图书期刊文献学位论文多媒体

馆藏选择

电子馆藏纸本馆藏

核心期刊

全部期刊 SCI 收录期刊 SSCI 收录期刊 EI 收录期刊 CSCD 收录期刊 CSSCI 收录期刊

语言

中文英文

文献类型

期刊文献图书学位论文标准纸本馆藏

帮助

文字说明：

T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

分类表

所选分类

>> <<

限定检索结果

文献类型

189 篇 专利

馆藏范围

189 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

机构

23 篇 中芯国际集成电路...
20 篇 上海华力微电子有...
11 篇 安集微电子有限公...
10 篇 上海华虹宏力半导...
5 篇 安集微电子科技有...
4 篇 中科见微智能装备...
4 篇 长鑫存储技术有限...
4 篇 上海华力集成电路...
3 篇 苏州能讯高能半导...
3 篇 华虹半导体有限公...
3 篇 中国科学院微电子...
3 篇 安集微电子科技股...
3 篇 长江存储科技有限...
3 篇 三洋电机株式会社
2 篇 和舰科技有限公司
2 篇 华进半导体封装先...
2 篇 杰华特微电子股份...
2 篇 深圳市日欣工业设...
2 篇 株洲南车时代电气...
2 篇 无锡中微晶园电子...

作者

17 篇 荆建芬
16 篇 蔡鑫元
13 篇 姚颖
11 篇 徐强
8 篇 潘依君
7 篇 宋凯
6 篇 邱腾飞
6 篇 张建
5 篇 李恒
4 篇 葛薇薇
4 篇 刘智勇
4 篇 高嫄
3 篇 卞鹏程
3 篇 冈田喜久雄
3 篇 刘焕新
3 篇 袁俊
3 篇 青野勉
3 篇 杨俊雅
2 篇 佟大明
2 篇 俞柳江

语言

189 篇 中文

检索条件"主题词=半导体器件表面"

共 189 条记录，以下是21-30 订阅

全选清除本页清除全部题录导出标记到"检索档案"

详细简洁

排序：

一种半导体器件表面厚度均一化方法

一种半导体器件表面厚度均一化方法

引用

作者：纪登峰 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

本发明揭示了一种半导体器件表面厚度均一化方法，在半导体衬底上形成金属线路层之后，依次沉积氮化硅层与二氧化硅层，然后研磨掉金属线路上方的二氧化硅层。本发明通过在金属线路层完成之后，依次沉积氮化硅层与二氧化硅层，二氧化硅... 详细信息

标准号: CN104851838A

本发明揭示了一种半导体器件表面厚度均一化方法，在半导体衬底上形成金属线路层之后，依次沉积氮化硅层与二氧化硅层，然后研磨掉金属线路上方的二氧化硅层。本发明通过在金属线路层完成之后，依次沉积氮化硅层与二氧化硅层，二氧化硅层的厚度比现有技术中需要沉积的二氧化硅厚度减少4～5μm，沉积完成后，采用化学机械研磨二氧化硅层，直至金属线路上的氮化硅层暴露，继续研磨，当二氧化硅完全被研磨去除后，氮化硅层仍能够完全覆盖金属线路，且经研磨后氮化硅表面与其它部分厚度较为一致。因此本发明降低了二氧化硅的研磨量，且通过继续研磨半导体器件表面，利用氮化硅的耐研磨性，控制半导体器件表面各处厚度的均一性。

关键词：二氧化硅金属线路研磨半导体器件表面沉积氮化硅层氮化硅层沉积二氧化硅厚度化学机械研磨完全覆盖金属半导体衬底氮化硅表面研磨半导体器件表面氮化硅研磨量研磨性

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

一种半导体器件的制备方法及半导体器件

一种半导体器件的制备方法及半导体器件

引用

作者：魏琪袁家贵 312035 浙江省绍兴市越城区皋埠街道临江路508号

本申请涉及一种半导体器件的制备方法及半导体器件，所述方法包括：提供衬底，所述衬底的第一表面上已完成半导体器件表面金属以下所有工艺制程；在所述衬底第一表面上形成第一电镀种子层；对所述衬底的第二表面进行减薄，并在减薄后的... 详细信息

标准号: CN118136514A

本申请涉及一种半导体器件的制备方法及半导体器件，所述方法包括：提供衬底，所述衬底的第一表面上已完成半导体器件表面金属以下所有工艺制程；在所述衬底第一表面上形成第一电镀种子层；对所述衬底的第二表面进行减薄，并在减薄后的所述衬底的第二表面上形成第二电镀种子层；执行双面金属电镀步骤以分别在所述第一电镀种子层和所述第二电镀种子层上形成第一电镀金属层和第二电镀金属层；在所述第一电镀金属层表面形成图案化的钝化层，并露出部分所述第一电镀金属层的表面。本申请中的方法具体平衡正背面应力，以避免出现翘曲的效果。

关键词：衬底电镀金属层电镀种子层半导体器件第二表面第一表面减薄半导体器件表面表面形成图案双面金属钝化层正背面电镀翘曲制备制程申请金属平衡

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

半导体器件的形成方法及清洗液

半导体器件的形成方法及清洗液

引用

作者：陈天锐 201203 上海市浦东新区张江路18号

本发明提供一种清洗液及半导体器件的形成方法，其中清洗液用于清洗含有铝的界面，包括：螯合剂；缓蚀剂；有机胺类；以及水；利用清洗液清洗含有铝的界面的过程中，利用螯合剂中两个以上的配位原子与含铝的残留物中的铝元素形成环状配... 详细信息

标准号: CN118006400A

本发明提供一种清洗液及半导体器件的形成方法，其中清洗液用于清洗含有铝的界面，包括：螯合剂；缓蚀剂；有机胺类；以及水；利用清洗液清洗含有铝的界面的过程中，利用螯合剂中两个以上的配位原子与含铝的残留物中的铝元素形成环状配合物即螯合物，再利用亲水基团的性质增强溶解；另外缓蚀剂与含铝的残留物中的铝原子表面形成配位形成惰性基团，惰性基团起到抑制清洗液对半导体器件的损伤作用；并且有机胺类使得清洗液能够呈碱性，使得半导体器件表面得到氧化形成氧化层，一方面能够提升清洗的清洁度，同时减少对半导体器件的损伤，提升半导体器件的良率最终清洗的效果，具有较广泛的使用范围。

关键词：清洗液半导体器件清洗惰性基团有机胺类缓蚀剂螯合剂损伤半导体器件表面清洁度环状配合物表面形成配位原子亲水基团铝元素铝原子氧化层再利用螯合物良率配位溶解

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

半导体器件的制作方法

半导体器件的制作方法

引用

作者：向磊金佩于涛易 214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号

本申请公开了一种半导体器件的制作方法，包括：提供一衬底，衬底上形成有半导体器件，半导体器件之间形成有沟槽；在半导体器件表面覆盖填充物，填充物填充沟槽，填充物具有流动性，覆盖的填充物的上表面为平面；在半导体器件和填充物... 详细信息

标准号: CN113782418B

本申请公开了一种半导体器件的制作方法，包括：提供一衬底，衬底上形成有半导体器件，半导体器件之间形成有沟槽；在半导体器件表面覆盖填充物，填充物填充沟槽，填充物具有流动性，覆盖的填充物的上表面为平面；在半导体器件和填充物上覆盖光阻，对光阻的目标区域进行曝光，显影去除目标区域的光阻，使目标区域的填充物暴露；进行刻蚀，去除目标区域的目标结构；去除光阻和填充物。本申请通过在半导体器件的制作过程中，在对存在沟槽的图形进行光刻前，在半导体器件表面覆盖填充物，从而使得器件上方为平坦的平面，从而避免了由于沟槽存在梯度使得光刻后的光阻容易脱胶，提高了器件的良率。

关键词：填充物半导体器件目标区域光阻去除半导体器件表面覆盖衬底光刻目标结构制作过程上表面刻蚀良率填充脱胶显影申请平坦暴露曝光制作

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

半导体器件测量方法

半导体器件测量方法

引用

作者：李弘祥 230001 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室

该发明涉及一种半导体器件测量方法，能够减小对半导体器件的关键尺寸进行测量时的测量误差。所述半导体器件测量方法，用于使用椭圆偏振干涉光谱仪进行半导体器件的关键尺寸测量，包括以下步骤：根据所述半导体器件的标准件的表面形貌... 详细信息

标准号: CN113571437B

该发明涉及一种半导体器件测量方法，能够减小对半导体器件的关键尺寸进行测量时的测量误差。所述半导体器件测量方法，用于使用椭圆偏振干涉光谱仪进行半导体器件的关键尺寸测量，包括以下步骤：根据所述半导体器件的标准件的表面形貌特征，获取所述半导体器件表面的至少两种最小重复单元；对所述至少两种最小重复单元进行关键尺寸测量，获取所述至少两种最小重复单元的关键尺寸数据；根据所述至少两种最小重复单元的关键尺寸数据，构建所述椭圆偏振干涉光谱仪内关于所述半导体器件的测量模型；根据所述测量模型对所述半导体器件进行关键尺寸测量。

关键词：半导体器件最小重复单元关键尺寸测量测量关键尺寸数据光谱仪测量模型椭圆偏振半导体器件表面表面形貌特征标准件干涉构建减小

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

一种半导体器件塑封用换线移动治具

一种半导体器件塑封用换线移动治具

引用

作者：林智旺林绵芝陈丽珊朱晓虹林少群 518033 广东省深圳市福田区福田街道福南社区深南中路3027号嘉汇新城汇商中心3701

本实用新型公开了一种半导体器件塑封用换线移动治具，包括下治具和上治具，下治具前表面的中间固定设有定位块，定位块的内部设有定位装置，下治具通过定位装置卡接于的上治具上表面，下治具的两侧均开设有呈凵型的收纳槽，两侧所述收... 详细信息

标准号: CN219696428U

本实用新型公开了一种半导体器件塑封用换线移动治具，包括下治具和上治具，下治具前表面的中间固定设有定位块，定位块的内部设有定位装置，下治具通过定位装置卡接于的上治具上表面，下治具的两侧均开设有呈凵型的收纳槽，两侧所述收纳槽的内部均活动设有把手；上治具的中部设有半导体器件固定位，半导体器件固定位上设有固定柱；下治具上设有半导体器件压紧位；半导体器件压紧位设有固定柱固定孔；固定柱固定孔的位置与对应的固定柱的位置匹配。本实用新型的具有换线移动效率高，实用性强，操作人员，使用方面等优点，降低操作人员与半导体器件的接触频率，减少半导体器件表面之间的相互摩擦，减少操作人员的劳动强度，提高换线移动效率。

关键词：半导体器件治具固定柱上治具换线本实用新型定位装置移动效率定位块固定孔固定位收纳槽压紧位半导体器件表面接触频率位置匹配前表面上表面卡接塑封凵型把手摩擦移动

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

一种高可靠性大功率半导体器件封装系统

一种高可靠性大功率半导体器件封装系统

引用

作者：李特张佳晨 710119 陕西省西安市高新区新型工业园信息大道17号

本实用新型涉及半导体器件封装装置，具体涉及一种高可靠性大功率半导体器件封装系统，用于解决现有半导体器件回流焊接技术焊接前所采用的等离子清洗会对半导体器件表面造成一定损伤，从而导致回流焊接时焊料分布的均匀性受到影响，以... 详细信息

标准号: CN218945828U

本实用新型涉及半导体器件封装装置，具体涉及一种高可靠性大功率半导体器件封装系统，用于解决现有半导体器件回流焊接技术焊接前所采用的等离子清洗会对半导体器件表面造成一定损伤，从而导致回流焊接时焊料分布的均匀性受到影响，以及焊接后所采用的湿法清洗步骤繁多，效率低下的不足之处。该高可靠性大功率半导体器件封装系统包括真空回流炉、真空系统、工艺气体模块、排气模块、紫外臭氧清洗模块、回流焊接模块、助焊剂工艺模块。

关键词：大功率半导体器件封装系统高可靠性回流焊接焊接半导体器件表面半导体器件封装焊料回流焊接技术半导体器件本实用新型等离子清洗工艺模块工艺气体排气模块清洗模块湿法清洗真空回流真空系统紫外臭氧均匀性助焊剂损伤

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

半导体器件的复合型表面钝化结构及其制造方法

半导体器件的复合型表面钝化结构及其制造方法

引用

作者：甘新慧张伟民蒋正勇韩冲钱叶华计建新王国平 214135 江苏省无锡市无锡太湖国际科技园菱湖大道180号-22

本发明提供一种半导体器件的复合型表面钝化结构，包括绝缘介质层；掺磷二氧化硅层，形成于所述绝缘介质层上；回流层，包括掺硼二氧化硅层或掺硼磷二氧化硅层，所述回流层形成于所述掺磷二氧化硅层上；聚酰亚胺层，覆盖于所述回流层上... 详细信息

标准号: CN110098155A

本发明提供一种半导体器件的复合型表面钝化结构，包括绝缘介质层；掺磷二氧化硅层，形成于所述绝缘介质层上；回流层，包括掺硼二氧化硅层或掺硼磷二氧化硅层，所述回流层形成于所述掺磷二氧化硅层上；聚酰亚胺层，覆盖于所述回流层上。本发明通过采用绝缘介质层‑掺磷二氧化硅层‑回流层‑聚酰亚胺层形成复合型表面钝化结构，实现了对可移动的金属离子的捕捉，提高了半导体器件在高压下的热稳定性和可靠性。同时掺磷二氧化硅层还可以降低加热回流的温度；采用掺硼二氧化硅层或掺硼磷二氧化硅层作为回流层，可使得回流的效果更好，促进半导体器件表面的平坦化。采用聚酰亚胺层既可以降低可移动金属离子的影响，又可以保护半导体器件表面免于擦伤。

关键词：二氧化硅层回流层掺磷掺硼聚酰亚胺层绝缘介质层半导体器件表面半导体器件表面钝化金属离子可移动热稳定性平坦化擦伤捕捉覆盖

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

半导体器件腔面及其制备方法和半导体器件

半导体器件腔面及其制备方法和半导体器件

引用

作者：刘中华杨国文李颖赵卫东 215000 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号西北区20幢215、217室

本发明提供了一种半导体器件腔面及其制备方法和半导体器件，涉及半导体器件技术领域，包括如下步骤：利用划线角度30～40°、划线速度(20A+20)～(20A+40)mm/s在半导体器件表面的无图案区构建沿第一方向的、长度为(0.05A‑0.1)～(0.0... 详细信息

标准号: CN113067246B

本发明提供了一种半导体器件腔面及其制备方法和半导体器件，涉及半导体器件技术领域，包括如下步骤：利用划线角度30～40°、划线速度(20A+20)～(20A+40)mm/s在半导体器件表面的无图案区构建沿第一方向的、长度为(0.05A‑0.1)～(0.05A‑0.05)mm的划线，并在第一平面内形成预制裂纹；在形成该预制裂纹后，在第一方向上，利用预制裂纹形成半导体器件的腔面；其中A为半导体器件在第一方向上的长度。与现有技术相比，获得较深的预制裂纹，减少预制裂纹的数量，降低对半导体器件的芯片区的影响，制备的半导体器件腔面平整光滑，提高性能、良品率和生产效率。

关键词：半导体器件预制裂纹腔面划线制备半导体器件表面半导体器件技术平整光滑生产效率无图案区良品率芯片区构建

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

用于半导体器件封装的模塑装置

用于半导体器件封装的模塑装置

引用

作者：周曦 214437 江苏省无锡市江阴高新技术产业开发区长山路78号

本实用新型提供一种用于半导体器件封装的模塑装置，半导体器件表面包含边缘区域以及中间区域，边缘区域环绕中间区域，中间区域设置有多个微结构，模塑装置包含上模塑件及下模塑件。下模塑件用于将半导体器件容置于承载区中；上模塑件... 详细信息

标准号: CN218557841U

本实用新型提供一种用于半导体器件封装的模塑装置，半导体器件表面包含边缘区域以及中间区域，边缘区域环绕中间区域，中间区域设置有多个微结构，模塑装置包含上模塑件及下模塑件。下模塑件用于将半导体器件容置于承载区中；上模塑件具有顶抵部以及第一避让部，顶抵部环绕第一避让部；顶抵部用于顶抵于半导体器件的边缘区域，同时第一避让部用于避让半导体器件的多个微结构，使得上模塑件不接触多个微结构。本实用新型的模塑装置能够避免位于中间区域的多个微结构产生模封溢料的问题，且可避免了多个微结构受到外力挤压而破裂，保护半导体器件的功能。

关键词：微结构半导体器件中间区域避让边缘区域模塑装置顶抵部模塑件本实用新型下模塑件环绕半导体器件表面半导体器件封装外力挤压不接触承载区顶抵模封溢料破裂

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

没有更多数据了...

全选清除本页清除全部题录导出标记到“检索档案”

共19页 << < 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 > >>

检索报告对象比较合并检索0

隐藏清空

合并搜索

回到顶部

执行限定条件

内容：

评分：

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

订阅名称：

通借通还

温馨提示：

图书名称：

借书校区：

取书校区：

手机号码：

邮箱地址：

一卡通帐号：

电话和邮箱必须正确填写，我们会与您联系确认。

联系人：

所在院系：

联系邮箱：

联系电话：

内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区大学西街235号邮编: 010021

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：